Привет всем
Вопрос к тем, кто работал с nand-памятью
Просветите меня пожалуйста в адресации этого типа микросхем
Согласно документации, одногигабайтная микросхема памяти имеет 12 адресных линий для адресации колонок и 19 для адресации строк.

Как я понял row_addr позволяет адресовать 2**19=524288 строк. Это число совпадает с кол-вом страниц в микросхеме.
А вот col_addr содержит 12 разрядов и позволяет адресовать 2**12=4096 чего-то.
А вот что адресует col_addr мне не понятно.

Если-бы было 13 разрядов, то он мог-бы адресовать блоки, которых 8192.
Но факт есть факт - их 12. У меня возникает подозрение, что col_addr исп. для адресации стартового байта в странице. Но для этого достаточно было-бы иметь 11 линий (2048 байт).
Хотя там есть дополнительные участки памяти по 4*16 байта для коррекции ошибок.
С этими участками размер страницы составляет 2112 байт. Вот тут какраз и нужно уже 12 линий для адресации. Скажите я прав или нет ?

И ещё попутный вопрос микросхема памяти сама генерирует код для коррекции ошибок или этим должен заниматься внешний контроллер?

Заранее спасибо всем откликнувшимя.