реклама на сайте
подробности

 
 
> Аналоговый ключ в для модуляции работы фотодиода, Выбор
TERnn
сообщение Jun 15 2008, 14:45
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 3
Регистрация: 29-04-06
Пользователь №: 16 604



Разрабатывается схема для предотвращения чрезмерного нагрева оптического волокна в лазере. Для чего обрабатывается сигнал с фотоприменика улавливающего ИК излучение в нагретом оптоволокне.

[img=http://img65.imageshack.us/img65/3678/sheme2lc2.th.gif]

В статике, без рабочего излучения отлично работала схема (фотодиод германиевый - вроде ФД5Г)


Рабочее излучение модулируется меандром с частотой 1кГц. при рабочем импульсе схема фотоприменика переходит в насыщение, никакие оптфильтры не спасают, а при паузе происходит медленное рассасывание зарядов на фотодиоде. Чтобы это происходило побыстрее думется организовать замыкание выводов фотодиода при импульсе рабочего излучения.
Пробовалось сделать так (на gate транзисторов сигнал модуляции):
MOSFET - IRLML2502



Но желаемого результата так и не добились, операционник уходил в насыщение.

Жду предложений
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th July 2025 - 01:44
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01359 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016