А зачем циркулятор переключатель в модуле есть. А так выходная мощность хилая входные шумы здоровые

Переключатель - со стороны распределительно-суммирующей системы ФАР, а циркулятор нужен для развязки приемника и передатчика при работе на один излучатель. Почитайте Воскресенского, что-ли.
Насчет мощности и шумов, тоже не переживайте, существуют устройства под названием: МШУ и УМ, их можно каскадировать с подобными core-chip

Упс быстро смотрел подумал что слева на антену а где нарисованна управляюшая логика на радар.

Вы напрасно иронизируете, это очень хорошие транзисторы и будущее за ними, я ведь именно с ними и имею дело, хоть пока и не для радаров Х-диапазонов. Но уже есть MMIC на них и в этом диапазоне с КПД за 40% для УМ.

Сообщение отредактировал grandrei - Mar 27 2009, 23:39

Ну так ссылку на еудину я давал, у них где-то лежали малосигнальные S-параметры. А семейство импедансов для полносигнального варианта- только за денежку и NDA. Или самому снимать- два автоматизированных трансформатора полных импедансов от Mauri, импульсный нетворканалайзер и вперед.
Модулей на GaN-е пока непредвидется- подложки в производстве слишком дороги, поэтому их ломают на активные девайсы, а пассивка делается на более дешевых материалах, чем GaN на сапфире или монокристаллические GaN-овские подложки- те вообще дороже золота намного, близки к алмазу по цене. Разве что пойдет технолгия аммонийного метода роста монокристаллов GaN,тогда может подешевеет, но это пока границы технологии.

Особого смысла проектировать гибридную схему усилителей мощности на GaN, как и других устройств, для радаров X-диапазона нет, поскольку такие устройства делаются в виде MMIC. Разве что с познавательной точки зрения, но трудновато получить модель GaN транзисторов ввиду определенных обстоятельств. Разве что скачать у Nitronex, но их корпусные транзисторы предназначены для более низкого диапазона частот сотовой связи. А так обзор достижений в этой области можно посмотреть здесь, как и работы Института Фраунгофера.

Сообщение отредактировал grandrei - Mar 28 2009, 17:29

у меня пока задача "исследование возможности" а не реализация ... а что касается алмазов - видел я разработку фотоприемника с использованием природных алмазов

Про "познавательную точку зрения" можно подробней? Т.е предположим доступна технология GaN на сапфире (MOCVD или МBE). HEMT вырастить можно, фотолитография тоже проблем не составляет.
А вот как потом сделать пассивную часть схемы (микрополоски) на сапфире понять немогу. Как на эпиреди сапфир нанести металлизацию, работоспособную на частотах до 100 ГГц, тем более что стравливать GaN с лицевой стороны до сапфира технологи нехотят- очень уж он толстый- проблема с маской, а GaN в подслое проводящий- потери в микрополоске будут большие. А ломать на отдельные транзисторы нехочется- потом проблема с бондированием и теплоотводом.
Нужен совет "человека от СВЧ", а то как то "людьми от полупроводов" ничего непридумывается. Про SiC подложки интересно только теоретически- нет технологических возможностей.

С точки зрения "человека от СВЧ" могу сказать, что желательно делать на той технологии, которая более подходит для данного проектирования, а не на той, которая просто имеется, но не совсем подходит. Если же касаться технологии на сапфире, то наиболее рациональным подходом, пожалуй, можно считать не использование сапфира для пассивных элементов, а применения подходов типа SiP (System in Package), когда разные кристаллы (технологии) используется для реализации различных элементов и устанавливаются на одну подложку. Возможна также технология flip-chip для кристалла из сапфира, чтобы минимизировать влияние паразитных элементов, как-то bondwire. Но все это едва ли целесообразно использовать, поскольку усложняет и удорожает общую конструкцию, и она становится совершенно неконкурентноспособна по сравнению с образцами, сделанными теми, кому технология на SiC доступна. А познавательность я имел ввиду с точки зрения возможности понять возможности транзисторы и построения внешних цепей для реализации эффективной работы усилителя на таком транзисторе.

А, что ещё можно сказать кроме "КПД за 40% для УМ", для данного направления?
Каковы перспективы этой технологии в области малошумящих касадов для усиления, генерации сигналов? Просматривается-ли там преимущество перед нынешними технологиями?

А разве этого, то есть увеличения КПД, мало для разработки усилительных модулей? Нет универсальных технологий, каждая хороша для своих целей, поэтому и МШУ, и УМ разрабатываются по разным технологиям, требуются ведь разные характеристики. Даже, если это и существующая pHEMT технология, но и она отличается, например 0.15 μm Low Noise pHEMT для МШУ или 0.5 μm Power pHEMT для РА. Как раз GaN HEMT и предназначены заменить в перспективе LDMOSFET в усилителях мощности базовых станциях сотовых систем связи и pHEMT в усилителях мощности радарных систем.

В рекламно-профессиональной печати GaN-технологию преподносят, как перспективную замену GaAs. Видимо не всё так просто, спасибо просветили.

А как насчет этого?

100 Вт до 18 ГГц...

578 Евро, между прочим. Копейки, можно сказать...

А разве они уже продают? Вроде на сайте написано прототип...
а 100 Вт это похоже на 3.5 ГГц....

Продают полную номенклатуру GaN транзисторов, анонсированных на их сайте. Это ТАМ . Здесь тоже достать можно, если подсуетиться.

Насчет мощности - ничего подобного - специфицирована во всем диапазоне. Конечно, потрудиться придется, чтобы ее достичь. Особенно с терморежимом. Но для импульсного режима - самое оно.