Сразу назову себя новичком, так что не сильно издевайтесь . Встала задача в полосе частотах 800-960 МГц спроектировать импульсный УМ с 1.5мВт до 100Вт. Проектировать, конечно, сразу решили на полевиках. Как видите усиление достаточно большое. Хотелось бы с Вами(как с опытными) посоветоваться по поводу этой задачи: подскажите литературу, наиболее подходящее ПО. Может быть дадите какие-нибудь советы, на какие "подводные камни" можно наткнутся в процессе решения. Заранее огромное спасибо

1.По поводу ПО, вам подойдет AWR Місrowave Office или Ansoft Designer.
2. Читайте апноуты производителя,очень помогает.
3. Особое внимание обратите на последовательность подачи напряжений.Сначала минус только потом плюс.Минус на затворе выключается в последнюю очередь.Будте с этим особо осторожны, мощные транзисторы весьма дорого стоят .
4.Конструктивно стройте усилитель при помощи отсеков.Избегайте усиления в незапредельном отсеке больше 20-25дб.Особое внимание обратите на развязки по питанию.По конструированию подсобит например справочник Вольман. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств.

С английским небольшие проблемы, но буду разбираться. Я хотел спросить ещё: не будет ли проблемно такую полосу обеспечить на 4 или пяти каскадах усиления? Спасибо.

Вообще-то на этих частотах очень хорошо использовать LDMOSFET транзисторы, и 50 дБ усиления вполне можно получить на 4 каскадах с запасом. Полоса, кстати, не такая уж широкая, тем более для таких транзисторов. Немножно странно, что вам надо в этом диапазоне импульсные усилители, это вообще-то коммуникационный диапазон частот. Посмотрите у Моторолы (в смысле Freescale) транзисторы на разные мощности, наверное там есть на эту тему и application notes.
www.freescale.com/files/abstract/online_resources/RFDESIGNWP.pdf

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 8 2008, 20:48

На импортной эл. базе проблем бы особых не возникло. Там к применению разрешены всего несколько вражеских транзисторов, а именно 2, которые вместе дадут усиление децибелл 30-35. Остальные каскады придётся на отечественных делать. А у наших ведь усиление "копеечное".

Сообщение отредактировал Sokrat - Jul 9 2008, 14:00

А вы собираетесь это использовать в изделиях военного предназначения? Вообще-то LDMOS транзисторы - это не HEMT приборы, хотя и те можно приобретать, если указать, что не для военного использования, они во многих местах делаются, по-моему и Ericsson, и Philips, и Infineon их производят. Например, есть такая небольшая фирма Polyfet http://www.polyfet.com, там можно приобрести и мощный транзистор как LB401, так и модуль-driver для раскачки MHCV01, их это точно обрадует.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 9 2008, 19:20

Вы прямо в точку с производством . Поэтому отечественные и пятой приёмки. А опыта очень мало , поэтому и обращаюсь за помощью.

То есть вы хотите сказать, что это мы сами себя ограничиваем в применении импортных деталей в военных делах. А что же делать, к примеру, в сантиметровом диапазоне, если у нас там вообще ничего нет твердотельного, как мы собираемся что-то там создавать, да еще и нового поколения? С другой стороны, почему бы не купить у немцев пластины с кристаллами транзисторов, на каждой из них не менее тыщи, если у самих нет? Тем более, что всем понятно будет, что для телекоммуникационных целей, это же обычный wireless диапазон. Вот, например, я уже упоминал тут Infineon, у них все это вот тут есть Infineon LDMOS. Ну а если что-то более-менее приличное все-таки есть, возможно в Воронеже все-таки что-то делается, то тогда просто сообщите конкретно, что имеется, и я вам постараюсь помочь.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 9 2008, 22:30

"Пульсар" выпускает транзисторы см-диапазона. Но там у транзисторов такие характеристики "бедовые". Как вам, например, нравиться усиление всего в 2-3 дБ на мощность до 3 Вт. Конечно, это смешно в сравнении с буржуйскими. Я только один наш транзистор нашёл, который более менее приближается к импортным. 2Т905А. Уже рассчитал входной каскад на разрешённом транзисторе (файл приложил). Дальше пока не знаю что и делать. Ну а на счёт ограничиваем мы себя или нет, то это за нас повыше решают , так что мы бессильны. У меня тут вопросик появился. Кто-нибудь знает, возможно ли по параметрам и характеристикам, которые приводятся на отечественные транзисторы, пересчитать S-параметры для моделирования в том же AWR?

