Андрей, я так и понял - эта книга подходит более для научных сотрудников, нежели для разработчиков. В таком случае ее название "Проектирование Мощных РЧ и микроволновых усилителей" не совсем подходит. Гораздо лучше было бы назвать ее "Теория и принципы построения ВЧ усилителей" или что-нибудь в этом духе. Меньше было бы заблуждений относительно содержания.

Еще раз извиняюсь за свой резкий тон. Просто литературы теоретической направленности по данной тематике гораздо больше, нежели практической. И выбор книг небольшой. Отсюда и некоторое раздражение.

А Ваши 4 презентации по мощным УМ (в ppt-формате) сделаны очень добротно, кстати.

Я согласен с вами и я бы так и назвал книгу, если бы это было на русском. А так слово "design" обозначает все. Кстати, я сначала и хотел назвать "Theory and Design...", но на западе издатели смотрят иначе, чем у нас. Да, и поскольку в пост-российской жизни пришлось в основном проектировать усилители дециметрового и выше диапазонов вплоть до миллиметрового, да и на разных технологиях, то, конечно, описывать детали каждой технологии, будь-то LDMOSFET, InGaP GaAs HBT, SiGe HBT, или PHEMT, требует не только много места, но и не всякая компания разрешит это делать, поскольку обладание перпективными технологиями - это залог успеха компании в будущем. С другой стороны, ну как можно, например, однозначно рекомендовать использовать дроссель по питанию, когда его функцию может выполнить четвертьволновая линия в классе F или короткая линия в классе Е. А насчет паразитных параметров, то, во-первых, в монолитном проектировании обычно создают модели всех элементов, причем не сами разработчики, а специальная модельная группа, а во-вторых, вы сами их можете ввести в симуляционный setup и иметь ввиду при построении основных цепей. Кстати, именно аспирант с Моторолы, правда малайзийской, пригласил меня туда прочитать двухдневный курс, поскольку для улучшения параметров их усилителей подвижной связи диапазона 135-175 МГц с питанием 7 В и выходной мощностью 8 Вт он прочитал в моей книжке про широкополосный класс Е и мы вместе спроектировали такой MOSFET усилитель с выходным фильтром с КПД около 70% во всем диапазоне, что на 20% больше имеющихся у них в промышленности. Об этом выйдет статья в IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. через несколько месяцев.

Усилитель сделан на обычных массово выпускаемых транзисторах MOSFET или внутреннего производства Motorola? Можно ли использовать транзисторы для режима AB в классе Е?

Сообщение отредактировал RFMAN - Dec 21 2007, 12:10

Транзистор Мitsubishi RD07MVS1. Конечно можно тот же самый транзистор использовать для разных классов, если только позволяет напряжение пробоя, тем более, при более высоком КПД и рассеяние меньше. В нашем случае, измерение показало стоковое напряжение с амплитудой 29 В. Хотя максимальное пробойное в паспорте транзистора 30 В. Но тут на практике не всегда ясно, насколько оно отражает краткосрочное его превышение. И при измерении КСВ на выходе до 10 все было устойчиво.

Рискуете, ИМХО, с такой амплитудой. Все-таки транзистор для класса АВ. Вообще не ожидал, что Motorola здесь будет применять не свою элементную базу, а обычный ширпотребовский RD07MVS1, с которым я прекрасно знаком. Хотя транзистор замечательный конечно - широкополосный, с хорошим тепловым сопротивлением. У него еще аналог хороший есть - PD54008L (ST Microelectronics).

Сообщение отредактировал RFMAN - Dec 21 2007, 12:41

Насчет использования чужих транзисторов, это там нормальная практика. Если свой хуже, который разрабатывает один департамент, то другой департамент, разрабатывающий устройства, использует чужой. Как например, Philips имеет свой отдел по разработке усилителей для сотовых телефонов, но уже давно ничего не может сделать, и покупают других фирм. Как и Моторола с Freescale, например.

Может у кого есть или знаете где можно скачать что то типа хэндбука или очень краткого справочника где есть все основные часто используемые формулы и коэфициенты в радиофизике, таблици всяческие с дБм ваттами дБ, с длинами волн, с формулами переводов всяческих, что бы это не листать по разным книжкам, а так в одном месте посмотреть и все. Чесно говоря можно самому заняться и составить это все, но лень да и времени займет много.

Можно посмотреть на сайте RF Cafe http://www.rfcafe.com/references/electrical.htm

>BIBIGON
Есть вот такая pdf'ка:
http://www.teicontrols.com/notes/AntennasA...Propagation.pdf

Вышли, пожайлусто, на gora60[гав-гав]ya.ru. Зарание спасибо

У меня задача такая. Две антенны на растоянии 10 см одна на 900 мгц а другая на 2,4 Ггц будут ли они влиять друг на друга.

Пожалуйста, можно мне эту книгу на toxild@gmail.com или toxild@mail.ru
заранее благодарю за данную помощь в написании моего диплома)

Разыскивает книжечка

Andre Vander Vorst, Arye Rosen, Youri Kotsuka, "RF/Microwave Interaction with Biological Tissues," Wiley-IEEE Press, 2006.

если кто знает, где она обитает в свободном виде, направте плиз.. :-)

Можно получить эти книги?

24. Хижа, Вендик, Серебрякова "СВЧ фазовращатели и переключатели", 1984 – 45 МБ


вышлите пожалуйста по возможности на babyru@mail.ru.
заранее спасибо.