Второй ТА - это тоже ТТ? Избыточно, на мой взгляд. Кстати, надеюсь, Вы используете для выпрямления не 3 обычных моста, а трёхфазный мост Ларионова. Это логичнее.

Т. е. Вы говорите о том, что ТТ нагружен на токоизмерительное сопротивление все время?
Да и насчет КПД поспорить можно... Смотря какой к-т трансформации.

Нет использую обычные, посеольку так удобно разводить.

Да, я так предполагал. Оказывается, для измерений используется совсем другой набор ТТ. Сэ ля ви, как говорится. О КПД давайте поспорим, если хотите. Коэффициент трансформации приводился. Что-то не вижу, как от него зависит КПД собственно стабилизатора.

ТТ - это всё тот же трансформатор, что общеизвестно, разница с ТН только в том, что вольт-секунды определяются не первичной, а вторичной стороной. А что означает "ТТ не любит ХХ"? То, что напряжение на вторичной обмотке зависит от нагрузки и при отсутствии оной оно теоретицки ничем не ограничено? Дык для этого можно поставить ограничитель. Вот с параллельным ключом таки не понял - ток через потечёт мимо нагрузки, т.е. всё равно будет рассеиваться в виде тепла?


Мы тут советы советуем, а Вам, я так понимаю, надо девайс запускать в работу. Напайте побольше медных пластинок на полигоны, чтоб увеличить эффективную площадь радиатора - может этого и хватит.

Поставьте нагрузочный резистор для силового транзистора, тогда уменьшите его перегрев и распределите выделяемую энергию между транзюком и резистором, это если просто. Если грамотно подобрать режим работы стабилизатора, то и потери на транзисторе можно снизить.

Сообщение отредактировал vlvl@ukr.net - Apr 18 2008, 07:19

Вот именно.

Да не поможет это ничем. 4Вт тепла для транзистора без радиатора, без обдува, на плате, с обоих сторон залитой бакелитом, - это очень много. Там хоть вся платка будет медной, ручаюсь, что в таком режиме устройство не проработает и часа. Часть тепла на полигоны перейдёт, но от них тоже отвести его нужно. Бакелит этого не позволит. Можно даже посчитать, как быстро транзистор накроется. По этой же причине до лампочки всякие напайки, увеличение толщины олова и пр. Нужно увеличивать эффективную площадь рассеивания тепла и теплопередачу, а не объём металла, который всё равно теплоизолирован. Он лишь оттянет конец на несколько десятков секунд максимум.
Да и к чему все эти "припарки ", чтобы утилизировать бесполезную энергию?

Я предлагаю не объём увеличить, а площадь, т.е. напаять медяшки перпендикулярно полигону, т.е. сделать его "ребристым". 4 Вт - это не так уж много, если допустить нагрев кристалла до 100 гр., при тем-ре о.с. +50 получается тепловое сопротивление 12,5 гр.Ц/Вт. По размеру это - радиатор-клипса для корпуса TO220. Кстати, может автору чего-нить такое использовать?

Дык, а толку?! Если эти рёбрышки будут под слоем бакелита, о каких 12,5 можно говорить? А наружу, как я понимаю, автор ничего выносить не может.

В принципе вынести радиатор могу, но это самый последний вариант, если ничего больше не выйдет. Заказчику очень хотелось бы избежать радиатора.

А в воздухе увеличение "ребристости" радиатора даст эффект?
Количество тепла, передаваемое через радиатор в окружающую среду, примерно пропорционально его площади, хоть он в бакелите, хоть в воздухе. 12,5 я привёл как пример, что всё не так ужасно, как может показаться на первый взгляд. Конечно, пластины радиатора надо выдвигать как можно ближе к стенкам корпуса.

И обратнопропорционально тепловому сопротивлению радиатор-среда, которое бакелит увеличит неслабо, отделив окружающую среду от радиатора.

Вот-вот, ещё ужаснее. Хотите- поставьте эксперимент.

Если чисто умозрительно прикинуть мощность которая будет выделяться на транзисторе работающем в линейном и ключевом режиме то ключевой предпочтительней. Тепло будет, но существенно меньше - сравните падение напряжения на открытом транзисторе с необходимыми +5В

Почему ужаснее? Тут в #6 привели данные - у бакелита теплопроводность на порядок выше, чем у воздуха.


Я умозрительно не умею (для этого надо иметь очень мощный моск). Я вот карандашиком на бумажке вывел формулу для варианта, когда нагрузка подключается последовательно с ключом:
Vo=D*Iin*Ro, где Vo и Ro - выходное напряжение и сопротивление нагрузки, Iin - входной ток, D - коэффициент заполнения импульсов.
Из каковой формулы следует принципиальная возможность поддержания постоянного выходного напряжения путём изменения коэффициента заполнения. Ну и мощность потерь в ключе можно посчитать: (Vo/Ro)*Iin*Rdson.

И куда ток от ТТ потечёт в момент закрывания транзистора в вашем случае? Через ограничитель? Какая на нем мощность будет выделяться?
На всякий случай напоминаю - если ТТ включить без нагрузки происходит КЗ вторичной обмотки