Appnote AVR101 "High endurance EEPROM storage"

Вот как я представляю себе это Прошу критиковать. (применение FRAM, батареек - простите, это другая песня, речь идёт именно об использовании родного ППЗУ в кристалле).

В EEPROM выделяем буфер N слов. Слово 4 байта ( 3 байта число минут, хватит на 32 года, 1 байт CRC). При прошивке расписываем буфер нулями с правильным CRC.

При включении прибора ищем ближайшее слово с правильным CRC. (адрес P) Его значение переписывааем в RAM, там наращиваем каждую минуту. Дальше ищем от P+1 до P-2 по кольцу слово с правильным нулём (в смысле CRC), адрес Q. Если нет - пишем нуль+CRC в P+1 .. P-2 пока получится.

Во время работы каждую минуту записываем значение времени в Q с проверкой. Не получилось - ищем/организуем следующее слово для записи, как описано выше.

Что получается. Буфер содержит "хвост" из счётчиков последних включений с правильным CRC. По жизни EEPROM исчерпывает ресурс, и тогда получается неверный CRC. Вся эта байда работает, пока не испортятся все слова буфера, кроме одного. Тогда в нём содержится счётчик наработки на момент исчерпания ресурса. Точность 1 минута, потери возникают при включении меньше, чем на минуту и при каждом выключении. То есть прибор при нормальной работе включается на десятки минут.
Чтобы не писать каждую минуту и избежать потерь при выключении, можно организовать контроль питания и буферный кондёр такой, чтобы хватило на запись. Но это уже третья песня

Что хочется узнать. Как портятся ячейки EEPROM - становятся FF, 00 или ещё как-то? Для проверки правильности записи - CRC или ещё что-то?

Сообщение отредактировал Maik-vs - Jul 16 2008, 07:44

Это менее надежно. Тем более, что это должны быть не переменные, а структуры со своим CRC.

А вы пробовали?
Кстати, народ, обратите сразу внимание на несколько неудобную реализацию reset у этих чипов.

Поскольку изначально предлагалось писать в 24С02, то вопрос использования внутреннего EEPROMа не поднимался. Для использования EEPROM я применял лет пять назад следующий алгоритм: 3 зоны памяти - 2 байта, 256 байтов и 4х256. В первой зоне - два старших байта (3 и 2) сохраняемого числа. Они пишутся с разрядкой 1/65536 относительно частоты записи. Во втором блоке - средний байт (1), причем адрес внутри блока определяется байтом (2). Младший байт пишется в массив 1024(4х256) по адресу, определяемому байтом (1) и младшими разрядами байта (2). Запись в каждую зону - строго по изменению соответствующего байта. Таким образом, живучесть каждой записи определяется живучестью записи самого младшего байта - 600 000 Х 1024, что дает порядка 20 лет неперывной записи с периодом в 1 секунду... Естественно, применялась 24С16 - 2К байтов. Свободные ячейки пошли на служебные параметры процессора... Правда, такой вариант применим только при наличии внешней EEPROM, поскольку надежность записи напрямую зависит от объема памяти. Еще одна проблема внутреннего EEPROMа - запись в одну ячейку за раз, в то время, как 24 серия имеет буфер на 8-16-32 байта одновременной записи.

Для Вашей задачи есть готовое устройство
http://www.fractal.com.ru/index.php?p=devi...p;ssp=IND1-2.7x

Уже готова разводка под FM25C160 (FRAM).
Планирую записывать время наработки 1 раз в секунду, используя 2 ячейки (запись в каждую ячейку через раз), то есть в случае отключения питания в процессе записи счетчик потеряет не более 1 секунды.

Для FRAM'а существенно напряжение питания: 4.5 ..5.5 В. Если питание будет ниже 4.5 В во время обращения к чипу (все равно - по записи или чтению), вы рискуете потерять не только данные в ячейке обращения, но и во всех связанных с ней ячейках строки регенерации - конкретно для FM25C160 - 4 байта в 4-х разных банках. Поэтому производитель настоятельно рекомендует (page 3) контролировать питание и принимать меры, чтобы хотя бы сигнал CS был "1" при пониженном напряжении. В своих схемах я перед обращением к FRAM'у проверяю уровень "сырого" питания (до стабилизатора), выбранный так, чтобы времени разряда конденсатора фильтра до минимального входного напряжения стабилизатора хватило на операцию записи/чтения. При этом важные данные хранятся блоками с CRC. Кстати, не стоит полагаться на внутренние подтягивающие резисторы выводов процессоров - обязательно подтягивайте CS резистором 10..100 КОм к плюсу питания.

Если нужно писать более одного байта то лучше использовать FLASH.. Тем более что она и пишется быстрей (4.5мС против 8-9мС у EEPROM)

Послушайте уважаемый. Вы темы читаете полностью, или только заголовки? Интересно, на сколько тем вы еще ответите за сегодня.

Человек спросил, я ему дал совет из своего опыта....Хотел помочь