|
|
  |
Защита MSP430 от обратной полярности |
|
|
|
Jul 22 2008, 10:13
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 319
Регистрация: 3-09-05
Из: Беларусь, Новополоцк
Пользователь №: 8 188

|
Цитата(Sinoptic555 @ Jul 22 2008, 10:47)  Я поставил диод, BAS40 перед LP2981, но напряжение упало с 4.3 до 2.8В. .... может диод не тот поставил Не знаю, что за диод (не смотрел), но явно не тот  . На "обыкновенном" диоде при прямом включении падении напряжение составит 0,6-0,7 В (в среднем). Итого: 4,3-0,7 = 3,6 В. ЗЫ: если у Вас прибор жрет много, и через диод текут много мА, тогда будет больше 0,7 В. Может в этом дело. ЗЗЫ: 2.8В. MSP430 будет работать и при меньшем напряжении (если flash не шить). Возьмите LDO стабилизатор и все - счастье.
|
|
|
|
|
Jul 22 2008, 10:46
|
Частый гость
 
Группа: Новичок
Сообщений: 91
Регистрация: 22-08-06
Пользователь №: 19 737

|
Цитата(Flasher @ Jul 22 2008, 14:00)  поставь полевик последовательно без технологического диода. Затвор соедени с другим проводом питания. Если питание будет в нужной полярности, тогда полевик откроется и пропустит на стабилизатор. Сопротивление открытого канала тебе особо не помешает при низком потреблении. Спасибо. Если есть опыт, подскажите какой полевой транзистор лучше использовать. Цитата На "обыкновенном" диоде при прямом включении падении напряжение составит 0,6-0,7 В (в среднем). Да вроде обычный диод, подскажите что использовали? (SMD версию)
Сообщение отредактировал Sinoptic555 - Jul 22 2008, 10:49
|
|
|
|
|
Jul 22 2008, 14:44
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 10 920
Регистрация: 5-04-05
Пользователь №: 3 882

|
Цитата(Sinoptic555 @ Jul 22 2008, 16:46)  Если есть опыт, подскажите какой полевой транзистор лучше использовать. Нужен JFET, причем внимательно нужно смотреть на его ВАХ, чтобы при переполюсовке он был надежно закрыт. Если же JFET искать ленно, то возмите пару (или сдвоенный) N-channel MOSFET Logic Level (с управлением от логического уровня) и сделайте на них симметричный ключ. Правда включать этот ключ нужно будет в цепь минуса, а не плюса. Но раз прибор с батарейным питанием, то для защиты от переполюсовки батареи вполне подойдет. На симметричном ключе будет падать меньшее напряжение, чем на диоде (даже Шоттки), т.к. сопротивление открытого канала MOSFET весьма низкое. Update. Вот нарисовал схемку и промоделировал на маломощных MOSFET 2N7002 (Rds(ON)≤7.5Ohm). При токе около 50мА падение на симметричном ключе меньше 0,3В. А если взять MOSFET с более низким сопротивлением канала, то падение будет еще меньше.
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|