реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V   1 2 >  
Reply to this topicStart new topic
> Интерфейс NAND Flash, Кто встречал готовые корки?
Serega Doc
сообщение Feb 21 2005, 13:43
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 267
Регистрация: 11-11-04
Из: Одесса
Пользователь №: 1 103



Нужно построить итерфейс обмена данными с NAND Flash памятью Не подскажите где можно взять готовую корку и модель NAND памяти?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Styv
сообщение Feb 21 2005, 13:50
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 133
Регистрация: 16-08-04
Пользователь №: 504



Да вроде там обычный I2C, или я ошибаюсь?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Serega Doc
сообщение Feb 21 2005, 14:37
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 267
Регистрация: 11-11-04
Из: Одесса
Пользователь №: 1 103



Там паралельный интерфейс с сложными указанием адреса а так же указания комманд операций чтения записи
Микросхема K9F2808Q0B
Go to the top of the page
 
+Quote Post
cdg
сообщение Feb 21 2005, 15:21
Сообщение #4


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 313
Регистрация: 8-09-04
Из: Таганрог
Пользователь №: 617



А как это Вы себе представляете? Что именно должно реализовываться в ПЛИС, т.е. какая часть протокольного обмена? Если ничего не путаю, то организация нандфлеш очень похожа на организацию IDE, там все через косвенный доступ реализованно, + протокол обмена не сильно простой, фактически микроконтроллер городить надо. Можно и в железе наверное сделать. На телеситемах нандфлешки прямо к портам контроллера прикручивают.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Himer
сообщение Feb 21 2005, 19:32
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Свой
Сообщений: 51
Регистрация: 22-06-04
Из: Riga,Latvia
Пользователь №: 104



Ничего там сложного нет. Надо только внимательно почитать доки. К тому же в них все временные диаграммы есть. Я работаю с K9f1208 Запись и чтение идет по страницам в 512 байт. 8-й бит адреса указывается в типе комманды чтения. При комманде записи он не указывается. Модели самой памяти не видел. Корки вроде у ALTERA есть какие то(на telesys что то про них говорили). А вообще корку за день написать можно
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Serega Doc
сообщение Feb 22 2005, 06:17
Сообщение #6


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 267
Регистрация: 11-11-04
Из: Одесса
Пользователь №: 1 103



А как же моделировать без модели? Я что то нашел на Xilinx.
Кто встречал пакет Denali Memory Maker и где его можно взять. Там он умеет много разной памяти моделировать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Himer
сообщение Feb 22 2005, 10:35
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Свой
Сообщений: 51
Регистрация: 22-06-04
Из: Riga,Latvia
Пользователь №: 104



Вот нашел какую - то модель на сайте SAMSUNGA smile.gif
http://www.samsung.com/Products/Semiconduc.../K9F2808Q0B.htm. А этот пакет от Denali бешенных денег стоит. Но они eval версию дают скачать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
acex2
сообщение Feb 22 2005, 11:01
Сообщение #8


Адепт
****

Группа: Свой
Сообщений: 520
Регистрация: 15-02-05
Пользователь №: 2 656



Цитата(Serega Doc @ Feb 21 2005, 10:43)
Нужно построить итерфейс обмена данными с NAND Flash памятью Не подскажите где можно взять готовую корку и модель NAND памяти?
*


Xilinx AppNote 354. Идет вместе с исходниками.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Serega Doc
сообщение Feb 22 2005, 11:39
Сообщение #9


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 267
Регистрация: 11-11-04
Из: Одесса
Пользователь №: 1 103



Вы пробовали регистрироватся что бы скачать eval версию. И как эта програмулина взаимодействует с моделировщиками.
А исходники я видел но без ПО они не заработают
Go to the top of the page
 
+Quote Post
fox
сообщение Oct 10 2005, 14:58
Сообщение #10


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 15
Регистрация: 12-02-05
Пользователь №: 2 603



Вот возник вопрос в тему. Полистал описание на эту flash от samsung, посмотрел диаграммки ни как не пойиу следующее ----

Согласно описанию линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно опариции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)

Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.

