Отлчиная мысль!


Не подскажите, где можно прочитать про короткоканальные феты? Или это есть у Бэкера?

Да, у него есть, у него везде параллель проводится между "придуманными" технологиями в 1 микрон и 50 нм. А вообще - описание BSIM4-модели, на котороя я сослался, но там почти голая математика.

Дайте ссылочку на главу, плиз, где даётся определение насыщения (saturation) полевого транзистора.
Моё мнение, после просмотра нескольких глав по диагонали таково: книжка может быть хороша только для узких специалистов, т.к. не даёт понимания процессов, происходящих в электронном приборе. Типа, есть формУла, поступайте в соответствие с ней, и всё будет ОК. А откуда эта формУла взялась - сведений нет. Типичное пособие для технологов...

Ещё раз: дайте определение всех режимов работы ПТ, желательно со ссылкой на источники.

Ясно. Нужно всё-таки начинать с определений.
Модуляцией я называю эффект изменения размеров перекрытия канала обеднённой областью под затвором под действием приложенного напряжения между стоком и истоком. Режим генератора тока (который Вы почему-то называете насыщением) наступает вследствие того, что размеры области перекрытия примерно пропорциональны приложенному напряжению, поэтому проводимость канала приблизительно обратно пропорциональна ему.

ЗЫ. Термин "насыщение" в применении к полевику нашёл самостоятельно, в книге "Физика полупроводниковых приборов" С. Зи. Действительно, такой термин употребляется, поэтому вопрос следует считать исчерпанным

Sedra Smith ¨Microelectronic Circuits¨ FIFTH EDITION 2004
см приложение
А вот Ваши источники тоже хотелось бы увидеть

Сообщение отредактировал yxo - Nov 24 2006, 14:41

Да, всё верно. Просто такой термин, по-моему, в "школе" не употреблялся, а писал я "по памяти".
Источники хорошие обнаружил сегодня в закромах. Лучший - пожалуй, тот же С.Зи "Физика полупроводниковых приборов".
Правда, во время моего обучения, использовалась несколько иная модель работы транзистора, нежели приведённая в этом источнике.

Вы правы, в этой книге нет подробностей и физических процессов. В ней описаны принципы моделирования поведения полевиков в той или иной области их характеристик.

Про термины - модуляция - это один из короткоканальных эффектов - CLM, Channel-length modulation, Другое название этой гадости - эффект Эрли (Early effect).

Насыщение - это эффект насыщения скорости носителей. То есть снижение их мобильности в больших электрических полях. При повышении Vgs уменьшается эффективная длина канала, что приводит к увеличению электрического поля. А это в свою очередь к насыщению скорости носителей. И именно этот режим работы называется во всем мире "saturation region", т.е. область насыщения. Я очень удивлен, что для Вас это новое.

Вот Вам документик, в котором про насыщение носителей, и к чему это приводит => http://www.stanford.edu/class/ee316/MOSFET_Handout5.pdf



- Субпороговый режим (subthreshold region), Vgs < Vth. В нем Id ~ exp(Vth-Vgs). И внутри него тоже есть деление на несколько режимов. Не буду на них останавливаться.

- Линейный режим (triode region), приблизительно Vds < (Vgs - Vth). В нем он ведет себя как резистор, управляемый Vgs.

- Режим насыщения (saturation region) - скорость носителей насыщается при Vds > (Vgs-Vth), что ведет к работе ПТ как источника тока. Этот самый регион делится на три куска - CLM, DIBL и SCBE. В каждом из которых неидеальность полученного ИТ определяется разными эффектами, первый из которых и есть "channel length modulation".

На источники... Да хоть в википедию сходите, в раздел "MOSFET". http://en.wikipedia.org/wiki/Mosfet Интернет просто пестрит источниками.

Понятно. Но эффект Эрли я раньше рассматривал только в применении к биполярным транзисторам (модуляция толщины базы). Но это совершенно другой эффект, действительно приводящий к неидеальности источника тока на БТ...

Бывает... Просто не употреблял никогда ранее. Да и моделью полевика пользовался несколько иной (капиллярной). Что ж, учиться никогда не поздно...

Ага, спасибо, почитаю в выходные.


Что ж, спасибо за краткую лекцию. Это относится и к ухо.