Дифференциальные пары с нагрузкой 100 Ом, текстолит FR-4 1,5 мм. Вариант 1: двуслойная плата; вариант 2: 4-слойная плата. Может есть у кого-нибудь готовые значения для ширины дорожек, расстояния между проводниками пары и расстояния между парами. (Задача-то стандартная).

Насчет дифф. пар было большое обсуждение с аргументами и полезными ссылками http://forum.electronix.ru/index.php?showtopic=4403

А документ с формулами прицеплю - смотрите, считайте

Дифпара должна проходить над плейном, для обеспечения протекания обратных токов, что есть важно.

При толщине платы в 1.5 мм
-для двухслойки можно использовать 0.25/0.2/0.25 мм
-для четырехслойной платы: 0.15/0.2/0.15 мм (при толщине препрега в 0.18 мм)

Dlja tolshiny 1.5 mm GENESYS deistvitel'no daet Z=100
A vot dlja chetyrehslojki s parametrami ukazannymi Vami - tol'ko 69 Om

Вот калькулятор. Считай сам

Odno delo poschitat', a vot chto vyidet...

A experimentirovat' na 4-x sloikax - oblom vse-taki

Позвольте с Вами не согласиться.
Считаю свой расчет правильным - не раз использовал для четырехслойки. Металлизация внешних слоев 1.5OZ.

Смотрите скриншот...

Посчитал: s=0,2 h=1,5 Zdiff=100 Ом => Z0=86,55 Ом. Откуда при E=4.3 t=0,017 мм получается w=1,02 мм.
Genesis 2003 от EagleWare даёт 1,3 мм.
vin ниже предлагает 0,25 мм.
Что же на самом деле?

Попробовал несколько разных калькуляторов и формул для 4-слойки и зазора 0,2 мм. Получился разброс ширины проводника от 0,09 до 0,23 мм. Наверное, истина где-то посередине, примерно в районе 0,15 мм, как считает vin. Интересно, кто-нибудь измерял реальные значения импеданса на изготовленных платах?

Еще одна СВЧ считалка от AGILENT - лростая и удобная называется AppCAD 3.0.2 Величина 14,1 Мб, Free. Англ. яз.
Вводишь исходные данные и получаешь желаемый параметр.

http://www.home.agilent.com/cgi-bin/pub/ag...E=External+File

Удачи!

Genesis при синтезе фиксирует параметр coupling очевидно. Но при подстановке параметров для двухслойки от vin - получается 106 Ом.

А вот для 4-х - нет, да и в общем понятно - толщина диэлектрика меньше на порядок

Надо еще помозговать...

Попробуйте также воспользоваться Si8000, тоже детище Polaris Instruments (как и CITS25), но более навороченный, на все параметры можно задать технологические допуски и получить реальный разброс значений, а также расчитать какой-либо из параметров, задавая все остальные
А еще он должен взаимодействовать с SB200, конструктором стека слоев, жаль не удалось испробовать, лекарство не действует чегой-то... Если у кого есть поделитесь пожалуйста...

Поигрался в GENESYS с параметрами - не получается для 4-х слойки с 0.18 мм разумных значений для ширины дорожки и междорожечного расстояния. Да оно в общем и понятно с физической точки зрения - связь между дорожками должна, в принципе, уменьшать волновое сопротивление. Поэтому волновое сопротивление отдельно взятого полоска должно быть больше требуемого.

На счет диэлектрика FR4:
В литературе, как и вжизни, встречается довольно широкий разброс по значениям диэлектрической проницаемости Er.
Я встречал от 3.9 до 4.5.
Использую 3.9 - результат получается более консервативным.

И на счет допусков на импеданс.
Никто из производителей не может выдержать номинальное значение при изготовлении, и это понятно (как и размер без допуска - не размер).
Обычно береться допуск в пределах 10%,
т.е. 100 OHM +/- 10%.

Кто-нибудь пользуется RAPIDESIGNER-ом? Я попробовал сделать заказ у National Semiconductor. Не знаю, когда пришлют.