Не, там чуть посложнее. Как раз веселье, по идее, начинается при попытке запараллелить модули. И получается, ИМХО, что все равно они неодновременно открываются, появляется достаточно добротные контура с участием, как Вы сказали,выходной емкости, но недооткрытого транзистора. И после того, как генерация началась, колебательный процесс получает еще и подпитку путем воздействия на затвор через пресловутый емкостной делитель (Cres/Cies).


Я когда эту статейку впервые увидел, она мне жутко не понравилась. Шаманство, знаете ли... А теперь - повзрослел, поумнел и даже внимательно прочитал.

Да нет же - работают не параллельно, управление разнесено во времени.
Тут действительно с RC цепью шаманить нужно. Возможно и транс на выходе своих проблем подкидывает.

Вот SAVC дельные мысли подкидывает, буду думать в этом направлении.

Угу. Если ещё сюда добавить неравномерность открывания самого кристалла IGBT, совсем страшно становится.
Насколько я понял, здесь другая ситуация: транзисторы хоть и запараллелены, но управление ими разнесено по времени для увеличения частоты. В каждом такте работает только один транзистор. Поэтому пока можно свободно изучать один полумост, благо и там помехи возникают


А статья довольно сырая.
Про управление транзисторами в начале не всё сказано.
Какие ферриты использовались, не сказано.
Прочитав статью, вовсе нет однозначного вывода о том, что применение ферритовых бусин - самое оптимальное решение. Не доказано. Это личное мнение автора.
Рис. 2 - ни о чём. Где там затворный ризистор с ферритовой бусиной???
Скучно...


Я умираю...
Это ещё и не оригинал. Это урезанная перепечатка заметки по применению. Фигеть.
Журнальные статьи фтопку. Весь журнал туда же. Зря только хорошую бумагу переводят, балин.
И так леса уже не осталось...
А эта заметка опирается на макулатуру 83-85х годов. Вот её ещё имеет смысл почитать.
И добраться наконец до первоисточника
Раньше, всё-таки, осторожнее бумагу переводили

Тут есть небольшие сложности с работой без нагрузки, поэтому выкладываю картинки выходного напряжения в штатном режиме работы.

Первые две без RC цепи на выходе инвертора.
Третья с цепью RC 5R + 3.3nF.
Сопротивления безиндуктивные.

Чесно говоря трудно сделать какой-то вывод.
Одно понятно dV/dt не менее 8V/ns.
SAVC, как думаешь - надо тормозить как-то?

Если я правильно понял, картинки - это осциллограммы в диагонали моста.
На второй картинке хорошо видно колебания на фронте импульса.
Это колебания внутри контуров полумост+фильтр, сложенные на нагрузке.
Причём, на третьей они тоже есть(!), хотя на полочке уже с гораздо большим периодом.
Где стоит RC-цепь? В диагонали моста?
Если так, то нужно поставить на нижний ключ в каждом полумосте.
Насколько я понял, значение 3.3nF отталкивается от выходной ёмкость IGBT.
Неплохо для начала, но нужно учесть, что эффективная ёмкость значительно меньше.
К сожалению, в DS об этом ничего не нашёл.
Прикинул, для 300pF эффективной ёмкости, а это 150pF для двух последовательно включенных IGBT, и периоде 50ns, индуктивность монтажа получается около 420nHn.
Может у вас быть такая индуктивность?


Скорость в полумосте будет в два раза меньше. Около 4,6V/ns по первой картинке.
Нужно попробовать притормозить: поставить затворный резистор на заряд такой, чтобы уменьшить скорость раза в три.
Хорошо бы смоделировать ситуацию и посмотреть, что там со сквозными токами.
Имею ввиду, что присходит на затворе закрытого транзистора при открывании оппозитного.
На нижнем транзисторе это можно глянуть осциллографом.
Вопрос: какая нагрузка инвертора?
И что за проблема при работе без нагрузки?
Есть ли модель этих транзисторов?

SAVC, спасибо отпишусь потом.
Нашёл хороший материал по ЭМС.
http://articles.security-bridge.com/articles/16/11887/print/
http://articles.security-bridge.com/articles/16/11891/print/

К вопросу о бусинах.
Интересно было бы проверить в плане самого оптимального решения.
Что будет эффективнее: работа с бусиной или вот такая схема:


Здесь в архиве более качественная картинка
 2xMOSFET_DRV_IDEA.zip ( 95.32 килобайт ) Кол-во скачиваний: 99

Это только идея, эскиз.
Сделать два драйвера, по драйверу на каждый транзистор, и перенести бусину в цепь питания драйверов.
Теперь они питаются через П-фильтр, что развязывает затворы по ВЧ так же, как и бусина.
В то же время, затворы управляются от низкоимпедансного источника.
В частности, это даёт большую помехозащищённость.
Теперь затвор надёжно "прижат" к питанию и не будет ловит ВЧ помеху.

Кстати, сюда так и просится идея работы на линию передачи
Скорости тут ого-го какие..

2 Omen_13:
Не всегда работа запараллелленных транзисторов от одного драйвера - самое лучшее решение.

На сайте www.ixys.com есть инфа по управлению MOSFET и IGBT. У меня есть книга на английском. Думаю, что в электронном виде там должна быть. Пошукайте там. Название книги не помню, но страниц на 200:) поищите. Может чего и нароете.