Имеется транзисторный ключ - на выход контроллера ставится резистор 10 кОм на базу транзистора npn, эмиттер на массе, нагрузка в коллекторе.
Теперь вопрос. Есть схемы, где подключают дополнительный резистор 100 кОм от базы на землю, а есть схемы, где этот же резистор подключают от вывода контроллера на землю. И в том, т в другом случае параллельный резистор не дает висеть в воздухе базе транзистора при начальном сбросе контроллера.
Какая из двух схем предпочтительнее или без особой разницы?

Предпочтительнее с базы на землю. ИМХО. И сопротивление поменьше. Надо чтоб при включённой подтяжке на выводе ИМС тока на базе было недостаточно, а если лог.1 на выводе - чтоб тока через базу хватало для нормального открывания. Закон Ома рулит.

Если резистор поставить на землю прямо от базы транзистора, то при работе возникает делитель 1:10, но для биполярного транзистора и при питании контроллера от 5в это не критично... еще в таком случае чуть меньше ток утечки на землю (100кОм + 10 кОм), так что по большому счету разницы нет... еще бывают т.н. цифровые транзисторы - там эта цепь из 2х резисторов уже выполнена внутри транзистора, причем именно по указаттной мною выше схеме, т.е. резистор на землю идет от базы транзистора.

если не изменяет память этот резистр совершенно не обязателен, он призван для совершенно иных целей, точнее для старых процов, для атмелов и пиков он не нужен(если речь идет про 100ком(база) к земле, если к питанию то тогда я в ступоре, а нфиг нужно)

Именяет , иногда обязателен.
При выводах МК "повисших" в Z -состоянии , тр-р с висячей базой, может открыться обратным током колектора и включить что-нить непотребное. Что может привести к пиротехническим эффектам в отдельных случаях.

Есть такое поятие как обратный ток коллектора (Ikb0). У разных транзисторов он разный. Соответственно по отношению к нему включение резисторов получается последовательным или параллельным. При большом обратном токе коллектора резистор предпочтительнее возле базы и поменьше, дабы транзистор не приоткрывался. Иногда учитывается возможное глупое включение встроенной подтяжки в микроконтроллере, тогда резистор (дабы не пытаться учитывать разброс "номинала" подтяжки)также предпочтительнее подключать прямо к базе. Зато схема с резистором возле микроконтроллера позволяет практически безболезненно заменить транзистор на полевой, не меняя разводку.

Параллельный резистор нужен для стока заряда с базы транзистора, особенно если питание достаточно высокое (20-30В и выше). Но даже при низком питании ключи без параллельного резистора часто выходят из строя. В качестве примера можно указать Н-мосты в радиоуправляемых китайских игрушках. Какое-то время они работают, потом выходят из строя.

Видел даже последовательно с резистором ставят диод катодом к транзистору, чтобы защитить вывод контроллера от пробоя перехода база-коллектор.

А ещё базовый резюк на землю нужен для увеличения быстродействия транзистора (как это ни странно звучит). Делал как-то схемку без шунтирующего базу резистора, чисто преобразователь уровня от 3.3в проца в 5в строб на 74HC595. Точно не помню какая частота строба, но еденицы мегагерц точно. Без резистора не работало. После тыка осциллографом стало ясно в чём причина и зашунтировав базу резистором 1 или 2 ком всё сразу заработало. 100 ком точно не помогло бы.

Сообщение отредактировал GetSmart - Mar 27 2008, 11:31

Это ещё делают из соображений более быстрого запирания транзистора. Биполярные транзисторы быстро включаются, но медленно выключаются. Хотя конечно кардинальное решение - диод шоттки от базы на коллектор. При этом транзистор откроется не полностью - при уменьшении напряжения коллектор-эмиттер меньше 0.4 вольта часть тока базы потечёт в коллектор. Из-за этого транзистор закрываться будет быстро - с такой-же скоростью как открывается.

Но вот скажите мне - при чём здесь АВР?

хм, а зачем тогда внутренняя подтяхка контроллера??? или я действительно не врубаюсь, и схема расчитано на отсутствие контроллера на месте???(я касательно 12-15в максимум говорил(ну просто что использую, остальное диодная защита), больше никогда не приходилось ключь ставить, если надо было больше(24) то делали на мошьных транзах и там схема совсем другая) я не знаю для управления чем преднозначен ключ и какая нагрузка, каким током ключ должен управлять, вполне возможно что обратного тока и не будет достаточно чтоб сжечь транзистор....
но спорить не буду, я всетаки всего 6 с копейками лет работаю с транзисторами вообще:) до того как начал работать я вообще не знал что такое ключь:) в институте не понимал их вообще.... я програмист всетаки больше:(

п.с. возможно если есть необходимость то пусть автор предоставит конкретные требования от ключа и тогда можно будет точно сказать о решении

Ничего странного , резистор дает возможность быстрее разрядиться емкости БЭ , но лучше ее разряжать другим тр-ром.

Эт вооще из другой области.

Вот это уже ближе к теме
Действительно , это отсутствие контроллера на месте, ... понарошку. "Z"-состояние, высокоимпедансное , итд. Вывод , как бы отключен от схемы.

внутренняя подтяжка контроллера какраз и не дает базе находиться в з состоянии, з возникало на старых процах, например на 8085 там да надо было ставить подтяжку на базу, но в задаче меня удивили и номиналы резистров, достаточно простого на вход контроллера 1.1ком и 5.1 - 10ком подтяжки на землю, но это когда ключь висит и неизвестно что за нагрузка на него будет вешаться
про быстродействие переключения, согласен с galjoen, лучшее решение на диодах, хотя сколько разработчиков столько и решений

Из известных мне современных контроллеров в состоянии сброса подтяжка включена только у AT91SAM7. У всех остальных подтяжка включается программно, т.е. от момента подачи питания и до собственно инициализации подтяжки в программе выводы "болтаются в воздухе". То же самое происходит и при срабатывании супервизора.

У многих LPC, в частности у LPC213x (214x) порт 1 всегда подтянут к Vcc и подтяжка не отключается никак.

Первый раз слышу про номинал базового резистора - "достаточно...". Про расчет и h21 в курсе?

Сообщение отредактировал VDG - Mar 27 2008, 17:26