Использовал высоковольтные Mosfet различных производителей.Сбацал тестовую платку с возможностью подключения различных драйверов.И получил занятные результаты: у всех транзисторов время роста оказалось гораздо меньше 3-7 нс против 35-100 нс.Сразу оговорюсь я смотрел время спада напряжения на сток-исток, а не время возростания тока как описано в PDF.Токи протекающие в моей схеме гораздо меньше до 5А в импульсе, против 19-30А которые могут они держать.Единственное совпадение оказалось у транзистора NEC у него rase time 5нс.Отсюда вопрос как я могу заранее просчитать время спада напряжения, токи у меня будут маленькие.

P.S. Если что не понятно написал могу объяснить.

Мне кажется что время спада, т.е. время открывания полевика ограничивается временем заряда емкости затвора. Так что на эту характеристику влияет в первую очередь драйвер.
PS во вторую - индуктивность выводов.

Сообщение отредактировал slog - Feb 6 2007, 23:41

Т.е. если я возьму входную емкость затвора и умножу на выходное сопротивление драйвера, получу заветные цыфры. А индуктивность мне кажется влияет на форму импульса, т.е. провал напряжения ниже нуля, и выброс в начале фронта. И есть ли даные по корпусам, понятно что у планарных она меньше, но насколько?

во-первых время открытия транзистора раза в 2 меньше времени закрытия, во-вторых завист от режима схемы, ёмкость сток-затвор пересчитывается с коэффицентом усиления на вход и добавляется к ёмкости затвор-исток т.е. чем больше напряжение СИ тем больше постоянная времени в цепи "драйвер-транзистор";

Я наверное слишком запутано написал.Я всё время имел ввиду rise Time, просто это значение времени роста тока через транзистор,а меня интересует маленькие токи меньше чем можно вытащить из графика Tr\Ic.
А режим схемы у меня такой: стоит драйвер выходное сопротивление 0,6 Ом максимальный выходной ток 30 А.Транзистор при окрытии закрачивает емкость(около 10 пФ) с частотой около 1 кГц и всё

А про

можно поподробнее, если не затруднит в формулах.

Как-то надо ещё ток учитывать, можно наверное тоже аналогию с увеличением ёмкости привести, но я говорил про эффект Миллера. Ну например подаёте вы импульс на затвор 10 вольт и по pdf думаете что ёмкость затвор-исток 600p, а сток-затвор 100p. На стоке в закрытом состоянии пусть будет 100 вольт. Тогда, в начальный момент между затвором и стоком(до открывающего импульса) 100 вольт, теперь подали 10 вольт на затвор, транзистор открыли и потенциал стока пал до почти нуля, т.е. помимо перезаряда ёмкости затвор - исток на 10 вольт вы перезарядили ёмкость затвор-сток на ~110 вольт!, это эквивалентно, тому что вы перезарядили не стокзатвор на 110 вольт, а некую ёмкость, добавленную к затвору равную (110/10)*стокзатвор до 10 вольт, т.е. примерно в коэффицент усиления увеличивается ёмкость сток-затвор и добавляется к ёмкости затвора 600p+1100p=1.7n

Вот спасибо, теперь понял.