А в современных - много хитростей с напряжением подложки, чтобы не сильно менялось сопротивление канала при изменении напряжения коммутируемого сигнала.

Максим, это ,Вам ничего не напоминает? у меня устойчивое состояние дежавю.

Никто не мешает изготовителю встроить кучу всего в кристалл, который позиционируется как 4 ключа. В т.ч. и преобразователи в минуса и кучу следилок.
Мало кто помнит, что в 24ц64 какой-нибудь есть встроенный генератор Vpp.




Эх. РесурсоманИя

А мне объясните, о чем речь? Мне тоже интересно

Вот
и
вот.
Правда у меня нет их опыта применения.

Собственно я под силовым мосфетом подразумеваю то что изображено на рисунке 3.

И на нём как раз видно, что если не подключать область p+ Body Region к истоку, то эл. поля в канале не будет, ну или будет в какой то его части (от n+ области).
Кроме того если даже канал создастся, то при таком поле паразитный JFET в канале будет сильнее ограничивать ток, поскольку в дальней части канала поле будет слабее, этим объясняется горизонтальная область на характеристиках Id(Uds), как видите она сильно зависит от Ugs, а без подключенной к истоку p+ области, это ограничение будет намного сильнее.

Я хотел бы попросить кого-либо из модераторов отделить от этой темы обсуждение различий между силовым мосфетом и КП305 в отдельный топик, и я с удовольствием обсужу там этот вопрос.



В чем же его глобальное отличие от рисунка 1? Кстати, подпись под рисунком 1 гласит про то, что это Power MOSFET.

Если я сделаю отдельный вывод p-области с рисунка 3 и подключу его к точке, напряжение на которой меньше чем на стоке и/или истоке - что изменится?

Этим вы отсоедините анод диода от истока, однако они будут соединены через эту эдс. В итоге получится что мы избавимся от диода только если сделаем эту эдс больше чем приложенное обратное напряжение, а это для силовых приборов весьма приличная величина.

Чем отличается рисунок 1 от рисунка 3 это вопрос к технологам.
Моё мнение что отличие в том что охлаждать прибор с рисунка 3 проще, и высоковольтные версии не будут расти в ширину, а будут становиться толще, что очень важно для высоковольтных приборов на большие токи.

Ээээ... Вот "соединение через эту эдс" - это как? Да повторю вопрос, в чем же отличие от обычного полевика с выводом подложки?

Если следовать вашим словам, то это вот так:

где эдс - это тот самый потенциал ниже потенциалов стока и истока, описаный вами. Отсюда чётко видно, какие величины обратного напряжения возможны в этом варианте.

Скажу честно, обычные МДП полевики не изучал и не применял, ещё не возникало необходимости.

Почти. Есть еще один диод, он от истока к подложке. Эти диоды - они между подложкой и стоком/истоком, а подложка в мощном полевике соеденина со стоком. Но суть не в этом. Сначала Вы заявляете, что


Затем -



Нет такого "совсем другого мдп - силового мосфета". Принцип всех мдп одинаковый и топологически (в математическом смысле) они одинаковы.

В конце концов Вы заявляете -


Что, конечно, ставит под большое сомнение Ваши первые утверждения

Rst7

Если у вас есть какие то замечания к моим словам относительно теории силового мосфета, то пожалуйста высказывайте это.
А так я уже сказал что в данной структуре избавиться от диода весьма проблематично, по крайней мере без ухудшения параметров.

А мои первые утверждения лучше не ставить под сомнение, а опровергать, если есть что опровергнуть относительно трёхвыводной конструкции транзистора с вертикальным строением. Вдруг я действительно в чём то заблуждался относительно этого строения мосфета.

p.s. Вы мне так и не показали силовой мосфет без диода.

Turnaev Sergey, мне кажется, вы путаете структуры х-МОП и мосфет

В мосфете канал индуцируется полем затвор-подложка. В мощных её можно вывести наружу, только это никому не нужно, так как влечет за собой трудности, начиная от защиты d, s -подложка от обратных (весьма низких до пробоя), до использования четырёхногих корпусов

В мощных мосфетах подложка является стоком, а канал создаётся в области p под затвором. Или вы это опровергаете?

Эээ, когда мы тут говорим "подложка" в применении к mosfet, мы имеем в виду p-область между n-областями стока и истока. Эта область действительно под затвором. И именно эта область выводится 4м выводом в маломощных полевых транзисторах. И ее принято называть "подложка" вне зависимости от физической топологии транзистора.