Интересно , а в той первой схеме транзистор Q5 влиял на работу схемы ? В этой , теоретически , уже должен немного влиять ( по сравнению с диодом , включённым между коллектором и базой основного транзистора ) , но хорошо ли это ? ИМХО , такой способ введения ООС может привести к росту нелинейности ( да и шума ) против обычного резистора ..... я вообще не вижу преимущества в использовании дополнительного транзистора в цепи ООС . А просто с резистором между коллектором и базой пробовали ?

Сообщение отредактировал deemon - Oct 28 2007, 19:47

Конечно. Он задавал режим работы усилительного каскада. Но глубина общей ООС по переменному току в приведённой схеме поста №90 была небольшой. Резистор в его эмиттере я сначала зашунтировал ёмкостью, но потом выложил схему без неё - уж больно хорошим Ку получился (что было ошибочно).

Что значит "немного"?
Этот транзистор уменьшает усиление каскада примерно в 15 раз(!) за счёт подачи сигнала ООС на вход усилителя.
Изюминка в том, что сопротивление ленты само является элементом обратной связи усилителя.

deemon, схема микрофонного усилителя, по большому счёту, содержит только два транзистора (один составной), два резистора и один конденсатор. Кроме того, она охвачена глубокой общей ООС, которая стабилизирует режим работы транзисторов и усиление, уменьшает на порядок искажения, и не приводит к существенному росту шумов, что было самым сложным при введении ООС.
Или Вы хотите сказать, что данный результат можно получит и с помощью резистора в ОС? Щас попробую...

Пробовал. На схему №90 удаление транзистора Q5 действительно влияет не слишком сильно. Эмиттерный резистор был введён, чтобы поднять напряжение на коллекторах входных транзисторов. Моделирование показало, что этот фактор не является существенным, и резистор (с параллельным кондёром, которого нет в схеме), может быть таккже удалён.

Не поделитесь? Обмозгуем, покритикуем.
Или считаете, что это "ноу-хау"?

Сообщение отредактировал Stanislav - Oct 28 2007, 20:45

Понятно , что он влияет ! Но я имел в виду другое - что будет , если замкнуть базу и коллектор транзистора в цепи ООС , превратив его в диод ? В первой схеме - вообще практически ничего не изменилось , а во второй ? Я так мыслю , что и во второй мало что изменится , хотя разница и будет больше , чем в первой ......

И вопрос номер 2 . Цепь ООС в этих двух схемах нелинейная ( в ней транзистор или эквивалентный ему диод ) . Во второй схеме нелинейность цепи ООС гораздо более выражена . Улучшает ли это работу каскада ? Как это влияет на рост искажений при росте сигнала ?

Сообщение отредактировал deemon - Oct 28 2007, 20:47

Может быть... Помоделять надо...
Но транзистор в любом случае полезен - он напряжение КЭ составного каскада увеличивает. Собственно, ради этого он и был введён.

Пока не знаю. Головой думать сейчас почти не можно, а искажения моделять пока неполучается.
По всему, так должна уменьшать искажения существенно. А сигнал там и так очень мал...

ЗЫ. Помоделял. Превращение транзюка в диод уменьшило усиление до 4,7, что вполне понятно.

Сообщение отредактировал Stanislav - Oct 28 2007, 20:55

Надо обязательно проверить искажения при росте сигнала ! Сдаётся мне , что они резко увеличатся при возрастании напряжения сигнала на выходе , это не есть хорошо



Думаю , что с резистором в цепи ООС можно получить те же параметры , но при меньших искажениях ..... в любом случае - надо проверить и сравнить .

Это понятно. Но сигнал мал, и искажения невелики.
Как их оценить - не нашёл пока. Усилок вертит фазу, поэтому вычитанием входа, помноженного на Ку, из выхода померять не получается...

Просто с резистором напряжение КЭ малое получается, и усиление падает, т.к.падает и вых.сопротивление транзисторов и сопротивление нагрузки становится малым. Делитель делать нехорошо - много тока отожрёт. Кроме того, при малом напряжении КЭ уменьшается динамический диапазон усилка. Вот если только диод включить... Но это тоже нехорошо - нелинейность...

Так и с транзистором - нелинейность При верхней полуволне сигнала на выходе транзистор этот будет более открыт , и через ООС уменьшит усиление , а при нижней полуволне - наоборот , закроется ......

Сообщение отредактировал deemon - Oct 28 2007, 22:41

Результаты фурье-анализа выходного сигнала при входном в 1 мВ:
- схема без Q5 с резистором в ООС в 620 Ом - уровень второй гармоники -42 дБ. Остальные гораздо меньше;
- схема с Q5 в диодном включении (Б-К замкнуты) и с резистором в ООС в 470 Ом - уровень второй гармоники -39 дБ;
- схема из поста №103 - уровень второй гармоники -52 дБ.
Усиление во всех трёх схемах примерно одинаковое.
По гармоникам же разница существенная.

Транзистор играет в ООС важную роль. Попробуйте разобраться самостоятельно, почему с ним искажения меньше.

Сообщение отредактировал Stanislav - Oct 29 2007, 00:04

Так весь вопрос - при каком уровне сигнала всё это наблюдается ?

1 мВ входной, частота - 1кГц.
62-67мВ выходной.
Всё - в смысле амплитудного значения.

Да, для полевиков положительный эффект запараллеливания должен быть выражен даже больше, чем для БТ в данном контексте. Только токи через каждый прибор снижать нежелательно, чтобы не падала крутизна характеристики.
А мощный полевик с p-n переходом не пробовали ставить? Это может оказаться куда лучшим решением, чем запараллеливание.

