У мелкого и шустрого - емкость 160 pF... у большого - 98 pF... Расчеты грят - что надо 90...

Похоже, что причина проста...
Должна быть такая индуктивность: LQH66SN220M
А купили и поставили такую: LQH66SN2R2M
Как говорится - почувствуйте разницу...

Потери от перезаряда емкости 0,5*Fs*C*(Vds)^2. При таких низких напряжениях это сущая ерунда - каки-нить десятки мВт.

... так Вы шо - осциллографом не тыкались в схему?

Не успевали, черт побери... Оно вылетало раньше
Снабжению уже ввалил... Завтра метнутся за правильной индуктивностью...

Ребяты, вы не ту емкость смотрите. Выходная , прямо на микросхему не влияет. Вы входную гляньте: у нарисованого в даташите 759 пик , а у " мелкого и шустрого" 3220пф . Шустрым он будет , если вы быстро зарядите-разрядите эту емкость.

Время заряда входной емкости на процесс переключения не влияет. Это просто пауза, для ШИМа - "мертвое" время, а здеся - вообще ничего не значит.
Кстати, быстро зарядить ее надо только до порога VGS(th), а это 3 В максимум. При наихудшем раскладе 16 нс. Дальше она может заряжаться не спеша - ключик уже мала-мала открыт. В обратную сторону, конечно, помедленнее будет, но все равно несущественно.

и сильно-сильно греется.

А вот автор правильный дроссель впаяет, пошшупает IRF и скажет нам как сильно он греется.

Понятно, что горело от не правильного,но в Национальных полупроводниках не дураки сидят , или нет?

А скажите мне еще - какую книжку ТОЭ лучше всего на ночь под подушку ложить . А то их столько по авторам в инете - даж глаза разбежались...
На насчет пошшупать - непременно отпишусь... только это не раньше понедельника будет.

Да и еще - книжку нашел - Раймонд Мэк. Импульсные источники питания. Теоретические основы проектирования и руководство по практическому применению. По-моему - просто и доступно. Кто-нить чего про нее знает?

Сообщение отредактировал seagull_1972 - Jun 4 2009, 17:44

если издательство додека 2008 г . тот там про синхронное выпрямление много неправды написано.

Ну и где же здесь умощнение? У самой LM3485 RPGATE 5,5 Ом "туда" и 8,5 Ом "обратно", а в этой схеме 4,7 Ома. Думаю, что дело в другом - это инвертирующий преобразователь, поэтому чтоб управлять ключиком, пришлось смастерить буфер. Если заметили, у микросхемы там GND подключен к выходу преобразователя.


Слабовата. Вот эта поприличнее будет:
Sanjaya Maniktala. Switching Power Supplies A to Z.
Есть перевод:
Санджай Маниктала. Импульсные источники питания от A до Z.

разобрались уже?

Пока еще нет. Запчасти к вечеру подвезут...

Возможно, пример не совсем удачный, но умощнение в 2раза наличиствует.
wim , ответьте как профессионал-профессионалу . Вы даташиты читаете? Я просматриваю, со словарем.
Так вот, там на 12 стр. есть не двусмысленный намек . Что-то надо делать!
"Keeping the gate capacitance below 2000pF is recommended
to keep switching losses and transition times low. This will
also help keep the PFET drive current low, which will improve
efficiency and lower the power dissipation within the controller.
As gate capacitance increases, operating frequency should
be reduced and as gate capacitance decreases operating
frequency can be increased."
Частоту снижать , например, что приведет к необходимости увеличивать индуктивность, что , в свою очередь , приведет к дополнительным потерям.

Какой-то намек не очень понятный - почему они связывают потери на переключение с входной емкостью? Согласно "классицкой" теории, время переключения мосфета зависит в основном от емкости Миллера. Если цитировать тот же народно-полупроводниковый источник информации, - вот пример расчета. Ну и даже если не цитировать, а рассмотреть процесс переключения - основные потери на переключение происходят на "плато Миллера", т.е. там, где напряжение на затворе постоянно и, стало быть, емкость затвора не заряжается. Т.е. там, где она заряжается, потерь почти нет, а там, где они есть, работает другая емкость.
У меня есть предположение, что эта рекомендация в даташите - та самая "бага, описанная в доке" и связана она с релейным способом управления. Тут ведь не только частота коммутации непостоянна, могут быть и субгармоники. На выходное напряжение они не повлияют, а коммутационые потери увеличатся. В формулу чвстоты коммутации релейного преобразователя входит задержка сигнала - может, уменьшая емкость затвора (задержку сигнала ), они стабилизируют частоту коммутации.