|
Выбор диодов для снабера |
|
|
2 страниц
1 2 >
|
 |
Ответов
(1 - 14)
|
Jan 23 2007, 16:18
|
Частый гость
 
Группа: Новичок
Сообщений: 121
Регистрация: 15-08-06
Пользователь №: 19 557

|
Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 10:33)  Вообще то чем больше напруга супрессора, тем меньше на нем будет мощи рассеиваться. Не согласен, моща окажется та же. И определяется она рабочим током и индуктивностью рассеяния.
|
|
|
|
|
Jan 23 2007, 16:54
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Alexey Bishletov @ Jan 23 2007, 16:18)  Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 10:33)  Вообще то чем больше напруга супрессора, тем меньше на нем будет мощи рассеиваться.
Не согласен, моща окажется та же. И определяется она рабочим током и индуктивностью рассеяния. Не только, не только.. Моща на TVSe будет: P=(I^2*L*f*Vcl)/(2*(Vcl-Vrefl)), где: I - пиковое значение первичного тока, L - индуктивность рассеяния, приведенная к первичке f - частота преобразования Vcl - Напряжение TVSa Vrefl - "отраженное" выходное напряжение Если напруга TVSа близка к Vrefl, то рассеиваемая на нем мощность катастрофически возрастает. Если на пальцах - возрастает время разряда индуктивности рассеяния...
|
|
|
|
|
Jan 23 2007, 18:44
|
Частый гость
 
Группа: Новичок
Сообщений: 121
Регистрация: 15-08-06
Пользователь №: 19 557

|
Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 16:54)  Цитата(Alexey Bishletov @ Jan 23 2007, 16:18)  Не согласен, моща окажется та же. И определяется она рабочим током и индуктивностью рассеяния.
Не только, не только.. Моща на TVSe будет: ... Если на пальцах - возрастает время разряда индуктивности рассеяния... Согласен, что-то я поторопился.
|
|
|
|
|
Jan 23 2007, 21:05
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 368
Регистрация: 16-11-06
Из: Тверь
Пользователь №: 22 379

|
2Bludger Цитата Если на пальцах - возрастает время разряда индуктивности рассеяния... Может я "торможу", но энергия индуктивности рассеяния должна куда-то деться. При большом напряжении TVS (но транзистор еще не пробит) она что - излучается в виде помехи? Вообще похоже на правду.
|
|
|
|
|
Jan 23 2007, 22:02
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 91
Регистрация: 26-01-06
Пользователь №: 13 668

|
Цитата(vlvl@ukr.net @ Jan 23 2007, 10:19)  Полистайте AN32 на сайте Power Integrations. Там в картинках и формулах все нарисовано.  Спасибо, действительно в формулах и картинках все красиво нарисовано :-) Но вопросы все равно остались. Ключевой параметр в данном вопросе - выбор Vor, и в AN32 он принят как данность свыше. Написано, что для TOP-switch с одиночным выходом оптимальное значение 120В. А в других случаях? В частности, у меня LM5071 и напряжение питания 48В. При супрессоре на 27В на снабере выделяется ощутимая мощность, явно маловат. А сколько надо? Как его узнать, это "отраженное" входное напряжение? Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 10:33)  Не только, не только.. Моща на TVSe будет: P=(I^2*L*f*Vcl)/(2*(Vcl-Vrefl)), где: Vrefl - "отраженное" выходное напряжение И тот же вопрос - как его узнать, Vrefl?
Сообщение отредактировал sz36 - Jan 23 2007, 22:08
|
|
|
|
|
Jan 24 2007, 09:04
|
Частый гость
 
Группа: Новичок
Сообщений: 121
Регистрация: 15-08-06
Пользователь №: 19 557

|
Цитата(Andr2I @ Jan 23 2007, 21:05)  Может я "торможу", но энергия индуктивности рассеяния должна куда-то деться. При большом напряжении TVS (но транзистор еще не пробит) она что - излучается в виде помехи? Вся энергия уходит в нагрев TVS. Доля энергии, излучаемая в эфир, очень мала. Цитата(sz36 @ Jan 23 2007, 22:02)  Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 10:33)  Не только, не только.. Моща на TVSe будет: P=(I^2*L*f*Vcl)/(2*(Vcl-Vrefl)), где: Vrefl - "отраженное" выходное напряжение
И тот же вопрос - как его узнать, Vrefl? Vrefl = Vout * Nin/Nout Vout - выходное напряжение + падение на диоде, если это существенно Nin - количество витков в первичной обмотке Nout - количество витков в выходной обмотке Цитата(Stanislav @ Jan 24 2007, 00:58)  А если в качестве демпфирующей цепи использовать параллельную RC цепь с последовательно включенным диодом, обязательно ли диод должен быть быстрым? Да
|
|
|
|
|
Jan 24 2007, 10:25
|
Частый гость
 
