Спасибо за разяснение.
Технологически есть разнице между Type-I и Type-II? Или жгется в один проход все? До первой меди, так сказать.

Несомненно. Но, ИМХО, вполне хватит применения 0201. Если грамотно сформировать коридоры, достаточно места будет для полусотни штук 0201. А этого для обвязки ядра процессора и питания контроллера DDR2 с головой хватит. Обвязку питания I/O можно и по периферии корпуса делать.

Type I:
1. классическое изготовление субстрата - N-слойная плата без сверления.
2. осаждение диэлектрика.
3. осаждение меди.
4. травление меди, включая травление микродырок в меди.
5. Микродырки в диэлектрике (лазер, плазма, химия, вариантов куча)
6. осаждение проводника в микродырки.
8. классическое сверление-металлизация.
9. Все остальное - маски/краски.
Type II:
1. классическое изготовление субстрата - N-слойная плата без сверления.
1.1. сверление via через субстрат.
1.2. Полное заполнение via металлом, или металлизация + заполнение via чем либо, напр. пастой на эпоксидной основе, или проводящей пастой.
2. осаждение диэлектрика.
3. осаждение меди.
4. травление меди, включая травление микродырок в меди.
5. Микродырки в диэлектрике через уже протравленные микродырки в меди (лазер, плазма, химия, вариантов куча)
6. осаждение проводника в микродырки, который соединяет собственно два слоя.
7. классические сверление-металлизация полностью сквозных via и дырок под компоненты.
9. Все остальное - маски/краски.

пункты 2..6 повторить для каждого buildup слоя, т.е. или топ, или боттом, или оба.

Так что технологическое различие - пункты 1.1 и 1.2

Касаемо 1.2 - есть технологии, где дырки на этом этапе не "шпаклюют", а они сами заполняются на этапе 2 диэлектриком, но потом как бы 2.1 делают CMP для выравнивания поверхности. Но это уже нюансы, суть то та же.

Если несколько buildup на одной стороне субстрата, то добавляется после 6 еще и полировка, чтобы следующий buildup слой не был деформирован низлежащими via. Но это уже Type III и IV

"До первой меди" - такого я не слышал. Но есть варианты, когда дырявится "насквозь" два или три buildup-а за раз, но это опять типы III, IV. И при этом подключение медь-медь все равно только меж двух слоев, нельзя такую дырку сделать для соединения трех сразу. Но я и недопонимаю смысла в этом деянии, когда можно стеком микровиа расположить.

Скачайте документ в конце концов, Вы же "свой". Там все это с картинками Правда без части подробностей технологических.

To f0GgY
Сам сейчас развожу DM6467 на шестислойке (две земли, питание и три сигнальных слоя). Все конденсаторы (0402) нормально ложатся на Bottom под процессотром, контактными площадками прямо на переходные отверстия. При сквозных отверстиях по другому на таком корпусе их и не разместить. При этом несколько ухудшаются условия пайки конденсаторов, зато расстояния минимальные.

вот меня и смущает цифра в 12.5 мм. это ж пол микросхемы. Какова ш эффективность то... В центре по кресту выставляется часть, остальное по периметру, тогда как выводить питание к этим кто по контуру? Через два виа? одно возле пада бга, второе возле кондёра, а проводник питания по внутреннему слою?
Если выставлять в "кресте" то каким "предпочтение" по 1.2В или 3.3В ?

вообщем одни вопросы


з.ы. 0201 конешн выход, но никто не хочет в это ввязываться... НУ а если искать то каких номиналов и у кого?

Думаю подразумевается 12.5мм от пинов питания до конденсаторов, так что они должны быть в 3-4мм от края корпуса чипа.
Питание плэйном, конденсаторы к этому плэйну - вроде нет проблемы. Или в чем проблема?
Какие, где и сколько ставить - смотрите по даташиту потребления по всем питаниям. Обычно потребляет собственно ядро, напряжение низкое, зато ток большой. Тогда нужно обеспечить ему хорошее питание. А 3.3В это фактически только порты ввода/вывода и потребляют они совсем чуть. Но это так, навскидку, Вы лучше поройте даташит на предмет цифр и прямых указаний. Еще неплохо было бы найти какой-нибудь боард от производителя и посмотреть как они там все реализовали.

После введения процедуры автосмены паролей постигла меня печальная участь многих.
Пресловутое "not connected 2" ...
Не могу на закрома добраться.

А они и интересут в особенности.

Именно прямой прожиг с L1 на L3 меня и интересовал.

Конечно не для трех. Только с L1 на L3, минуя L2 вообще. Так, что бы даже площадки в нем не было.

При стековых микровиа вводятся дополнительные техпроцессы, увеличивается количество пресований....
Все это влияет на стоимость изготовления и надежность конструкции.
Кстати. Описанный Вами техпроцесс для Type II как то очень напоминает техпроцесс изготовления стековых микровиа.
P.S. За разьяснения - одтельное спасибо.


1.2В. Питание ядра. Поскольку и потребляет больше, и работает на более высокой частоте.

