Процессор AT91SAM9260, память SDRAM один корпус 16бит + NAND Flash 8бит. Шина адреса и данных у Flash мультиплицирована.
Проводники ширина 0.2, зазор 0.2.
Стек слоев :
сигнальный
земля
+1,8в
+3,3в
земля
сигнальный
Согласование шины адреса : последовательно в шину сопротивление 30-40 Ом ( половину волнового сопротивления шины), расположение - около выходного буфера процессора.
Согласование шины данных : последовательно в шину сопротивление 30-40 Ом ( половину волнового сопротивления шины), расположение - около выходного буфера процессора.
Для процессора и памяти я нашел IBIS модели компонентов,провел моделирование в HyperLynx и модуле Signal Integrity (Altium Designed 6.5)
HyperLynx предлагает согласование для шины адреса в 37 ом, для шины данных номинал согласования зависит от того кто является передатчиком на шине(процессор или память).
картинка разводки для моделирования : (Altium Designer 6.5)
http://sevsin.ru/cad/board.JPGшина адреса , линия А0 без согласования :
http://sevsin.ru/cad/A0_noterm.JPGшина адреса, линия A0 согласование резистор 33Ом последовательно :
http://sevsin.ru/cad/A0_term.JPGшина данных, передатчик - процессор, без согласования :
http://sevsin.ru/cad/D0_noterm.JPGшина данных, передатчик - процессор, согласование резистор 33 Ом :
http://sevsin.ru/cad/D0_term.JPGТакого согласования будет достаточно для стабильной работы на 100 Мгц? Или необходимо как-то по другому согласовать шины?