реклама на сайте
подробности

 
 
4 страниц V  < 1 2 3 4 >  
Reply to this topicStart new topic
> Схема универсального питания 10...32 В
seagull_1972
сообщение Jun 4 2009, 13:09
Сообщение #31


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 184
Регистрация: 29-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 839



Цитата(wim @ Jun 4 2009, 16:37) *
Ну дак у автора как раз наоборот - грелся мелкий и шустрый IRF7241, у которого Qgd = 3,9 нКл. Он ваще должен был бы наносекунд за десять переключаться. Таки вже какие тут потери? Не, тут, похоже, в законе Ома ошибка вышла. smile.gif


У мелкого и шустрого - емкость 160 pF... у большого - 98 pF... Расчеты грят - что надо 90...

Похоже, что причина проста...
Должна быть такая индуктивность: LQH66SN220M
А купили и поставили такую: LQH66SN2R2M
Как говорится - почувствуйте разницу...


--------------------
Живём как положено. Положено на всё.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wim
сообщение Jun 4 2009, 13:25
Сообщение #32


рядовой
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 811
Регистрация: 21-08-06
Пользователь №: 19 713



Цитата(seagull_1972 @ Jun 4 2009, 17:09) *
У мелкого и шустрого - емкость 160 pF... у большого - 98 pF... Расчеты грят - что надо 90...

Потери от перезаряда емкости 0,5*Fs*C*(Vds)^2. При таких низких напряжениях это сущая ерунда - каки-нить десятки мВт.
Цитата(seagull_1972 @ Jun 4 2009, 17:09) *
Похоже, что причина проста...
Должна быть такая индуктивность: LQH66SN220M
А купили и поставили такую: LQH66SN2R2M
Как говорится - почувствуйте разницу...

... так Вы шо - осциллографом не тыкались в схему? smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
seagull_1972
сообщение Jun 4 2009, 13:38
Сообщение #33


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 184
Регистрация: 29-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 839



Не успевали, черт побери... Оно вылетало раньше lol.gif
Снабжению уже ввалил... Завтра метнутся за правильной индуктивностью...


--------------------
Живём как положено. Положено на всё.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
muravei
сообщение Jun 4 2009, 14:09
Сообщение #34


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 538
Регистрация: 13-08-05
Пользователь №: 7 591



Цитата(seagull_1972 @ Jun 4 2009, 17:09) *
У мелкого и шустрого - емкость 160 pF... у большого - 98 pF... Расчеты грят - что надо 90...

Ребяты, вы не ту емкость смотрите. Выходная , прямо на микросхему не влияет. Вы входную гляньте: у нарисованого в даташите 759 пик , а у " мелкого и шустрого" 3220пф . Шустрым он будет , если вы быстро зарядите-разрядите эту емкость.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wim
сообщение Jun 4 2009, 15:14
Сообщение #35


рядовой
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 811
Регистрация: 21-08-06
Пользователь №: 19 713



Цитата(muravei @ Jun 4 2009, 18:09) *
Ребяты, вы не ту емкость смотрите. Выходная , прямо на микросхему не влияет. Вы входную гляньте: у нарисованого в даташите 759 пик , а у " мелкого и шустрого" 3220пф . Шустрым он будет , если вы быстро зарядите-разрядите эту емкость.

Время заряда входной емкости на процесс переключения не влияет. Это просто пауза, для ШИМа - "мертвое" время, а здеся - вообще ничего не значит.
Кстати, быстро зарядить ее надо только до порога VGS(th), а это 3 В максимум. При наихудшем раскладе 16 нс. Дальше она может заряжаться не спеша - ключик уже мала-мала открыт. В обратную сторону, конечно, помедленнее будет, но все равно несущественно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
muravei
сообщение Jun 4 2009, 16:45
Сообщение #36


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 538
Регистрация: 13-08-05
Пользователь №: 7 591



Цитата(wim @ Jun 4 2009, 19:14) *
ключик уже мала-мала открыт.

и сильно-сильно греется. smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wim
сообщение Jun 4 2009, 17:21
Сообщение #37


рядовой
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 811
Регистрация: 21-08-06
Пользователь №: 19 713



Цитата(muravei @ Jun 4 2009, 20:45) *
и сильно-сильно греется. smile.gif

А вот автор правильный дроссель впаяет, пошшупает IRF и скажет нам как сильно он греется. smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
muravei
сообщение Jun 4 2009, 17:29
Сообщение #38


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 538
Регистрация: 13-08-05
Пользователь №: 7 591



Цитата(wim @ Jun 4 2009, 21:21) *
А вот автор правильный дроссель впаяет,

Понятно, что горело от не правильного,но в Национальных полупроводниках не дураки сидят , или нет? laughing.gif
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  PADC_NSC0102.pdf ( 487.92 килобайт ) Кол-во скачиваний: 261
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
seagull_1972
сообщение Jun 4 2009, 17:53
Сообщение #39


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 184
Регистрация: 29-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 839



А скажите мне еще - какую книжку ТОЭ лучше всего на ночь под подушку ложить smile.gif . А то их столько по авторам в инете - даж глаза разбежались... laughing.gif
На насчет пошшупать - непременно отпишусь... только это не раньше понедельника будет. wacko.gif

Да и еще - книжку нашел - Раймонд Мэк. Импульсные источники питания. Теоретические основы проектирования и руководство по практическому применению. По-моему - просто и доступно. Кто-нить чего про нее знает?

