Можно и опровергнуть, но зачем? на вам понравившейся 3. fig подложка это p-body . Вывод от него вам нужен?

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

За ЭТО, кажется, Алфёрову дали Нобельпрайс. Или за V, я уж и не помню. Давно был курсовик по ФХОМЭ

Это же полевик с индуцируемым каналом. Т.е. канал при напряжении затвора меньше порога представляет из себя p-область (мы рассматриваем n-канальные полевики, чтобы избежать путаницы). Вот когда напряжение на затворе растет, тогда, грубо говоря, канал превращается в n-область.

А вот в полевиках со встроенным каналом - канал уже и есть n-область, и при повышении напряжения на затворе он становится как-бы еще более n и проводимость увеличивается. А чтобы запереть полевик со встроенным каналом надо подать отрицательное напряжение на затвор.

Конечно, это объяснение на пальцах, но оно достаточно близко отражает суть происходящих процессов.

Не верю
Канал там даже подписан, он образуется в р области под затвором, в результате притягивания эл. полем затвора электронов. И это становится как правильно сказал Rst7 фактически n область.

Ещё кстати одна проблема с отделением р области: если мы сместим потенциал этой области ниже потенциала истока, то это будет эквивалентно подаче на затвор положительного потенциала, т.е. открытию транзистора.
Чтобы этого не происходило придётся менять потенциал затвора отностительно этой р области, что для высоковольтных транзисторов становится проблемой, поскольку может пробиться переход исток - р-область, или окисел затвор-исток.
Получается замкнутый круг. Поэтому в такой конструкции мосфета невозможно избавиться от диода.
Конечно можно придумывать и применять другие конструкции, но в этой избавиться от диода очень непросто.


Обсуждение уже до JFETов дошло.

Я пока не очень готов для подробностей

Но у меня есть замечательная книга и эта тема меня натолкнула на мысль её вдумчиво перечитать. Начиная с Чохральского..



Спасибо Вам, Rst7, за пробуждённый интерес Вы- Моск!

П.С. За курсовик про топологию из 4-х 213 диодов c эпитаксиями, ионными имплантациями, топологиями и ФШ, кстати, было 4, "минусбалл" за то, что я отказал преподавателю подарить эту книгу.
Потом он уехал куда-то поблизость от silicon valley.
Буду рад, перечитав, продолжить беседу


Вы, э-эээ, не верьте всему подписанному Могут оказаться дрова


Дело в том, я давно замечаю, что и в унитродовских семинарах встречаются объяснения, э--ээ, далёкие от реальности-через-меазуремент&пощупинг

Эти семинары - публикации мнений отдельных неленивых индивидуумов, типа нас тут с вами

Такшта. Мнение личное надо выпестовывать, базируясь на разных источниках



Пацтул свалился от этой формулировки, Коллега

В данном случае я не только сказал где там канал, но и объяснил как он получается, а вы выдвинули своё замечание без всяких доказательств.

А что смешного? То что транзистор откроется?

Окститесь. Где Вы увидели упоминание JFET? Всего есть 4 типа мосфетов -
1. индуцированный n-канал
2. встроенный n-канал
3. индуцированный p-канал
4. встроенный p-канал

Никогда не видел 4го типа, где-то читал, что вроде там с технологией не получается. А может путаю, врать не буду.

Типы 1-3 существуют и здравствуют. Все они - с изолированным затвором. Если Вы не знаете о том, что есть мосфеты, которые при напряжении Ugs=0 открыты, то это не значит, что их нет



Да можно вывести вывод подложки. Не нужно это в тех областях, в которых используются мощные мосфеты. Посему просто соединяют внутри.

А вот в маломощных этот вывод часто выведен наружу и используется во всяких хитрых схемах типа ключей.

Но в любом случае это все один и тот же тип - MOSFET.

Согласен, не знаю.

Вообщем считаю спор оконченым, за отсутствием предмета спора.
То что по строению можно много чего напридумывать это всем понятно, а по одной конкретной топологии я своё мнение уже высказал.

Это жунктион фет . т.е. с индуцированным каналом, x-МОП в русскоязычии. Есть обедненные и обогащенные. У последних проводимость канала отлична от 0 при Vgs=0

П.С. МОП это структура - Металл-Окисел-Полупроводник.
МДП - та же херь для юзера по сути, только технология другая. Металл-Диэлектрик-Полупроводник.

Дык вот. Аббревиатура FET - филд эффект транзистор (полевой транзистор)
MOS - металл-оксид-субстрате. Ор демисезонный кондуктор

Видите, даже не заглядывая в книги и гуголи, вспомнил



+1, я бы назвал это "класс"



Хотел было откомментить... но я сегодня добрый
Сергей, позвольте дружеский совет.
Возьмите, наконец, какой-нибудь настоящий Букварь (а не пятистраничную публикацию по типу комиксов) и... покурите его, што ль,

Возвращаясь к стартовому топику...
Если амплитуда аналогового сигнала не большая, можно попробовать "подложить" под нее постоянную составляющую, величиной чуть больше амплитуды. А после ключа просто отсечь ее емкостью. Высокую линейность не гарантирую, хотя - в этом мире все довольно относительно.
Для конкретных советов маловато исходной инфы. Но таким способом пользуюсь уже лет 20, если не больше, и обычно проблем не возникает.

Ну вот...
Лучше горькая правда, чем красивая ложь и гордое молчание.
Я не против ваших комментариев.

И с чего вы взяли что я изучал мосфет по какой то там публикации? Это как минимум неправда. Букварей я почитал достаточно для того чтобы применять эти приборы.

Ну а про расшифровку названия, так это практически всем известно, и тайн в этом нет.