не очень понял, в какой собсно форум постить, переместите плиз если чего. Имеем SO8, имеем 2 ватта по паспорту у него рассеиваемой, причем мне совершенно не ясно, при каких условиях конфигурации его футпринта. Надо бы вобщем рассеять побольше, не прибегая к кулерам. Вот скажите мне, такая разводка сколько в итоге может дать рассеяния ? Ну и кристалл понятно, что будет греться сильнее... Вобщем эмпирически - сколько я из сего полевого ключика выжму при комнатной температуре окружающей ?

Посмотри у Power Integration или у IR в каких-то аппликухах было про такую конфигурацию. По-моему там речь шла о тепловом сопротивлении порядка 10-20С/Вт.
P.S. наврал У Power Integration шла речь не о SO-8, а о DIP-8 в с формовкой выводов под SMT. Но все равно глянь даташиты, там обычно в примечании приводится при какой площади меди дано указанное тепловое сопротивление кристалл-теплоотвод. В твоем случае тепло в основном через выводы отводиться будет.

Может немного не в тему, но с такой конфигурации площадок (те которые справа по две в полигонах), очень вероятен непропай этих выводов при оплавнении в печи. Так как часть необходимого тепла уйдет в медь. Желательно сделать термобарьеры.

У есть подобные элементы на плате, то же рассеивают 2Вт по паспорту, соеденены термобарьером с полигоном, но как держит температуру и сколько рассеивает не могу сказать, так как плата в стадии запуска. Может и обломаемся .

Как паралельные варианты смотрим на изменение корпуса элемента, например на D2PAK, или TO220, но они габаритами большие.
Если производство не массовое, то можно применить и термоклей под SO8 (лучше вентилятора).

Ну вот такие мысли....

А смысл тогда в полигоне, если использовать термобарьер???

Очень сомневаюсь, что SO-8 "держит" 2 Вт рассеиваемой мощности. Если не изменяет память, TO-220 без радиатора способен рассеять всего 1,5 Вт, а SO-8 по сравнению с TO-220 - лиллипут.

А вы не сомневайтесь, а просто посчитайте.
Для примера можно взять IRF630 в TO-220AB и IRF7331 в SO-8.
У IRF640 тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда 62C/W. У IRF7331 аналогично 62,5C/W. Правда там чуть ниже есть примечание (3) Surface mounted on 1 in square Cu board, но мы ведь сравниваем одноименные параметры, не так ли? А вот если вдобавок обеспечить теплоотвод от выводов IRF7331, то тепловое сопротивление уже будет 20C/W. А если учесть, что максимальная температура кристалла у него может достигать +150С, то при комнатной температуре (+25С) и эффективном отводе тепла от выводов, на этом самом "лиллипуте" теоретически можно рассеивать ажно больше чем 6,25Вт=(150C-25C) / 20C/W. Конечно если к IRF630 приделать теплоотвод, то SO-8 уже нельзя будет сравнить с TO-220AB 6,25Вт против 56,8Вт=(150C-25C)/(1.7C/W+0.5C/W). Но ведь сомнения-то у вас были вроде о другом?
P.S. кстати, в даташите IRF7331 черным по белому указано, что максимальная рассеиваемая мощность при 25C составляет 2Вт. Datasheet вы тоже не доверяете?

Я просто указал, что может случиться при такой конфигурации площадок. Хотя правильно - смысл полигона теряется! так же как он теряется при непропае, особенно при массовых партиях.

Сомнения были о рассеивании мощности корпусом как таковым, а не вместе с полигонами платы. Datasheet - даташитом, но законы физики никто не отменял.

По поводу футпринта посмотри у Micrel. Там расчет полигона.

Спасибо !