P.S. Хочу прицепить эту флешку к 51-ому
I/O.0-I/O.7 - на порт данных
RE - RD строб чтения
WE - WR строб записи
CE, ALE, CLE, - на разные адресные линии интерфейса внешней памяти, таким образом различные комбинации на этих линиях будут адресовать порт Данных, порт Адреса и Команды.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Hilter
сообщение Oct 10 2005, 15:32
Сообщение #11


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 23
Регистрация: 18-11-04
Из: Чернигов, Украина
Пользователь №: 1 167



Применяли NAND Flash STMicro в последних проектах
Советую на ПЛИС реализовать простейший механизм трансляции
команд процессора во времянки flash, а на процессоре крутить
весь протокол общения. процессор/контроллер в таких системах
просто необходим по причине возможного наличия битых блоков
и относительно малого количества циклов программирования (~100000)
Для надежной работы рекомендуется на флешке держать файловую
систему для неё приспособленную (там выравнивается количество записей в каждый сектор)


--------------------
WBR KNK
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Postoroniy_V
сообщение Oct 12 2005, 07:55
Сообщение #12


МедвеД Инженер I
****

Группа: Свой
Сообщений: 816
Регистрация: 21-10-04
Пользователь №: 951



Цитата(fox @ Oct 10 2005, 17:58)
Вот возник вопрос в тему. Полистал описание на эту flash от samsung, посмотрел диаграммки ни как не пойиу следующее ----

Согласно описанию линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно опариции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)

Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.
....

значит невнимательно читали :-)
CE
CHIP ENABLE
The CE input is the device selection control. When the device is in the Busy state, CE high is ignored, and
the device does not return to standby mode in program or erase operation. Regarding CE control during
read operation, refer to ’Page read’ section of Device operation.

DEVICE SELECTION CONTROL о чем нибудь говорит? :-)
мне говорит - можно сделать вывод что нанд флешек может быть несколько
каждая со своим CE
Тоесть если нет активного CE, то на изменения ale и cle нандфлеш не будет реагировать.


--------------------
Cogito ergo sum
Go to the top of the page
 
+Quote Post
lutik
сообщение Oct 18 2005, 14:23
Сообщение #13


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 128
Регистрация: 30-06-04
Из: Odessa
Пользователь №: 216



Цитата(Serega Doc @ Feb 21 2005, 16:43)
Нужно построить итерфейс обмена данными с NAND Flash памятью Не подскажите где можно взять готовую корку и модель NAND памяти?
*


Серега, тыж вроде этот флеш уже месяцев 5 назад делать начал и я те тада еще модель от самсунга слал..
стукнись мине в почту - получишь и модель и пример.
или иди на www.xess.com там пример есть (тока работает херово, времянка там у него не очень)


--------------------
однако..
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wladimiru
сообщение Oct 30 2005, 15:41
Сообщение #14


Участник
*

Группа: Свой
Сообщений: 43
Регистрация: 20-09-05
Пользователь №: 8 761



Цитата(Hilter @ Oct 10 2005, 18:32)
Применяли NAND Flash STMicro в последних проектах
Советую на ПЛИС реализовать простейший механизм трансляции
команд процессора во времянки flash, а на процессоре крутить
весь протокол общения. процессор/контроллер в таких системах
просто необходим по причине возможного наличия битых блоков
и относительно малого количества циклов программирования (~100000)
Для надежной работы рекомендуется на флешке держать файловую
систему для неё приспособленную (там выравнивается количество записей в каждый сектор)
*

Hilter, может опишите структуру вашего проекта? Вы тоже применяли ПЛИС для подключения NAND Flash? Что применили в качестве процессора/контроллера?


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Hilter
сообщение Oct 31 2005, 07:54
Сообщение #15


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 23
Регистрация: 18-11-04
Из: Чернигов, Украина
Пользователь №: 1 167



NAND Flash применялся в 2-х проектах
1) Проект на Virtex 2 Pro (2 PPC405) Linux на JFFS2
2) Проект на Spartan 3 (Microblaze) - файловая система своя (flash использовалась
для хранения большого количества редкоизменяемых аудио данных)

И в том и другом случае применялась одна и таже простенькая OPB корка (просто транслировала комманды и шины на flash). По опыту предыдущих разработок могу
сказать что при пребованиях высокой надежности путем развития
таких интерфейсов может быть добавление DMA для автоматического чтения/записи
блоков, а формирование команд и обработку ошибок дллжен проводить процессорный элемент.

WBR KNK


--------------------
WBR KNK
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 13th July 2025 - 03:43
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01841 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016