Уважаемые разработчики
Прошу Вас раскритиковать возможность применения large signal S пар. UHF транзистора RD09MUP2 (Vdd=7.5V Id = 900mA) для расчета согласующих цепей на его входе и выходе..
Для расчета я взял RD09MUP2 S пар :
- перевел их для удобства в Zпар.(здесь возник вопрос в параллельной или последовательной форме получаются Zпар при переводе при помощи WinSmitt диаграммы?)
- на WinSmitt диаграмме отметил комплексно сопряженные точки для входного и выходного импеданса транзистора
-построил согласующие цепочки на WinSmitt диаграмме
- просимулировал в прог. GENESYS для подтверждения предварительно полученных результатов.
См прицепленный док

Если S параметры из даташита на транзистор, то это малосигнальные параметры. В свое время консультировался у Митсубиси по аналогичному транзистору.

S параметры на 0.9А малосигнальные?! Странно ,Id=0.9A по их понятию что ли ток покоя? Если зто так то почему не написали Idq=900mA?

Именно ток покоя. Усилитель в классе A.

Вообще с митсубиси много загадок. Например если взять любую их тестовую схему и двигаясь от входа или выхода найти Z, которое увидит транзистор, то оно не будет равно приводимому ими же входному/выходному комплесно-сопряженному к импедансу транзистора.

Ок , значит дело темное, придется работать по старинке : сначала расчитать Rload + XC ds по заданной Pout, и так далее,
Интересно что RD09MUP2 имеет предельное напряжение Uds=40V , значит транзистор вроде можно применить и для Vdd= 12,5 хотя в тех данных он применяется на 7,2V

Вообще-то так и должно быть, и не только с митсубиси. Если транзистор согласовывается на максимум выходной мощности или на максимум кпд (а не на максимум усиления), то он должен быть согласован не на свой комплексно-сопряженный импеданс, а на другую нагрузку.

Внимательно посмотрите даташит например на этот транзистор. Страница 9, внизу четко написано что именно эти импедансы обеспечивают указанные мощности.

Есть у моторолы аппноут с описанием откуда берутся эти самые рекомендуемые значения Zin/out. Идея сотоит в том, что транзистор устанавливают на тестовую структуру, настраивают сперва минимум КСВ по входу, затем максимум мощности по выходу и так несколько итераций. Потом транзистор снимают и измеряют Z в тех точках где он стоял, при нагруженных на 50ом вх. и вых. Эти самые измеренные данные и записывают в даташит, дабы облегчить жизнь инженерам...

Radiolab
Вы не подскажите в какой форме (паралельной или последовательной приведены Zin и Zout для RD15HVF1.
Написал е-мэйл в Mitsubishi а ответ еще не получил.

Подскажете, пожалуйста, как определить эту нагрузку для согласования?

Вот здесь по человечьи написанно.


Что то файл не прицепился ,ловите по новой

В последовательной. Оно ж на диаграмме Смитта обозначенно. Еслиб это были паралельные R и X, то попали бы совсем в другие точки.



Классическая методика подобного расчета рассмотренна, например, в книге "Транзисторные усилители мощности МВ и ДМВ" Титов А.А.

[quote name='Radiolab' date='May 12 2009, 01:09' post='591337']
В последовательной. Оно ж на диаграмме Смитта обозначенно. Еслиб это были паралельные R и X, то попали бы совсем в другие точки.

Спасибо , я тоже так предпологал из прикидочного расчета для этой мощности.
Подскажите пожалуйста как отличить на диаграмме Смитта параллельный импеданс Zout.par.=3.36+j17.7 от от пересчитанного в последовательную форму Zout.ser=3,243+j0,62 ?

Никак не отличить, т.к. это одна и та же точка Z11= 3,243+j0,62. Вы путаете параллельные и последовательные эквиваленты схемы и ее Z параметры.

Z11=Rs+Xs, Z11=Rp||Xp, а Z11=Rp+Xp это уже совсем другая точка...


Чтоб окончательно развеять Ваши сомнения, соберите схемку в GENESYS

1. Порт 1 + R1 + C1
2. Порт2 + R2 параллельно С2

R1, R2 и С1, С2 свяжите через формулы из AN282 и вы увидите, что для заданной частоты S11=S22. Для пущей наглядность настройте диаграмму Смитта на отображение в Z координатах.

Сообщение отредактировал Radiolab - May 12 2009, 08:01

[quote name='Radiolab' date='May 12 2009, 10:39' post='591445']
Никак не отличить, т.к. это одна и та же точка

Большое спасибо!
Все получилось как Вы говорили.