Речь про тепловые потери тут и не заводим, речь о том что падение будет состоять из U-0.6 порогового(для того чтоб открыть диод нужно закрыть конденсатор), оно не зависит от тока оно будет и на 1мА и 10А и Rfw, если рассчитывать исходя из того что Вы нашли в гугле для одного диода например, 1.2 под нагрузкой а для параллельно будет 0.9 пустячок неправда ли, т.е. оно будет приближаться к пороговому, т.е. грубо говоря рассеивает падение 0.6 на пороговом закрытом конденсаторе или акб или что там у Вас и абстрактнное Rfw открытого диода. И что вы для параллельно включенных диодов тоже будете 1.2 подставлять в P=UI.

...А тема все таже мощные диоды. Хотя нет... уточним http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=59247.

Сообщение отредактировал Dimmix - Feb 13 2009, 08:19

Чем дальше в лес, тем толще партизаны! Блин, слов нет, одни эмоции после прочтения данного топика...

Поскольку теме все равно светит в офтоп, я подолью масла в огонь:

Рискну утверждать, что если сравнить при одном и том же выпрямленном токе
Использование одного диода или двух одинаковых параллельных диодов,
то при параллельном соединении двух диодов мощность на диоде
падает более чем в два раза. Ну, если - трех - то более чем в три и т.д.

Кто- нибудь желает опровергнуть?

Зачем опровергать очевидное? Зависимость мощности от тока - квадратичная функция. Вот если бы вы утверждали, что мощность падает более, чем в четыре (для двух диодов), девять (для трех) и т.д раз, тогда имело бы смысл опровергать

А какая мощность, допустимая или рассеиваемая?

Рассеиваемая...

Ну тогда попробую доказать что для правильно выбранного диода Ваше утверждение неверно.
Под правильно выбранным я понимаю отсутствие излишних запасов по току и мощности, т.е. оптимальным по цене.
Возьмем для числового расчёта, например, RS3A
с максимальным током 3А и прямым напряжением 1.3В на 2.5А.
Т. е. сопротивление базы у него 0.2 Ома и смещение "идеального" диода примем 0.8В для 25°C (лень считать точно, да и параметров не знаю).
Выберем средний ток 2А, достаточный запас, я думаю.
Рассеиваемая мощность для одного диода будет 0.8*2 + 2^2*0.2 = 2.4Вт,
тепловое сопротивление 50°C /Вт, итого температура кристалла для окружающей 25°C будет 145°C.
С учетом 2.3мВ/°C имеем смещение "идеального" диода примерно 0.6В и уточненную рассеваемую мощность 2Вт.
Рассеиваемая мощность для двух диодов будет (0.8-0.02)*2 + 2^2*0.1 = 1.96Вт,
итого температура кристалла для окружающей 25°C будет ~75°C.
После уточнения с температурой, мощность на диод будет 0.7*1 + 1^2*0.2 = 0.9Вт,
Да, отношение меньше двух.

Сообщение отредактировал alexkok - Feb 14 2009, 07:49

В смысле - больше двух. Логично. Можно было не считать, а просто взглянуть на ВАХ диода.

Еще надо поблагодарить автора, что он до волнового сопротивления не добрался
Хотя у меня еще есть надежда, что человек просто решил пошутить над нами

Под slope resistance имеется в виду коэффициент линейной функции 'k', с помошью которой можно в нулевом приближении предстваить прямую ветвь ВАХ диода: I(U)=Uf+k*U. Это просто весьма упрощенная матмодель, и restance этот коэффициент обозвали просто потому что R=U/I. Это просто такое понятие, как, например, входное сопротивление.

Так а кто это всерьез воспринимал?
Да, в некоторых случаях этой ВАХ вообще пренебречь можно. Считать диод идеальным. Диссертабельно.
Написаны же груды томов с моделью транзистора, как четырехполюсника?
А кто и когда эти входные-выходные проводимости на практике использовал? Кто из производителей их когда нормировал? Разве что, П1Б образца 1956г.

Не, ну почему... В Микрокапе, наверное что-то подобное используется...
Кстати,довольно точно выходит иногда - я даже термодатчики из транзистора рассчитывал в нем, а потом расхождение
с реальными получал пару градусов или менее.. ВАХ , значит, точно воспроизводят...
Да и вообще часто совпадения просто отличные...

Кстати, кто-то замечал, что Микрокап некоторых номиналов "не любит?" как-то стоял в схеме резистор 500 ом - причем в цепи, на точность влияющей очень слабо(xnj, не сказать - вообще не влияющей) - второй каскад компаратора контроля напряжения на TL413, с базы на эмиттер (нагрузку давал для TL431) - так вылетал вбок по точности процента на 3 минимум... А когда чего-то стукнуло поиграться номиналами - то 499.999 уже проходило нормально, и 500.001 - тоже. Кстати, и увеличение до 600 ом погрешности заметной тоже не девало - 1 мА для TL431 нормальный ток еще .... Может, круглые номиналы вообще не стаить? Вот только почему?

..Кстати, в Микрокапе, точней, в его модели транзистора, вероятно, нашел сегодня «косяк»:
хотел промоделировать стабилитрон, возникающий при подаче обратного напряжения база –эмиттер, большего, чем 6-8 В.
..Подаю 13В через 1 кОм – нифига, не пробивается.. и ток – несколько наноампер..

Да, больше конечно.

Ну почему же, для диодов с очень низким сопротивлением базы вполне может быть и меньше двух.
Правда неизвестно, есть ли такие в природе.