Вот показали мне интересный пример драйвера для верхнего ключа на двух транзисторах. Т.е. очень-очень дешево и сердито! Утверждается, что это именно High-Side MGD (MOSFET Gate Driver).

Проясните принцип действия этой схемы! Ведь для управления верхним ключом нужно повышенное напряжение (RAIL + 15V). Правильно ли я понял - сначала мосфет закрыт, и конденсатор заряжается на 15 вольт относительно истока. Потом, когда мосфет начинает открываться по команде с оптрона, он какое-то время находится в линейном режиме, но ток уже пошел и напряжение на истоке начинает повышаться (т.к. Rload и Rds мосфета образуют делитель). Вследствие этого за счет напряжения на конденсаторе повышается напряжение на затворе и мосфет переходит в ключевой режим. Правильно?

Если правильно, то есть вопросы.

Как прикинуть емкость конденсатора, или чем больше тем лучше? Ведь пока мосфет в ключевом режиме, кондёр потихоньку разряжается и напряжение на затворе в конце концов вернётся к RAIL? Там у них стоит 0.1 мкф.

Как выбрать сопротивление после диода? Оно ограничивает ток стабилитрона, но, с другой стороны, замедляет перезаряд кондёра, пока мосфет закрыт. Энергия кондёра в основном уходит на заряд затвора при открытии, который потом не возвращается, а сбрасывается на землю при закрытии. Как пересчитать заряд затвора мосфета в миллиамперы при известной частоте?

И, я так понимаю, скважность не должна превышать какого-то значения, процентов 95, к примеру. Кондёр же надо когда-то перезаряжать. В общем, как подсчитать средний ток потребления на заряд-разряд затвора при частоте например 100кГц (потом поделим его на 5% и получим пиковый ток заряда конденсатора при скважности 95%, так?)