В программе используется переменная "char n". Всякий раз при включении она инкременируется и по достижении определенного значения - обнуляется. Чтение-запись происходит примерно 1 раз в секунду. При количестве циклов 100 000, надолго одной ячейки не хватит. Есть необходимость писать поочередно во все ячейки EEPROM. Как это сделать правильно, при условии что между любыми двумя циклами чтения-записи контроллер отправляется в "powerdown". Кто-то делал подобное? Как это можно сделать вообще, ведь адрес тоже нужно где-то помнить?

Буду крайне признателен за подсказки и примеры!

Давно в ru.embedded пробегала такая идея: использовать код Грея, один бит кодировать одной ячейкой eeprom. Получим равномерный износ N ячеек (где N - количество бит в счетчике) и на весь счетчик в N раз больший ресурс. В Вашем случае можно счетчик сделать 4-байтным, тогда размажем его на 4N ячеек, в качестве результата брать младший байт после преобразования из кода Грея в двоичный.

Поищите по форуму (EEPROM или DATAFLASH). Пару-тройку веток с интересующей Вас тематикой обязательно найдете

... Выделяем кусок ЭПРОМ, в котором храним счетчик
... При каждом сохранении в старых ячейках пишем $FF а в новых счетчик
... При чтениии от начала ищем not $FF и тем самымым выходим на запись.

... Таким образом при счетчике в 4 байта и перезаписи с частотой 1 Гц всей памяти хватит на 148 суток. Не густо.

Да, ФРАМ здесь самато. Реально ресурс, коншна, гораздо меньше. На Телесиське проскакивала цыфра 1е9, вырванная с кровью из интимного места техподдержки. Кроме того, у ФРАМ чтение разрушающее. Т.е. его ресурс как ПЗУ сильно ограничен. В отличие от режима ОЗУ или ЕЕПРОМ-флэш. Там наоборот.

1. Обычно делают так, чтобы данные в EEPROM записывались только при выключении питания. Если питание не батарейное, то нет проблем. Если батарейное... Наверно, тоже возможно - проснуться, проверить напряжение на батарее и, если мало, то сохраниться. Только нужно сделать программнй гистерезис, чтобы не было проблем при питании близком к критическому.

2.

Это неэффективный путь, так как ресурс ячейки используется не полностью. Нужно писать не char, а int. Тогда младший байт будет перезаписан 65000 раз.
Или комбинировать предложенное использование кода Грея с адресацией.

Почему это чтение с триггеров разрушающее? И чем отличается режим ПЗУ от ОЗУ?

Если бы там были триггера, то она бы была золотая. Проскальзывал документ ихний про кол-во считываний без регенераццыи. Давно, правда.
А вот этим и отличается: в ОЗУ пишем-читаем, а из ПЗУ тока читаем.

Давно, потому и забылось, видать. Принцип там такой: при записи электрическим полем сдвигается атом в кристалле ферроэлектрика. При прохождении атомом энергетического барьера возникает импульс тока. В процессе чтения также прикладывают поле. Если зарегистрирован импульс - значит бит был запрограммирован. Но атом в процессе этого чтения уже занял исходное положение, информация разрушена (отсюда название "разрушающее чтение"). Поэтому считанное значение тут же аппаратно записывается обратно.
FRAM technology basics
Кстати поэтому для этих памятей ограничено (раньше было, во всяком случае) не количество записей, а количество обращений к ячейке. Ибо чтение = стирание + запись.

имхо,для таких задач RTC с внутренним ОЗУ с батарейкой-самое то.Цена около 2 енотов да и энергоне-
зависимые часы вещь полезная.

to Сергей Борщ
не в тему ветки, но про FRAM, не могли бы Вы прояснить, правильно ли я понимаю следующее: в доке на FM25256 (FRAM от Ramtron-а) написано 10^14 cycles, эти циклы складываются из числа записей х 1 + число чтений х2... При максимальной частоте доступа 15 MHz, если мы будем тупо по кругу читать один и тот же байт (я так понимаю это для FRAM хуже чем писать), выходит много лет, что бы ячейку убить.... т.е. память выходит практически вечная (в разумных пределах)... или я что-то не верно себе мыслю?

Я так понял что число записей*1 + число чтений *1.
Да, они так изначально и заявляли, что число обращений теоретически ограничено, но реально быстрее сдохнет сама микросхема из-за диффузии материала корпуса в кристалл, чем исчерпается ресурс. И что именно поэтому реального ресурса никто не знает - "убить пока не удалось" Насчет "читать хуже чем писать" - мне кажется ей что чтение, что запись - то же яйцо только вид сбоку.

Спасибо, а то прочитав про FRAM испугался, что заложился на неё в серии...

rumit2000
В ДШ к последним FRAM-ным м/сх указывается неограниченный срок (то есть, время истощения ресурса при непрерывном чтении превышает время хранения данных при отключенном питании). Однако с нетерпением ждём от mse новостей из интимного места техподдержки (терморектальный криптоанализ, видимо, полезная вещь). Но вот только ходят слухи, что главный бич FRAM-ок - это нестабильность в общем полупроводниковом смысле (от питания/температуры). Любопытно было бы послушать "пострадавших".


Сергей Борщ
Почему при использовании кода Грея будет равномерный износ ячеек? Мне кажется, это не так, потому что в коде Грея младшие биты меняются гораздо чаще старших, в этом он ничем не отличается от двоичного кода. Это легко проверить, вспомнив формулу перевода двоичного кода в код Грея (там просто XOR соседних битов). Код Грея не даёт других преимуществ кроме "атомарности" операции, что само по себе часто бывает полезным.

Сообщение отредактировал CD_Eater - Mar 21 2007, 16:23

скоро будет год как в серии (в том числе в уличных исполнениях) работает... вроде проблем не было "тьфу-тьфу-тьфу..." Хотя конечно год совершенно не показатель... Зато вот атмеловская память AT25256 побилась в ходе тестов..... при обещаных 100.000, чесно выдержала около 250.000 циклов записи а потом благополучно перестала воспринимать запись в ячейку...