Одним векторником только малосигналку мерять можно. А для большого сигнала нужны тюнера типа тех, что по ссылке наверху. Сначала с помощью векторника калибруется грубо тюнер, Составляется многомерная таблица калибровок. Потом на транзисторе тюнером грубо выставляется необходимое согласование чтобы привести импеданс к 50 омам (для данной частоты) и потом используя векторник в качестве индикатора расстройки тюнером доводится согласование до наилучшего. Полученное положение тюнера интерполируется по калибровочным таблицам. Меняем частоту и следующая точка или короткими отрезками по частоте где изменение импеданса несущественно.
Хорошие тюнера имеют дополнительные зонды, настраиваемые на гармоники основгого сигнала, что позволяет управлять импедансом и на гармониках. Там алгоритм еще "забавнее".

1. Немного непонял что калибруется (если тюнер, то во всех точках комплексной характеристики тюнера и на всех частотах и на всех мощностях?)
2. как боротся с самовозбуждением при подключеном тюнере.
3. Как разведена плата при измерении? на сайте китайцев сделана фотография ихних тестовых плат. Очень смахивает на типовую что приводят в описаниях на транзистор.

Мне раньше казалось, что при измерении параметров транзистора методика следующая:
а. Запаять на тестовую плату
б. Отрегулировать на нужной частоте
в. Демонтировать транзистор. И измерить параметры входной и выходной цепи.
Следствия из моей гипотезы:
и поэтому когда читаеш описание транзистора то параметры даны в 3...5 точках!!!!
если бы все делалось автоматом то давалось бы больше измеренных точек (запустил автоматическую проверку и пусть измеряет хоть месяц)

p.s.
А кто занимается в россии измерением параметров мощных транзисторов? (У нас, с нашими "технологическими" отставаниями это возможно?)

Мы пытаемся заняться обмером S-параметрами.
Но вопрос в другом: какую мощность необходимо подавать на АЭ для измерения S-парамеров в малосигнальном режиме ?

Мы занимаемся. И еще с десяток-другой компаний. А больше и не нужно. Часто слова про ""технологическими" отставаниями" обусловлены неинформированностью и нежеланием искать.
Кстати S-параметр - это по определению малосигнальная величина (и не зависящая от уровня сигнала). При измерениях на большом сигнале нужно говорить о комплексных коэффициентах отражения, передачи и пр., причем зависящих от уровня сигнала.
Когда используют тьюнеры типа Маури, то имеет смысл их применять как раз при настройках на большом сигнале. На малом - это из пушки по воробьям, проще юзать просто векторник.

Спасибо, поржал!!! Т. е. малосигнальные S-параметры не комплексные и их фазы - это фантастика? S-параметры, по определению, это коэффициенты связи между падающими и отраженными (рассеянными) волнами на портах устройства. Могут быть линейными, а могут и нелинийными (зависимыми от подаваемой мощности), но, тем не менее, теми же S-параметрами рассеяния.

Если очень обобщенно, то , например, у каждого транзистора есть с определенной степенью приближения линейный участок рабочей характеристики, в первую очередь зависит от мощности прибора. Диапазон мощности входного сигнала соответствующий этому участку и будет являться малым сигналом. А вот как, например, оценивать характеристики транзистора для его моделирования, который в реальном устройстве будет работать в импульсном режиме на большом сигнале, вопрос жутко темный!!!

Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

к Anga
вопрос про измерение S-параметров:
1. Почему иногда применяют тюнеры а иногда нет? Какие ограничения и различия в применении методов.
Наверно без тюнера не измерить шумовые характеристики но и пожалуй все что я вижу! Разницы м/у большим и малым сигналом не ощущаю. Помогите с пониманием.
2. Как решается вопрос с самовозбуждением транзистора при измерении тюнером? А то все говорят, а ни кто не говорит как.
3. Про вашу работу. Что вы можете измерить? (частоты, мощности, шумы, размеры и т.д.) Я буду горд за нашу науку.



Немного о технологическом отставании:
Я могу судить только о том что я вижу пусть на примере ХОРОШЕГО завода ЭЛЕКОНД (был я там недавно).
- нужен алюминий технический высокой чистоты - в россии не делают, говорят пивные банки проще и выгоднее (закупка или китай или европа).
- нужна химия - все что можно уже израсходовали, в россии не делают (приходится тамже покупать)
- бумага - молчу.....
немного добавлю и скажу для тех кто считает - что алюмин электорлит конденсаторы уже умерли это не правда, без них еще долго техника не сможет обойтись. Я даже готов плюнуть в того кто так скажет.

Про другие отрасли:
Если вы представляете компанию которая разрабатывает микросхемы - то почему я невижу микросхемы по цене, параметрам и габаритам мирового уровня? где наши ERA-3, где наши Atmega, где наши Spartan и акулы? (почему в перечне МОП их нет?)
Про космос:
Видел я блок для космического корабля где устанавливали кварцевые резонаторы HS-49 фирмы сунмао!!!!!! и какой я должен сделать вывод? Технологии замерли на уровне 83 года (оцениваю по 2 институтам нашей страны которые в москве)
Про авто:
Привозят нам (в россию) сборочые линии даже после кореи и китая и мы гордимся нашими новыми заводами и новыми авто!!!!!. Уже свое даже не пытаемся сделать.
Про глонасс:
Разработка РНИИ КП 80 годов, до сих пор не вывели на 100%.
Одежда, чеснок и огурцы из китая.
Куда я должен смотреть? и кого искать?

