Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз. Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем. Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?
Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз. Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем. Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?
Это обозначает последовательный доступ Т.е. после записи пяти байт адреса после некоторой задержки в буффер строки перегружается целая строка данных (напр. в 1Gb флешке размер строки 2048 байт + 64 байта дополнительной области) и далее по каждому фронту тактового импульса выдаётся по одному байту данных пока небудет выдана вся строка. Если Вы вдруг считаете не 2112 (2048+64) байт а например 2113 то чтение начнётся с начала строки. При записи всё аналогично только нет задержки после записи адреса (сразу-же после записи адреса можно записывать данные в регистр строки). Надеюсь понятно объяснил Читайте документацию там всё подробно расписано (по крайней мере у samsung)
Куда уж понятнее!!! Спасибо 'mempfis_! Жаль тока что теперь я понял: мне энта память не подойдет
Если Вы огласите задачу то возможно Вам помогут с выбором памяти. Дело в том что почти вся память большого объёма основана на постраничной записи/считывании (кроме NOR-flash). Если Вам нужен побайтный доступ то нужно использовать NOR-flash (но скорость считывания больших объёмов данных будет низкой)
Если Вам нужен побайтный доступ то нужно использовать NOR-flash (но скорость считывания больших объёмов данных будет низкой)
Я вот нашел пару чипов. 1-я подходят поскорости но маловат обьём! 2-я по обьему что надо, но медленная сволошь. 1: S29PL127J 128Megabit 55-70нс 2: S29GL01GP 1 Gigabit 110нс Може знает кто 3-х вольтовую мс хотябы на 512Megabit с 60нс доступом желательно в TSOPе?
P.S. А еще я ищу SRAM на 16Megabit или более <=10нс тоже 3v и в TSOPe.
Сообщение отредактировал zombi - Sep 16 2008, 11:33
Вопросик про NAND
Sep 15 2008, 16:42
Т.е. после записи пяти байт адреса после некоторой задержки в буффер строки перегружается целая строка данных (напр. в 1Gb флешке размер строки 2048 байт + 64 байта дополнительной области) и далее по каждому фронту тактового импульса выдаётся по одному байту данных пока небудет выдана вся строка. Если Вы вдруг считаете не 2112 (2048+64) байт а например 2113 то чтение начнётся с начала строки. При записи всё аналогично только нет задержки после записи адреса (сразу-же после записи адреса можно записывать данные в регистр строки). Надеюсь понятно объяснил 