IPC2315 не прессуют!!! Процесс как брат родной процессу изготовления металлизаций ИМС. Все прессования - это только изготовление подложки, и собственно microvia не касаются. В подложке, которая представляет собой классическую МПП, только сверленые via. А остальные слои, в которых травятся microvia, наносятся напылением/осаждением. Там препреги не используют! В них микровиа не делают! (попробуй, протрави стеклоткань, даже плазмой , слишком неравномерный материал, это не дырка получится, а... [censored]. Да и лазером жечь его те же вопросы. Эпоксидка жжется так вот на раз, а стекло - эдак, а то и вообще никак ) Да и макс. допустимая толщина для диэлектрика под микровиа порядка 100-120 микрон.

Что касается прямого травления диэлектрика L1->L3 - это дополнительное усложнение техпроцесса по сравнению со стеком. Так как в любом случае есть microvia L1->L2 и L2->L3, то изготовление переходнушки L1->L3 это отдельное дополнительное травление с другими параметрами, нежели два необходимых травления L1->L2/L2->L3. То есть - стек из L1->L2+L2->L3 технологически проще, чем дырка L1->L3. Да, при этом в некоторых вариантах технологий на L2 будет КП. Но именно в некоторых, это не догма. В других некоторых будет сделана дырка L2->L3, заполнена металлом, и над ней потом сделана L1->L2. А на L2 собственно меди нет. И нет доп-процесса дырявливания L1->L3. Правда в третьих, более дешовых и простых - вообще нельзя делать стек via-над-via, а только staggered. Вдогонку, отверстие L1->L3 получается с большим диаметром, чем L1->L2+L2->L3. Так что отсутствие КП на L2 ничего может и не дать в выигрыше по площади... А в проигрыше по цене - еще как может.

Но, опять же, это не касается ни Type-I, ни Type-II. Там нет L2, там нет L3. Там с каждой стороны от подложки допустим только один L1.

Вот, изучайте:

т.е. с пада бга питание сваливается на плейн через виа, а кондёр фильтрует этот пад где то из другого виа на расстоянии 12.5мм???
Что ш они фильтровать то будут... Всегда стремился ставить кондёр прямо к виа от пада питания бга.
Проблема в том, что я не улавливаю смысла фильтрации пина питания бга на указанном расстоянии ))

Вот боард я и пытаюсь найти. Хотя смотрел живой эволюшн на ксайлиновскую микруху, так там есть только "крест". Остальное, что то по контуру. Так что, наверно, надо так и делать...

Фильтруют не сколько питание конкретного пина БГА, нет смысла (оговорюсь, это так, если Вы специально не превышаете нагрузок на I/O и требований к SSO, тогда кондер-к-пину это необходимо), при разработке ИМС всегда учитывается индуктивность и сопротивление цепи пад->проволочка->пин->дорожка 3..5мм->via->плейн, а фильтруют само напряжение питания, которое подводится к via. Соответственно, учитывая распределенное сопротивление плейна переменке, и дают рекомендации о "не дальше". И дают рекомендации по рассчету количества и типа кондеров, повторю на всякий случай ссылку, http://focus.ti.com/lit/ug/spru889/spru889.pdf, там все рассказано подробнее некуда и с рассчетами.

За документ спасибо. Правда изучать там особо нечего. Все давно уже известно и не раз применялось.

Еще как используют и слепые отверстия изготавливаются с успехом.
Для этих целей используются специальные препреги, например: 106LD, 1080LD - специально предназначенные для прожига лазером.
В указанном Вами стандатре в качестве buildup материалов используется либо RCC, либо уже названные препреги. А это значит, что без дополнительных прессований структуры никак не обойтись. Потому тезис "остальные слои, в которых травятся microvia, наносятся напылением/осаждением" меня несколько смутил. Может Вы имели в виду фото- или термооотверждаемые диэлектрики?

А это не мой тезис, это фабрика мне сказала, когда объясняла свои требования и возможности. Я не знаю в подробностях, каким именно методом там наносится диэлектрик, такие тонкости мне не важны, но не препрег и не прессование точно, а именно осаждение с последующим химико-механическим шлифованием. Они же объяснили, что с препрегом не получается требуемых технологических норм.

[attachment=32322:int2_bottom.jpg]
Собственно, все уже изложено, например bigor.
Просто добавлю свой пример в качестве разнообразия, заодно укажу на некоторые собственные некоректности в моем примере, а именно: конденсаторы, расположенные вокруг корпуса в слое TOP слишком близко расположены к корпусу(С19, например). Т.е. с точки зрения автоматического монтажа это вызовет трудности. В остальном, плата была сделана в четырех слоях(сигнальный, земля, питание,второй сигнальный).Шаг BGA - 0,8. Использованы только сквозные преходные отверстия. Под BGA - площадка 0,51мм, а на стороне Bottom, int1, int2 - площадки 0,6mm/ Это сделано для того, чтобы несколько облегчить сверловку платы(поскольку возможен увод сверла от центра за счет изгиба сверла). Основная часть конденсаторов расположена на Bottom. Поскольку практически все слои питания и GND "прошиты" via - то индуктивность слоев питания возрастает, к тому же, подвод питания на этой плате(да и GND) производился не сплошным полигоном, как видно в слое int2 и на bottom (слегка "жирный" проводник под резистором R1, R2 и С27). Поэтому стабильность работы процессора TMS в данном случае обеспечивалась в значительной мере конденсаторами, расположенными под ним в bottom.