Ситуацию с Пульсаром я немного знаю: что там, что во Фрязино уже давно ничего путного не выпускают. А на 3-х сантиметровый диапазон у китайцев собираются или уже покупают. Но я имел ввиду мощные МДП-транзисторы типа 2П907 и выше, у которых fТ = 1 ГГц, но это было еще 20-25 лет назад. Также как в Воронеже выпускали мощные биполярные типа 2Т9125 и выше для дециметрового диапазона. А 2Т905А - это уже какой-то доисторический транзистор, к сожалению у меня нет под рукой наших каталогов. Для вас нужно fT порядка 4-5 ГГц, каковым характеризуются транзисторы Polyfet. У Infineon оно порядка 7-8 ГГц, что позволяет создавать мощные усилители на 2 ГГц для базовых станций сотовой связи. А привязанный файл содержит информацию про малошумящий транзистор, он в этом мощном деле ничем не может поспособствовать. Что касается S-параметров, то у нас они не приводятся, надо мерять, а у зарубежных транзисторов даются только малосигнальные S-параметры, что тоже мало что дает для расчета мощных нелинейных усилителей. Как-то немного информации, честно говоря даже не знаю, что и посоветовать при всех этих ограничениях. А какие все-таки мощные зарубежные транзисторы можно использовать?

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 10 2008, 16:18

Ну вот, например этот, как раз (я думаю) для выходного каскада годится. Его можно использовать (файл приложил). Так NE3210 (который раньше выложил) может усилить с 1,5мВт до 0,16 Вт. Я думаю как раз для раскачки какого-нибудь транзистора отечественного сгодится (если я не прав поправте пожалуйста). А дальше будет каскад как раз на SD56160. Такой расклад может иметь место?

Сообщение отредактировал Sokrat - Jul 10 2008, 17:22

Ну это совсем другое дело, там даже практическая реализация имеется. А чем вам милее итальянцы STMicro (наш друг Берлускони?) по сравнению с немцами Infineon? Кстати, тогда уж надо быть последовательными и использовать для предварительных транзисторов серию PD STMicro_LDMOS . И никаких проблем. Да, я тут увидел, что статус этого транзистора SD56150 - obsolete, то есть он снят с производства. А этот малошумящий СВЧ транзистор едва ли годится, для него это слишком низкая частота, могут быть проблемы со стабильностью при очень большом коэффициенте усиления. К тому же, у него максимальная мощность рассеяния всего 165 мВт при нормальной температуре, то есть при не очень высоких КПД предварительного каскада порядка 30%, максимальная мощность может быть не более 50 мВт, тем более, что при повышенныых температурах мощность рассеяния линейно падает.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 10 2008, 18:36

Вот так обрадовали вы меня . Теперь совсем беда, т.е. есть только один каскад - оконечный на SD. Тут какая штука, нужно использовать или отечественную базу, или, подчеркну, определённые марки транзисторов, которые разрешены (их список, кстати, очень маленький, приложу завтра, т.к. он на работе). Очень благодарен вам за то, что пытаетесь помочь.
P.S. Кстати, кто знает, может именно из-за того, что он снят с производства "там", их разрешили применять "здесь"

Сообщение отредактировал Sokrat - Jul 10 2008, 18:56

К сожалению, у меня все справочники в Москве, да и те старые, так что пришлось немного напрячь память. Так вот, на мощности до 0.5 Вт хорошо пойдут полукорпусные транзисторы типа 2Т640А или 2Т643A (у них наверняка есть какое-то продолжение). Несколько ватт вполне обеспечит пульсаровский 2Т939A http://www.exiton.biz/node/90. Ну а далее используем транзистор "с помойки" SD56150 (а много ли там их осталось?): предоконечный каскад на его половинке, а оконечный - полный согласно схеме. В Воронеже тоже кое-что есть, но действительно с небольшим коэффициентом усиления http://qrx.narod.ru/spravka/mt_pss.htm.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 10 2008, 21:23

Спасибо за ссылочки. Очень помогли. Вот что значит опыт. Вот список. Я тут первый каскад в office смоделировал. Вот такие графики получились. Как видите коэффициент стабильности на NE3210 вполне удовлетворительный. Моделиравал используя S-параметры из data-sheet. Жду вашей оценки. Спасибо.
Список не прикрепился. Ну и ладно, там ничего интересного нет.

Сообщение отредактировал Sokrat - Jul 14 2008, 14:31