| |
|
  |
 Нужные ли резисторы на шине данных ARM7 |
|
|
|
|
 Jan 15 2009, 21:23
|
http://uschema.com
Группа: Свой
Сообщений: 708
Регистрация: 16-02-06
Из: UK(Ukrainian_Kingdom) Kharkov
Пользователь №: 14 394
|
Цитата(PCBExp @ Jan 13 2009, 08:15)  Коллеги. Сейчас делаем редизайн старого проекта на ARM7 (Samsung S34510, частота 50МГц). Устройство маленькое, места вообще нет. По совету коллег из Германии удалили из шин адреса и данных резисторы 33Ома (для экономии места). Помоделировали плату. С шиной адреса проблем нет. На шине данных, когда источник - процессор, то проблем тоже нет. Когда источник - SDRAM очень большие over и undershot-ы (см. аттач, фиолетовый - сигнал на ногах процессора). Хотелось бы понять эти выбросы помешают работе устройства или нет?
Господа. Огромная просьба, не пишите Ваши теоретические предположения не подкрепленные экспериментами. Интересует только практический опыт тех, кто реально делал железки и сталкивался с подобными задачами. слоев на плате сколько? на 2х слойной плате будет хорошо если вы 40МГц достигните. да и там резисторы не особо помогут. а вот на 4х слойной уже могут быть ньюансы, у меня без резисторов на 90-133МГц работало при 133МГц зависит от платы и типа памяти, то есть согласование шины проц-память .
--------------------
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 15 2009, 22:01
|
Частый гость
Группа: Свой
Сообщений: 80
Регистрация: 21-03-05
Пользователь №: 3 559
|
Цитата(PCBExp @ Jan 15 2009, 16:22) К сожалению есть места где поставить даже 0402 счетверенные сборки проблематично А может 0201x2 подойдут ? Размер 0.8x0.6mm. И при разводке оперировать с двойками бывает удобнее.
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 16 2009, 08:03
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 13 372
Регистрация: 27-11-04
Из: Riga, Latvia
Пользователь №: 1 244
|
Цитата(PCBExp @ Jan 16 2009, 09:11) Частота всего 50 МГц так что 133 не наш случай. Разговор опять скатился к совершенно пустому слову "частота", Вы-же, должны были уже понять, что означенные проблемы определяются исключительно длительностью фронтов которые у Вашей элементной базы заточены на работу на частотах в том числе и 133MHz. Посему 133MHz это имено Ваш случай, даже если "частота всего 1 герц". Цитата(AlexN @ Jan 15 2009, 13:35) при питании 3.3В овершут до примерно 4В. Под линуксом пускал тест памяти memtester - проблем нет. Поблемы, как здесь уже писал cioma, не исчерпываются прохождением или нет теста памяти  . Страдает и надежнось для некоторых чипов (например для Циклонов-3) явно указывают численные уменьшения времени наработки на отказ, для многих - нет, но по любому не хорошо.
--------------------
Feci, quod potui, faciant meliora potentes
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 16 2009, 11:31
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 2 702
Регистрация: 14-07-06
Пользователь №: 18 823
|
Цитата(AlexN @ Jan 15 2009, 13:35) НИГДЕ не видел, чтобы в шине данных стояли резисторы. Жаль, сейчас нет под рукой, а я раньше не разбирался внимательно - на стартките Olimex LPC2478 есть несколько резисторов, явно добавленных в уже спроектированную плату. В тему о радиолюбительстве  Цитата(khach @ Jan 16 2009, 13:33) Принимаем решение о выкидывании или невыкидывании резисторов из серии. Нелогично. Если работать будет, то выкидывать резисторы никто не будет. А вообще-то сейчас сам участвую в подобном радиолюбительском эксперименте. Обязательно доложу результаты.
--------------------
Уходя, оставьте свет...
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 16 2009, 16:59
|
http://uschema.com
Группа: Свой
Сообщений: 708
Регистрация: 16-02-06
Из: UK(Ukrainian_Kingdom) Kharkov
Пользователь №: 14 394
|
Цитата(PCBExp @ Jan 16 2009, 08:11) Слоев у нас 6. Верхний и нижний уставлен компонентами. второй - полигон земли. 3 - дифпары и другие проводники в полигоне земли. 4 -ый немного проводниов и опять полигон земли. 5-ый полигоны питаний. основной 3.3вольта в нем маленькие полигоны остальных питаний. Основная масса данных и адресов в 1 и 6 слое и благодаря расстановке VIA на этих проводниках мало. У большинства микросхем шаг 0.5 мм. То есть сборки 0402 кладутся на эти шины без всяких раздвижек-сужений. Так что если придется рвать эти сигналы то только такими. Частота всего 50 МГц так что 133 не наш случай. как уже сказали ранее - вам как раз при моделировании нужно добиться фронтов нужных, указанных в даташите на чип. по идее слоев земли должно быть 2 шт, 2й и 5й слои. то что есть питание в слоях - это хорошо, еще важен их порядок. хотя в вашем случае это может и не проявиться. Если Вы моделировали свою плату в гиперлинксе (хотя бы) с вашими чипами - и там не добились нужных фронтов - маловероятно что в реале они появятся. Это из личного опыта. .
--------------------
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 21 2009, 21:51
|
http://uschema.com
Группа: Свой
Сообщений: 708
Регистрация: 16-02-06
Из: UK(Ukrainian_Kingdom) Kharkov
Пользователь №: 14 394
|
Цитата(dch @ Jan 19 2009, 06:02) а как на шестислойке слои обычно роаскладваете ? 1 - top 2 - gnd/vccx (mix) 3 - data buses(for top) + analog buses 4 - data buses(for bottom) 5 - gnd/vccx (mix) 6 - bottom слои 3-4 некрасиво выглядят. Моделирование показало что даже когда они пересекаются, то взаимное влияние незначительное, благодаря противоположным земля/питание. В реале нужно стараться что бы дороги на них не пересекались.
--------------------
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 23 2009, 08:43
|
Участник
Группа: Новичок
Сообщений: 57
Регистрация: 7-11-06
Пользователь №: 22 054
|
Цитата(Wano @ Jan 23 2009, 10:54) Может какой-то более продвинутый способ тестирования памяти надо использовать? Я тоже заинтересовался темой. У меня на TMS320VC5509a стоит M48LC4M16A2-75G, работает на 96МГц. Резисторы 47Ом только в цепях ^RAS, ^CAS, ^WE, CLK. ТМСка постоянно работает с внешней памятью. Overshoot максимум 4,36В на A10/AP, которая без резистора, на адресах то же значение, длительность не более 3нс . На линиях с резисторами - максимум 3,76В. Использовал ещё и память K4S641632K-UC75, на ней выбросы были в среднем на 0,1-0,15В больше.
Сообщение отредактировал MikePic - Jan 23 2009, 09:33
|
|
|
|
|
|
|
|
Jan 23 2009, 10:34
|
Участник
Группа: Новичок
Сообщений: 57
Регистрация: 7-11-06
Пользователь №: 22 054
|
Извиняюсь, поспешил и представил не совсем точные результаты Измерил активным щупом на осцилле TDS3044B. На Micron-овской памяти выбросы в самом худшем случае были не более ~0,3В на обоих фронтах. На Samsung-овской в самом худшем случае - ~0,4В. Расстояние между краями памяти и TMSки порядка 1см, самая длинная линия - 43мм, плата - 4 слоя.
|
|
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|
.
