Уважаемые спецы, помогите ...Изучаю TOPы...Пробую собрать БП на TOP225 ( для заряда АКБ в дальнейшем ) - 14.5 V 5 A. Выдрал сердечник из БП ATX - сечение 12*10, для индуктивности порядка 1100 uH( по AN21 ) намотал первичку 72 витка 2 слоя, связь 8 витков, вторичка 8 витков, зазор порядка 1.5 мм. Стабилизация на tl431 и оптроне. При нагрузке 0.5 А блок работает нормально, при увеличении до 1.5 A разогревается и вылетает снаберный стабилитрон P6KE200. В чем может быть проблема ? Пытаюсь померить индуктивность рассеяния, измеряя первичку при замкнутых остальных обмотках - получается дикая величина 400uH ( прибор китаезкий MY-6243). Как сие возможно ?
Спасибо.

Этот трансил самое ответственное звено такого источника. Предлагаю добавить к нему RCD цепочку, посчитанную хотя бы в PIExpert. Дело в том, что энергия, запасаемая в трансе во время прямого хода должна где-то выделяться и растет с увеличением мощности. До 1.5А с этой задачей трансил справляется. Схема удваивает напряжение на первичке и на трансиле "высаживается" мощность примерно равная (310-200)*ток первички. Посчитай. RCD цепочка же рекуперирует эту энергию во входную емкость. Во время прямого хода происходит заряд её конденсатора, во время обратного его разряд и потери на нагрев незначительны. Ещё, навскидку зазор в трансе слишком велик, нормальная величина 0.2-0.3 мм.

Индуктивность рассеивания слишком большая. Потому что зазор большой. Пересчитать надо, чтобы зазор был по-меньше.

Что-то не вижу, где КСВ цепь посчитать... ( у меня сейчас версия 6.5 )...А для старых TOP можно ПО найти ?

Это не так. Индуктивность рассеивания с зазором практически не связана . Она зависит от взаимного расположения обмоток (потокосцепления катушек). Зазор сам по себе может достигать 1-5 мм, если это требуется по току подмагничивания.
Меньшую индуктивность рассеивания дают слоеные (чередующиеся половинки первичной и вторичной ) обмотки. Нормального качества трансформатор имеет индуктивность рассеивания 2-3% от индуктивности первички. Хорошие 1-2%, Плохие (неслоеные) -5-6%
Стабилитронные демпферы используют для источников относительно небольшой мощности. При мощностях более 20-30 ватт нужно переходить на RC цепи. Ведь в этой цепи практически все потери из-за индуктивности рассеивания и поглощаются (2-5% выходной мощности)

Хорошо, вопрос - как оценить индуктивность рассеяния моего трансформатора ? Можете ли примерно указать номиналы элементов демпфера.

Так что, уважаемые, подскажите по индуктивности рассеяния.....что-то много на мой взгляд выделяется "зазря"...прилепил к трансилу RC цепочку - заметно нагрев уменьшился, но трансформатор странно "верещит"....и это при токе 2A вместо запланированных 5A....

Связана. Если увеличть индуктивность транса, уменьшив зазор и пересчитав обмотки, то выбросов будет гораздо меньше. Так как оно это отношение индуктивности транса с разомкнутой и замкнутой обмоткой. Если увеличить индуктивность с разомкнутой, то коэффицент связи улучшится.


Ну кто вам это сказал? Да и в любом случае, можно стабилитрон умощнить транзистором.


Вы можете пересчитать транс так, чтобы зазор был где-то в районе 0.5мм?

Про неё не заморачивайся сильно... твоё измерение некорректно. Нужно измерить индуктивность обмоток по отдельности, потом их соединить последовательно и измерить такую суммарную индуктивность. Сравнить результат. Но боюсь, что и это будет неправильно. Уменьшай зазор, не меняя пока число витков - верещание из-за того, что или намотка "слабая", т.е. провод не натянут или вылетаешь из непрерывного режима. Конденсатор, надеюсь, пленочный вольт на 450-630 поставил?

Сообщение отредактировал wave48 - Mar 6 2009, 18:54

Не советую.

Кажется, у Вас расплывчатые формулировки и неясность с терминами. Индуктивность рассеивания характеризует не "выбросы", а степень потокосцепления обмоток. Насколько поле, создаваемое одной обмоткой совпадает по форме и местоположению с полем другой обмотки при тех же ампервитках. Индуктивность рассеивания тем меньше, чем тоньше, протяженнее и плотнее друг к другу намотаны обмотки.
Можно как угодно располагать сердечник, менять зазор, а индуктивность рассеивания при данной намотке не изменится. Какой-то постоянный процент энергии не будет передаваться от первичной обмотки ко вторичной.
Увеличение зазора или конструкция дросселя с разомкнутым магнитопроводом приводит только к распространению поля за пределы магнитопровода, "выпиранию" магнитных силовых линий возле стыка половин магнитопровода. Это может привести к дополнительным потерям, если вблизи зазора есть ферромагнетики, но к индуктивности рассеивания никакого отношения не имеет.
Не вижу необходимости стремиться к какому-то каббалистическому зазору в 0.5мм. Успешно применяют зазоры и 0.1 и 3-4 мм. Сколько нужно по расчету. Это величина вторичная, выбирается из допустимого размаха индукции при заданном токе и витках. Хорошую программу для расчета своих сердечников дает "ЭПКОС".
Умощнение стабилитрона транзистором - "что-то новенького за демферные цепи". Похоже, никто больше не додумался так замысловато заменить резистор для простого рассеивания тепла.

Microwatt, у меня личный опыт, и проблем с теорией я не испытываю. Я уже дал свои рекомендации, могу и теоретически обосновать, но мне лень.

Вот-вот. Чел померил индуктивность обмоток где-то на 1мА, посчитал похоже тоже на малый ток. Поэтому "пропехнуть" свою мощность сквозь зазор сейчас не может.

Хм... Очень любопытный способ...
Вообще-то, принято измерять индуктивность рассеивания, измеряя индуктивность первичной обмотки при замкнутых накоротко вторичных.

Спасибо всем принявшим участие , дальнейшие опыты после праздников...

Чем можно обьяснить более чем странный полученный мной результат ? Несовершенством прибора ?