Сдохла мега8 после 1700ч работы в серийном устройстве. - Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru

Wiki

Photo

Forum

Reviews

Help (!)

2 страниц

< 1 2

Сдохла мега8 после 1700ч работы в серийном устройстве., есть ли статистика отказов AVR вообще и мег в частности.

mse Просмотр профиля	Jan 17 2007, 10:42 Сообщение #16
Знающий Группа: Свой Сообщений: 709 Регистрация: 3-05-05 Пользователь №: 4 693	Цитата(WHALE @ Jan 17 2007, 00:09) .Везде без экранов,внутри блоков усилителей до 1 квт,так что уровень наводок можете себе представить. Ставили и в 5-кВтники. Тем не менее, при "хорошей"топологии и схемотехнике может кирдычиться. Бо 20мВт это уже 1В RMS на 50 Омах. Безбашенная конструкция и исполнение чреваты многим.

bill_vs Просмотр профиля	Jan 17 2007, 21:21 Сообщение #17
Участник Группа: Участник Сообщений: 50 Регистрация: 16-04-05 Из: СПб Пользователь №: 4 208	При лабораторных исследованиях, ВЧ облучение платы с ATmega8 вводило м/с в ступор. Аппаратный сброс не помогал, только выключение / включение питания. Но м/с не умирала.

WHALE Просмотр профиля	Jan 17 2007, 22:11 Сообщение #18
Знающий Группа: Свой Сообщений: 902 Регистрация: 2-01-06 Из: Краснодар Пользователь №: 12 768	А что за ВЧ?Частота и напряженность поля(плотностьпотока)? -------------------- "Hello, word!" - 17 errors 56 warnings

mse Просмотр профиля	Jan 18 2007, 09:37 Сообщение #19
Знающий Группа: Свой Сообщений: 709 Регистрация: 3-05-05 Пользователь №: 4 693	Цитата(bill_vs @ Jan 17 2007, 21:21) При лабораторных исследованиях, ВЧ облучение платы с ATmega8 вводило м/с в ступор. Аппаратный сброс не помогал, только выключение / включение питания. Но м/с не умирала. Конструкция-топология хреновая. Перенапряжение на ноге и защёлкивание в тиристор.

bill_vs Просмотр профиля	Jan 18 2007, 20:54 Сообщение #20
Участник Группа: Участник Сообщений: 50 Регистрация: 16-04-05 Из: СПб Пользователь №: 4 208	Напряженность поля около 25 В/м, частоты 500 МГц и 800 МГц. Как раз и проверялась на прототипе устойчивость к ЭМС.

WHALE Просмотр профиля	Jan 19 2007, 09:16 Сообщение #21
Знающий Группа: Свой Сообщений: 902 Регистрация: 2-01-06 Из: Краснодар Пользователь №: 12 768	Цитата(bill_vs @ Jan 18 2007, 20:54) Напряженность поля около 25 В/м, частоты 500 МГц и 800 МГц. Как раз и проверялась на прототипе устойчивость к ЭМС. Нихрена себе.Если не секрет,откуда стоко?В транзисторных усилстелях при нормальной работе стоко не бывает.Я в 600-ватном усилителе при полном опускании измерительной рупорной антенны на усилитель на пару порядков меньше получал.А примерно такие цифры были при измерении на щели в фидере 5 киловатного передатчика.А чем меряли? -------------------- "Hello, word!" - 17 errors 56 warnings

bill_vs Просмотр профиля	Jan 19 2007, 20:47 Сообщение #22
Участник Группа: Участник Сообщений: 50 Регистрация: 16-04-05 Из: СПб Пользователь №: 4 208	По ГОСТ Р 51317.4.3-99 (МЭК 61000-4-3-95) степень жесткости испытаний 4 (помехоэмиссия от цифровых радиотелефонов) подразумевает напряженность испытательного поля 30 В/м.

2 страниц

< 1 2

1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)

Пользователей: 0

Режим отображения: Стандартный · Переключить на: Линейный · Переключить на: Древовидный

Сейчас: 18th July 2025 - 18:09