Группа: Validating
Сообщений: 75
Регистрация: 8-06-05
Пользователь №: 5 849

|
Цитата(Andr2I @ Jan 23 2007, 21:05)  Может я "торможу", но энергия индуктивности рассеяния должна куда-то деться. При большом напряжении TVS (но транзистор еще не пробит) она что - излучается в виде помехи? Вообще похоже на правду. Если у Вас напряжение выброса меньше напряжения пробоя TVS, то ток в индуктивности рассеяния спадает медленнее, в общем случае большая часть уходит в нагрев трансформатора. Если колебания не затухли до следующего включения транзистора - значит в индуктивности рассеяния остался ток, который вы увидите при включении транзистора. В излучение уходит, но малая часть, как я понимаю. Кстати при применении супрессора излучается больше, точнее в более широкой полосе.
|
|
|
|
|
Jan 24 2007, 10:42
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Stanislav @ Jan 24 2007, 00:58)  Цитата(Bludger @ Jan 23 2007, 10:33)  Вообще то чем больше напруга супрессора, тем меньше на нем будет мощи рассеиваться. А диод - в этой конфигурации чем быстрее тем лучше. А если в качестве демпфирующей цепи использовать параллельную RC цепь с последовательно включенным диодом, обязательно ли диод должен быть быстрым? Нет, там лучше помедленней диодик - мы реверсируем ток в демпфирующей цепочке, и отжираем энергию из демпфирующего кондера, что снижает напругу на нем без дополнительных потерь и, соответственно, уменьшает общие потери на снаббере. Только важно не перестараться, иначе при малой нагрузке можно начать коротить через этот диод кондер демпфера на Vrefl, что приведет к хорошему нагреву ключа и транса.
|
|
|
|
|
Jan 24 2007, 10:55
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 768
Регистрация: 12-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 904

|
Цитата(Andr2I @ Jan 23 2007, 21:05)  2Bludger Цитата Если на пальцах - возрастает время разряда индуктивности рассеяния... Может я "торможу", но энергия индуктивности рассеяния должна куда-то деться. При большом напряжении TVS (но транзистор еще не пробит) она что - излучается в виде помехи? Вообще похоже на правду. Видите ли, здесь процессы далеко не очевидны.. В формировании выброса участвует не только индуктивность рассеяния, но и индуктивность намагничивания. А если еще точнее, то три индуктивности - рассеяние вторичной стороны, намагничивания, и рассеяние первичной стороны. Во флае мы не можем рассматривать рассеяние вторички и рассеяние первички как одну индуктивность, как это делается в обычном трансе... Вот здесь я набросал коротенький анализ процесса выключения силового транзистора и формирования выброса: http://bludger.narod.ru/smps/Clamp.pdfВылезают очень интересные вещи.. Например, можно хорошо снизить потери в TVS и поднять КПД при помощи простой RCD цепочки на вторичной стороне
|
|
|
|
|
Jan 24 2007, 12:18
|
Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 320
Регистрация: 4-03-05
Из: г.Киев
Пользователь №: 3 058

|
Цитата(sz36 @ Jan 23 2007, 21:02)  оптимальное значение 120В. А в других случаях? В частности, у меня LM5071 и напряжение питания 48В. При супрессоре на 27В на снабере выделяется ощутимая мощность, явно маловат. А сколько надо? Как его узнать, это "отраженное" входное напряжение?
..... И тот же вопрос - как его узнать, Vrefl? Там чуть ниже формула приводится: Dмах=Vor/((Vmin-Vds)+Vor), попробуйте плясать отсюда. Еще приводится табличка при мульти и сингл выходе... А вооще я пользуюсь RC цепью или вообще не применяю, все зависит от паразитных параметров транса и косвенно от входной напруги.
Сообщение отредактировал vlvl@ukr.net - Jan 24 2007, 12:19
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|