А имена есть у этих полевых транзисторов?

По косвенным данным ARF447. Время фронта (типовое) по даташиту указано в районе 5ns, в реальной жизни не более 2ns.

Знаете, готовый драйвер (даже пара) типа IXDD415 на частоту до 40 мГц, в Москве в 2 раза дешевле чем один такой транзистор , в Питере , я думаю, тоже.

Дмитрий, почти всё здесь уже написали. Немного подкорректирую только.
15 МГц получить - не проблема, тем более на 12В. СВЧ транзисторы здесь без толку - можно сделать всё и на КТ315.
Единственная проблемма - ёмкость нагрузки. Для прокачки такой ёмкости потребуются довольно мощные транзисторы в выходном каскаде. А маломощные гигагерцовые с такой задачей справиться неспособны.
Поэтому, возникает ощущение не совсем корректно поставленной задачи. Опишите, пожалуйста, что именно Вам нужно сделать, и как можно подробнее.

ЗЫ. Макс. допустимый импульсный ток может превосходить на порядки макс. допустимый постоянный ток только в специальных импульсных БТ. Для СВЧ транзисторов они отличаются, как правило, всего лишь в 1.5-3 раза, по причине быстрой деградации кристаллов при бОльших токах.

Извините, небольшой комментарий.
Я понял Вашу мысль, однако, она не совсем верна терминологически.
ВЧ ключом БТ работать может. Не может при данных условиях он работать лишь в режиме насыщения, будь он даже СВЧ.
Один из вариантов - ЭСЛ, по типу того, что предложил ув. khach, другой - с введением нелинейной ООС по типу ТТЛШ, предотвращающей насыщение. Есть и более старые варианты - ДТЛ и РТЛ с ненасыщаемыми БТ, например.
Здесь нужно прокачать ёмкость 300 пФ на 15 МГц, о чём как-то все забыли.

Несомненно.
И топология макетки должна быть соответствующая, иначе может не получиться даже то, что работать должно.

Это верно, но здесь главная засада - ёмкостный характер нагрузки. Предлагаю подождать ответа DSIoffe
Присоединяюсь к вопросам. Также нужно описать сам сигнал и характер нагрузки наиболее полно.

Во, спасибо большое. Это именно то, что я хотел узнать. А как бы можно это оценить по сочетанию параметров в datasheet конкретного транзистора?

На входе сигнал от 74ACxx с питанием от 3,3В, на выходе нужны импульсы от 8 до 12 В от земли в плюс, частотой 15 МГц, фронты не более 15 нс, задержки столько же и стабильные в индустриальном диапазоне температур (уход не больше +-5нс), нагрузка до 300 пФ. Очень важно: минимальное потребление, низкий уровень импульсных помех, простота схемы.
Я попробовал нарисовать схему с ПТ и помоделировать её. Длительность фронтов еле вписывается, и повлиять нельзя никак. Сквозные токи под полтора ампера. Если бороться с ними через резисторы в цепях истока, то недопустимо затягиваются фронты выходных импульсов. Схему прилагаю. Может, кто подскажет, что улучшить?
Пока всё-таки мне больше нравится та схема, которую я привёл в начале темы. Меняя резисторы, можно разнообразить фронты. Сквозные токи совсем маленькие. Взял её из книги М.В. Гальперина "Практическая схемотехника в промышленной автоматике" за 1987 г. В доинтернетную эпоху видел эту схему неоднократно в рукописных копиях Правда, я не очень понимаю её замысел.

Замысел прост - вверх работает повторитель Х8, вниз каскад с ОЭ Х9, повторитель в таком случае вне игры, поскольку ток идет через диод D1 и на базе отрицательное напряжение. Касательно данной схемы: выкинуть диод, а на выходе поставить комплиментарный повторитель, можно вообще без тока покоя. Транзисторы выходного повторителя будут или заперты, или в активном режиме, но никогда в насыщении, останется придумать как избавить от этой болезни входной каскад, и все. Можно взять идею из ТТЛШ логики. Вот только найти PNP быстрый транзистор с достаточным током проблема.

Поэтому я и остановился на этой схеме

Как сделаете макетку, хотелось бы увидеть осциллограммы, если не затруднит.

Попробую. Мне как раз новый осциллограф выдали, 200 МГц и связь с компьютером через USB.

Спасибо! Только все равно дороговато

При работе с СВЧ транзисторами в импульсном нанорежиме во избежание их самовозбуждения
обычно в базы ставят антизвонные резисторы 10...50 Ом - это первое.

Второе - некоторые СВЧ транзисторы боятся "статики", те их нельзя трогать руками без доп. заземляющих мер, тем более проверять их целостность тестером и тд.

Чтобы получить высокую скорость переключения обычно транзисторы используют в активном режиме,
используя схемные ухищрения (токовое зеркало, дифкаскад, схема с общей базой),
причем чем выше ток, тем больше скорость.

Или хотя бы так

Сообщение отредактировал domowoj - Dec 13 2008, 03:18

А что такое импульсный нанорежим?
И можно рабочую схему?

Видимо работа в ключевом режиме с длительностями импульсов единицы - десятки нс.