Сообщение отредактировал Vanёk - Nov 21 2006, 19:02

Или я чево не понимаю, или на схеме ив описании последовательное соединение транзисторов.

Уупс . Всё что только можно напутал... вот к чему приводят два месяца недосыпания.
Да, именно последовательное включение (при параллельном режим элементарно определить). Прошу прощения за все очепятки.

Непонятно, возможно ли решить эту задачу для произвольного N ?

Можно, но это, по-моему, достаточно сложно. Зачем? Проще промоделировать в SPICE...

Записываете системы уранений для тока каждого из транзисторов (N-штук). Ток течет через все транзисторы один и тот же, порог транзистора при нулевом потенциале на истоке - константа. Учитывая, что порог зависит от напряжения на истоке, решаете систему уравнений, находите напряжение на стоке(истоке) каждого из транзисторов. Определяете режим работы каждого транзситора - linear или saturation

Тогда как понимать вот это:???
МОП-транзистор с базой - это что-то новенькое.

[left]

Цитата(Vanёk @ Nov 21 2006, 21:11)

3. Что такое ОИ? ОИ - это имеется в виду схема включения транзистора "общий исток"

А Вы уверены, что это включение называется "общий исток"?

затворы

Понятно. А почему бы её не назвать, например, схемой с общим стоком?
Предлагаю определится с терминологией. Это - основа технического общения.

Когда применяют слово "общий", имеется ввиду, что, входной сигнал подается между входным полюсом и этим самым "общим", и в то же время снимается между выходным полюсом и "общим", т.е, вывод общий для входного и выходного сигнала.(см рис)



А все-таки, есть. "Saturation" - это тот случай, когда ток стока уже не меняется, при изменении напряжении сток-исток (конечно, если не учитывать модуляцию длинны канала).

Сообщение отредактировал yxo - Nov 23 2006, 10:07

Смело. По-моему, ток стока не меняется при изменении напряжения сток-исток только когда канал полностью закрыт. Это называется режимом отсечки.
Аналогом режима насыщения у ПТ следовало бы считать режим полностью открытого канала, т.е. с того момента, когда сопротивление канала уже не уменьшается при дальнейшем увеличении (уменьшении в случае с Р-каналом) напряжения затвор-исток.

Для простоты говорим о N-канаьном полевом транзисторе, обогащенного типа.
Режим отсечки (cut-off), это когда напряжение затвор исток меньше порогового(threshhold). В этом случае канал еще не индуцирован, т.е его попросту говоря нет, и поэтому ток стока отсутствует (впринципе согласен, в этом режиме ток стока менятся не будет ). И потом, я же отметил, что не учитываю эффект модуляции длинны какала. Если учитвать этот эффект, то, конечно, ток стока будет увеличиваться, при увеличении напряжения сток-исток. Но не значительно.
Для режима насыщения полевого транзистора существует вполне конкретное определение: (для нашего случая) n канальный обагащенной фет работает в насыщении, когда напряжение затвор-исток больше порогового и напряжение стока не падает ниже напряжения затвора минус пороговое напряжение. Другими словами, граница перехода в режим насыщение происходит, после выполнения условия
Vds = Vgs -Vt.
И если уж говорить о сопротивлении канала, то оно опять же определяется от режима работы. В отсечке оно очень большое. В отсльынх случаях определяется как dVds/dId.

Странно... А я думал, что режим генератора тока наступает именно вследствие модуляции длины канала...

Аналогом - можно. Только это всё-таки называется режимом управляемого сопротивления. Кроме того, это сопротивление во всех известных мне ПТ всегда зависит от напряжения затвор-исток, до самого пробоя изоляции.

Это так, только с точностью до наоборот. Генератором тока ПТ становится из-за того, что длина канала растёт примерно пропорционально напряжению сток-исток.

Простите, а где можно найти это "вполне конкретное определение"? Дайте ссылочку, плиз.

Vt - это что?

Значицца так. Сначала рассмотрите это как один полевик (с длиной канала, равной сумме длин всех тех полевиков, допускаю что эти полевики по одной технологии и одной ширины канала). Благо оно так и есть. Он весь будет в одном из трех режимов - субпороговом, линейном или насыщения. Если он весь в линейном, то и все его детали в линейном. То есть некое подобие резисторов. Если он в насыщении - то верхний в насыщении, остальные в линейном. Субпороговый режим - там отдельный вопрос, в нем он может вести себя и похоже на насыщение, и быть линейным. Только формулы другие. А смысл тот-же, либо все в линейном, либо верхний насыщен, остальные в линейном.

Дальше, когда ясно какая запчасть в каком режиме, рассчет становится элементарным.

P.S. Кстати, если уж на то пошло, то особенной частью является только ооочень малая часть канала, расположенная ближе к стоку верхнего транзистора. Все остальное есть нечто вроде резистора.



Вот в этой книжке например => http://cmosedu.com/cmos1/book.htm Очень хорошая книга.

"ухо" абсолютно прав в части режимов работы транзистора, забыв только про субпороговую область, когда Vgs<Vth, но не сильно меньше, и ток стока зависит экспоненциально от Vth-Vgs. Очень важный режим для микропотребляющих схем. Линейный режим - это когда канал представляет собой сопротивление, величина которого зависит от (Vgs-Vth). Далее при превышении определенного Vds транзистор насыщается и превращается в источник тока, величина которого определяется тем-же (Vgs-Vth) (в квадрате, для ширококанальных технологий)

Теперь про модуляцию длины канала - это только один из эффектов, влияющих на выходное сопротивление в режиме насыщения, и портящих "качественность" получаемого ИТ. А эффект, благодаря которому получается ИТ, это никакая не модуляция, а насыщение скорости носителей. Этот эффект (модуляция), кстати, наиболее проявляется только в начале области насыщения, при относительно небольших превышениях Vds над Vgs-Vth. Далее начинает сильнее проявляться DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering), А еще дальше - SCBE - substrate current induced body effect. Для детального разбирательства, какой эффект на что именно влияет, и как его моделировать советую там глянуть (описание модели BSIM4, глава 5) => http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3...SIM450_Manu.tar



Это пороговое напряжение. Причем это отношение действительно только для "ширококанальных" полевиков. То есть на технологиях примерно 0.8 микрона и толще. Для короткоканальных это все не так.