Работаю с NAND по классической схеме.
Не понятен момент - в случае ошибки при записи одной страницы "плохим" марикруется целый блок. Есть ли смысл пометить конкрентую страницу "плохой" и продолжать писать в остальные страницы блока? (либо если блок "сыпется", то летят одна страница за другой через некоторое время?)

Все зависит от конкретной задачи и степени важности хранимой информации. Как правило, бэдовые ячейки появляются при выработке ресурса перезаписи и распределяются равномерно по всему кристаллу.
Хотя иногда встречаются просто бракованные партии. Их лучше сразу вернуть поставщику.

Спасибо за информацию.
Могут ли "плохие" ячейки появиться если не записывать во Flash ничего, а только читать? (на этот счёт так и не нашёл информации в Datasheets)
И собственно первый вопрос, (не до конца уловил суть) стоит ли использовать плохой блок выборочно, т.е. страницы без плохих ячеек. Или если в блоке появляются плохие ячейки, то они со временем распространятся на бОльшую часть страниц блока?
К примеру, помеченные с завода блоки не используем вообще (так как не понятно какие конкретно страницы в нём "плохие", а провести испытания подобные заводским не представляется возможным), полученные в результате записи пользовательской информации "плохие" страницы помечаем записью заведомо некорректной контрольной суммы в Spаre область, причём продолжаем использование других страниц блока, в котором обнаружена ошибка.

По-идее, могут: заряд постепенно стекает, в том числе и при чтении.

Стоит.
При правильном подходе можно даже использовать и не сильно битые страницы.


Здесь уж как повезет. Технология производства и её соблюдение нам не подвластны.