Вопрос такой :
Берем кристалл, прошитый рабочим кодом (проект с ucOS/II, собран в IAR 4.41),
запускаем J-Flash, открываем проект из семплов для SAM7X, читаем флешку.

Стираем камень через J-Flash, зашиваем полученный на предыдущем шаге образ - все работает прекрасно.

Теперь берем либо свежий кристалл, либо просто стираем тот же с помощью ноги ERASE,
подключаем к J-Flash, заливаем образ - не работает.

Что забыл/не знал ? По моему разумению, должно быть по барабану, как я стираю камень - через J-Flash или ногой ERASE....


Кратко вопрос : Как залить свежий кристалл с помощью J-Flash образом, снятым с работающего кристалла ?

Хм, а как кто вообще прошивает крупную серию ?

"The ERASE pin is used to re-initialize the Flash content and some of its NVM bits"
Может в этом дело?

Да, проблема была именно в GPNVM бите №2 - он определяет, откуда загружаться - из флешки или из РОМа.

В настройки проекта в jflashARM нужно добавить в Init sequence действие

'Write 32bit', адрес 0xFFFFFF64, значение 0x5A00020B - установка GPNVM#2.

Спасибо за наводку !

Я состряпал небольшую програмку на Дельфях.
При каждой прошивке в hex или bin, неважно, автоматом вносятся нужные мне изменения,
как то: сер.номер, дата изготовления и пр. Затем вызывается JFlash с командной строкой.
Пример есть в хелпе.
Конечно сделать так действительно КРУПНУЮ серию проблематично.

хм у меня точно то же решение - консольная программа на дельфях и батник из двух строк

Для действительно КРУПНОЙ серии имхо проще сделать "панельку", в которой кристаллы будут прошиватся еще до впаивания

Не вижу разницы, что в лоб, что по лбу. Лишние хлопоты. Объясните, может я чего-то не понимаю.