р.s. Мне интересно измерение S-параметров хочу научится. Могу чем могу помочь тем кто поможет мне.

[quote name='serega_sh____' date='Jul 1 2009, 13:54' post='616110']
Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

Я тоже не большой спец в измерении S-параметров. Но пытаюсь провести работу, на данный момент, начитавшись литературы иностранной, конструируем технологические корпуса, чтобы потом попробовать обмерить тупо S-параметры на 4-х портовом векторном анализаторе. Как что то стоещее получиться обязательно сообщу.

[quote name='serega_sh____' date='Jul 1 2009, 13:54' post='616110']
Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

Чем больше занимаюсь проработкой измерения S-параметров отечественых транзисторов, тем больше хочеться обратиться с этим вопросом к кому-нибудь насторону. К примеру к http://www.ellics.com/facilities/microwave-measurements

Какова мощность транзистора? Если более 10 Вт и на транзисторе будет питание в момент измерения (а как иначе? :-)) то тупо лишитесь анализатора, спалив вход загенерившим транзистором. До 10 Вт в принципе можно мерять с аттенюаторами. А при больших мощностьях нужна согласованная нагрузка по входу и выходу. По выходу лучше применть load pull, отдельный мощный ВЧ усилок со следящим генератором, который работает в противофазе с измеряемым транзистором и "съедает" всю генерируемую вч энергию.
Не забывайте, что анализаторы в основном 50 омные по входу и выходу, поэтому н той зондовой станции что на фотографии можно мерять только достаточно высокоомные транзисторы (малой мощности). Если вы попытаетесь обмерять на ней 50 ваттный транзистор в режиме большого сигнала, то будет фейерверк ценой в несколько килобаксов как минимум.

Зачем S-параметры? Почему недостаточно вх и вых импедансов (измеряемых по старинной методике Моторолы).
В чем проблема обмерить на векторнике мощный каскад, скажем на 30 Вт. Ставим нв выходе 100 Вт аттенюатор на 40 Дб и вперед. Я это проделывал с RD30HVF1 и векторником Advantest. Настраивал вручную цепи на входной КСВН и максимальный КПД при заданной вых. моще и частоте, затем вынимал транзюк и обмерял полученные импедансы вх и вых. цепи на настроечной плате. Правда, импедансы мощных каскадов очень низкие - 0,5...1 Ом и точный замер просто невозможен.

Сообщение отредактировал Isomorphic - Jul 2 2009, 12:23

Аттенюатор то 50 омный, а транзистор, как сами справедливо заметили, 1-омный. Что будет со стабильностью схемы?. А с транзистором? Моща то пойдет обратно в транзистор при таком КСВ, а не рассеится в аттенюаторе.
А вот тут вы сами тюнером работали, только не автоматическим а ручным с педальным пардон, паяльным приводом :-)
Потому что S-параметров достаточно для моделирования схемы (по крайне мере при таком самом режиме каскада). И если уже возможность померять вх и вых импедансы, то что стоит на автомате домерять еще два коэффициента?

Дык я же согласовываю выходной цепью 1 и 50 Ом, зачем моще идти обратно?
Естественно согласование делаю аккуратно, сначала при пониженном питании и смещении, чтоб не попалить.
К-ты передачи S21 и S12 померить можно при наличии включенного каскада, и S11 тоже.
А вот S22 - косвенным образом оценить через комплексно-сопряженное сопротивление выходной цепи на плате.

Сообщение отредактировал Isomorphic - Jul 2 2009, 14:30

А что мешает составить нелинейную модель транзистора и расчет согласующих цепей проводить в каком нибудь симуляторе???
Ну а если усилитель в классе А, то для расчета согласующей цепи по критерию максимальной выходной мощности достаточно и малосигнальной модели.
Например у "IMST" (www.topas.imst.de) есть программа для расчета параметров нелинейной модели транзистора, по измеренным малосигнальным S-параметрам (вроде и пробную версию скачать можно).
Также довольно подробно эта процедура описана во многих книгах.

Например вот здесь довольно подробно описана процедура составления малосигнальной и нелинейной модели

За статьи спасибо. А по поводу только моделей- в этих же статьях видна верификация модели измерением реального транзистора. Чем мерять будете? Или надо впихнуть старый советский транзистор в новую разработку (ну попадаются странные заказчики). Или расскажите мне как по малосигналке наристовать модель для GaNовского транзистора, особенно для такого, которого еще в реале нет, и ширина затвора еще не выбранна итд. А когда кристалл сделают, прийдется мерять S-параметры при полукиловатной мощности, а иначе неинтересно.
Чего вы боитесь так этих тюнеров? Обычная воздушная коаксиальная линия. Ездит по ней пара стабов фторопластовых, ближе-дальше пододвигается. Три шаговика, три ходовых винта. Не сложнее матричного принтера устройство.
Кстати, выпаивать транзистор ненадо именно потому, что тюнера прокалиброванны перед измерением, и по калибровочным таблицам интерполяцией импедансы легко вычисляются.

Еще раз повторюсь для составления нелинейной модели транзистора, ненужно измерять S-параметры при большой мощности. А проверять ее адекватность надо уже в спроектированном усилителе.

Сообщение отредактировал YuriyMatveev - Jul 3 2009, 06:36