Сообщение отредактировал seagull_1972 - Jun 4 2009, 17:44


--------------------
Живём как положено. Положено на всё.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
тау
сообщение Jun 4 2009, 19:03
Сообщение #40


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757



Цитата(seagull_1972 @ Jun 4 2009, 21:53) *
Да и еще - книжку нашел - Раймонд Мэк. Импульсные источники питания. Теоретические основы проектирования и руководство по практическому применению. По-моему - просто и доступно. Кто-нить чего про нее знает?

если издательство додека 2008 г . тот там про синхронное выпрямление много неправды написано.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wim
сообщение Jun 4 2009, 20:13
Сообщение #41


рядовой
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 811
Регистрация: 21-08-06
Пользователь №: 19 713



Цитата(muravei @ Jun 4 2009, 21:29) *
Понятно, что горело от не правильного,но в Национальных полупроводниках не дураки сидят , или нет? laughing.gif

Ну и где же здесь умощнение? У самой LM3485 RPGATE 5,5 Ом "туда" и 8,5 Ом "обратно", а в этой схеме 4,7 Ома. Думаю, что дело в другом - это инвертирующий преобразователь, поэтому чтоб управлять ключиком, пришлось смастерить буфер. Если заметили, у микросхемы там GND подключен к выходу преобразователя.

Цитата(seagull_1972 @ Jun 4 2009, 21:53) *
... Раймонд Мэк. Импульсные источники питания...

Слабовата. Вот эта поприличнее будет:
Sanjaya Maniktala. Switching Power Supplies A to Z.
Есть перевод:
Санджай Маниктала. Импульсные источники питания от A до Z.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Praktik84
сообщение Jun 5 2009, 06:05
Сообщение #42


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 139
Регистрация: 28-11-08
Пользователь №: 42 032



разобрались уже?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
seagull_1972
сообщение Jun 5 2009, 07:00
Сообщение #43


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 184
Регистрация: 29-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 839



Цитата(Praktik84 @ Jun 5 2009, 10:05) *
разобрались уже?

Пока еще нет. Запчасти к вечеру подвезут...


--------------------
Живём как положено. Положено на всё.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
muravei
сообщение Jun 5 2009, 07:10
Сообщение #44


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 538
Регистрация: 13-08-05
Пользователь №: 7 591



Цитата(wim @ Jun 5 2009, 00:13) *
8,5 Ом "обратно", а в этой схеме 4,7 Ома.

Возможно, пример не совсем удачный, но умощнение в 2раза наличиствует.
wim , ответьте как профессионал-профессионалу . smile.gif Вы даташиты читаете? Я просматриваю, со словарем.
Так вот, там на 12 стр. есть не двусмысленный намек . Что-то надо делать! smile.gif
"Keeping the gate capacitance below 2000pF is recommended
to keep switching losses and transition times low. This will
also help keep the PFET drive current low, which will improve
efficiency and lower the power dissipation within the controller.
As gate capacitance increases, operating frequency should
be reduced and as gate capacitance decreases operating
frequency can be increased."
Частоту снижать , например, что приведет к необходимости увеличивать индуктивность, что , в свою очередь , приведет к дополнительным потерям.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wim
сообщение Jun 5 2009, 11:05
Сообщение #45


рядовой
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 811
Регистрация: 21-08-06
Пользователь №: 19 713



Цитата(muravei @ Jun 5 2009, 11:10) *
Возможно, пример не совсем удачный, но умощнение в 2раза наличиствует.
wim , ответьте как профессионал-профессионалу . smile.gif Вы даташиты читаете? Я просматриваю, со словарем.
Так вот, там на 12 стр. есть не двусмысленный намек . Что-то надо делать! smile.gif
"Keeping the gate capacitance below 2000pF is recommended
to keep switching losses and transition times low. This will
also help keep the PFET drive current low, which will improve
efficiency and lower the power dissipation within the controller.
As gate capacitance increases, operating frequency should
be reduced and as gate capacitance decreases operating
frequency can be increased."
Частоту снижать , например, что приведет к необходимости увеличивать индуктивность, что , в свою очередь , приведет к дополнительным потерям.

Какой-то намек не очень понятный - почему они связывают потери на переключение с входной емкостью? Согласно "классицкой" теории, время переключения мосфета зависит в основном от емкости Миллера. Если цитировать тот же народно-полупроводниковый источник информации, - вот пример расчета. Ну и даже если не цитировать, а рассмотреть процесс переключения - основные потери на переключение происходят на "плато Миллера", т.е. там, где напряжение на затворе постоянно и, стало быть, емкость затвора не заряжается. Т.е. там, где она заряжается, потерь почти нет, а там, где они есть, работает другая емкость. smile.gif
У меня есть предположение, что эта рекомендация в даташите - та самая "бага, описанная в доке" и связана она с релейным способом управления. Тут ведь не только частота коммутации непостоянна, могут быть и субгармоники. На выходное напряжение они не повлияют, а коммутационые потери увеличатся. В формулу чвстоты коммутации релейного преобразователя входит задержка сигнала - может, уменьшая емкость затвора (задержку сигнала ), они стабилизируют частоту коммутации.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  flyback_mathcad_example.rar ( 304.7 килобайт ) Кол-во скачиваний: 49
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post

4 страниц V  < 1 2 3 4 >
Reply to this topicStart new topic
4 чел. читают эту тему (гостей: 4, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th July 2025 - 07:31
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01504 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016