ЗЫ. Если не секрет, о каких конкретно приборах идёт речь?

Если принять во внимание, что ЭДС шума резистора пропорциональна корню квадратному из его сопротвления, а крутизна БТ пропорциональна току покоя и, следовательно, суммарная крутизна пропорциональна суммарному току комбинации из параллельно сединенных транзисторов, то Вы сказали то же самое, что и я- только по другому.

Вы не в теме. Причем по всем пунктам. Вплоть до незнания реальных порядков величин.
Объясняю.
Чувствительность реальных ленточек примерно на порядок меньше первоначально приведенных автором темы, т.к. после 30-40х трансформатора большинство ленточных микрофонов дает в лучшем случае около милливольта на паскаль, часто меньше одного. Большей чувствительности там взяться неоткуда (см. классику).
Считаем с запасом, 2 мВ/Па после трансформатора 33х (рекорд - 2,6...3,1 мВ после трансформатора 45х, royer 121, SF12).
Тогда с ленточки имеем - 0,06 мВ/пА, или 60 мкв/пА.
Дальше. 1 Па = 94 дб.
Автора устраивает шум 18 дБ = это -76 дБ относительно 1 Па.
-76 дБ относительно 60 мкВ - это 9.5 нВ.
Для полосы 20 кГц - это спектральная плотность 0,068 нВ/Гц^0.5. То есть, 1/5 от упомянутых Вами 0.34.
Сама ленточка (ее омическое сопротивление) шумит примерно также. Поэтому даже с трансформатором получить 18 дБ - на грани реального. Характеристика "МЭК-А" "улучшает" шум на 3 дБ, давая шанс усилителю, если его коэффициент шума не превышает 2 (3 дБ). Заметьте, мы не учли тепловой шум молекул воздуха вокруг ленточки, который также вносит вклад в общие шумы, тем больший, чем меньше площадь ленточки.
За дальнейшим отсылаю к статье Олсона (разработчика знаменитого RCA77) про историю микрофонной техники и к расчетным соотношениям из любой классической книжки по электроакустике. Фурдуев, например. Там все очень доходчиво расписано. Внизу приложено описание классического 4038. Его чувствительность меньше 0.7 мВ/пА c трансформатором 30x.

Снизу приложена первая страница даташита обсуждаемого SSM2210 (это тот же MAT02 без отбора по разбалансу Uбэ).
Второй абзац:
...With its extremely low input base spreading resistanse (rbb' is typically 28 Ohm)....
Если Вы этого не заметили - следовательно, либо не смотрели, либо не владеете терминологией.
Официально гарантируемые величины rбб' порядка 1 Ом были у транзисторов, специально разработанных для работы в MC предусилителях.
В настоящее время их приобретение проблематично, т.к. изготовитель набирает заказы и делает их только после набора заказов на большую партию.

Величина ЭДС шума, возникающего на эмиттерном переходе вследствие дробового эффекта прямо связана с r дифф.э, которое обратно пропорционально току. Тот факт, что источник шума - дробовой эффект, в теории снижает эффективную температуру шума эмиттерного перехода в 2 раза, но на практике это соблюдается только при очень малой плотности тока. При работе на больших токах от 2 хорошо, если остается 1.5, плюс я в оценочную формулу rб+rэ ~ Rи не ввел падение тока шума на rб. Оба эффекта в сумме делают ненужным учет коэффициента 2.

Теперь про "1 нВ/Гц^0.5 от 538УН1 или 548 УН1".

Входные транзисторы там имеют rb 150...200 Ом каждый. Разброс этого параметра при заданной топологии и h21э невелик.
Включить их в параллель в принципе невозможно, можно только отключить один. Существенно увеличить ток - тоже.
Отсюда меньше, чем о 2...3 нВ/Гц^0.5 речи быть не может.
Исчерпывающее исследование шумовых свойств 538УН1/548УН1 было даже в "Радио", это общедоступная информация. Либо Вам она не знакома, либо Вы выдаете желаемое за действительное.

Сообщение отредактировал SIA - Oct 29 2007, 16:15

Вопрос - а как назывались эти транзисторы ? Я про такие даже и не слышал Сколько я видел схем МС преампов - там стояли запаралеленные обычные трназюки , иногда штук по 8 ..... а ведь это заманчиво - заменить их на 1 , чтобы не загромождать схему .

И ещё вопрос - как достигалось такое низкое сопротивление базы ? Чем отличалась технология , и чем приходилось жертвовать для достижения этой цели ? Ведь ничего же даром не даётся

И третий вопрос - может ли быть преимущество в этом смысле у германиевых транзисторов ? Я где-то читал , что у германия больше подвижность носителей заряда , вроде бы именно поэтому некоторое время назад даже сделали такую технологию для СВЧ - Si-Ge , а может ли это свойство дать преимущество для снижения сопротивления базы и уменьшения шумов ? Вопрос может быть и глупый , но технологию я знаю слабовато .......

Пожертвовать емкостями (из-за роста площади кристалла), граничной частотой, и немного h21э (из-за толстой и сильно легированной базы), плюс развитая геометрия (малая ширина и большое число эмиттерных полосок) - и дело в шляпе, можно иметь rб единицы ом. Германий - не очень в кассу, т.к. на нем сложно получить малый фликкер из-за отсутствия самозащиты переходов окислом (окисел германия водорастворим, в отличие от SiO2).
Лучшее в этом отношении из того, что время от времени еще производится - см. ниже.

Сообщение отредактировал SIA - Oct 29 2007, 17:48