Модель СВЧ транзистора как мне кажется очень сложно описать не имея в этом опыта, все равно что пальцем в небо попасть. И вообще данную модель только сам разработчик этого АЭ может привести, если таковой вообще есть на отечественые АЭ. А так нам то надо S-параметры на 2Т9119А-2, 2Т982А-2 и т.д. по перечню МОП, которых нету в ТУ. За скромное вознаграждение конечно же.

Как я понял основные специалисты измеряют мощные транзисторы и на низких частотах.
1. А зачем вам S-параметры для мощных транзисторов?, ведь вы при постановке задачи нарушили основные концепции S-параметров. (S-параметры - параметры малосигнальные). Это первая погрешность которая у Вас вкралась. Потому что Вы разогнали свой транзистор до P1db или еще хуже до P3db.
2. Погрешности при измерении и калибровке, особенно по фазе! у вас еще сильнее сведут ваше творчество к нервному стрессу.
3. Если вы измеряли параметры транзисторов то:
3.а. Есть ли повторяемость параметров у транзисторов?
3.б. Сходятся ли Ваши измеренные модели с реальными (отрегулированными) платами. Или потом как обычно все индием залеплено.

Может мы говорим не о том? Может S-параметры правельнее применять для расчета других цепей? (например малошумящих транзисторов)




Можете набросать эскизик схемы измерения? (Цепь согласования содержит 2 порта (вход и выход), если к одному порту подключен анализатор то к другому подключен .....). Как калибруется это что то что подключено ко второму порту? Какая конструкция у этого чегото?


1. Почему? измеряют ведь ESR конденсаторов при помощи E4396 а это тотже векторник, но с установленной програмкой пересчета матрицы рассеивания.
2. Как Вы оцениваете погрешность измерения? может она у Вас превышает измеряемый параметр и поэтому вам показалось, что точный замер не возможен.

Слушайте, откуда Вы взяли про малосигнальность S-параметров, дайте линк что ли!? S-параметры связывают падающие и рассеянные на (от) устройство(а) волны!!! Выбрали мощность зондирующего сигнала и измеряете при этом эти параметры, взяли другую мощность - опять же получаете S-параметры, но если устройство начинает проявлять нелинейность, они будут отличаться.


Потому что векторники имеют минимальную погрешность при подключенном импедансе, близком к 50 Ом.

P. S. Кстати, S-матрица рассеяния, а не рассеивания, правильно обзывается.

А что физика работы отечественных транзисторов отличается от зарубежных????????
Причем разработчики не всегда предоставляют модель транзистора.
Что касается измерения S-параметров элементов (любых), непосредственно в референсной плоскости , то в app.note у agilent все довольно подробно описано
(еще важно обратить внимание на фазу сигнала при составлении модели разъема)

Не физика а документация. Где вы видили S-параметры для отечественных транзисторов? Хотя бы в виде одномерных таблиц, а не многомерных массивов (частота, ВЧ мощность, режим по постоянке).
Аппликуху agilent надо тоже с головой читать. Там как то умалчивается, что вдали от 50 ом получится полная фигня. В принципе, можно обмерять не очень мощные транзисторы используя самодельные направленники с волновым сопротивлением 12.5 ом или 5.55 ом, а после и перед векторником ставить трансформаторы 1:4 или 1:9. Но это только в том случае, если векторник позволяет использовать внешние направленники, т.е только самые дорогие модели. И набор калибрационных мер тоже нужен низкоомный. По крайне мере мы S-параметры лазеров для СВЧ модуляции именно так обмеряли, но там хоть мощности высокой нет-

Почитай вот это, и открой прикрепленные файлы, там тоже можно почитать:

И еще советую походить на лекции по математическому моделированию к какомонибудь хорошему преподавателю. А то тут пальцы растопырил.
Слово малосигнальный, смысл не в величене мощности работы, ведь она всегда относительна.

И давайте не будем спамить. Лучше по существу и без личностей.

А вот про погрешность на 50 Омах вы правы. Я изучил документацию на анализатор.
Тогда как измеряются транзисторы с 1 омом по входу или выходу(мощные например)? Это же вообще получается не зачем делать с не нормированными погрешностями.......

Как-то не "вставляет" сейчас столько английского перерабатывать, тем более с переводом таких тонких терминов могут возникнуть неоднозначности... Поэтому объясните мне Вашу фразу:

И, соответственно, следующую:

В чём по Вашему смысл малосигнальности? Давайте уж определимся с терминами.


Никто ничего не растопырил, а на личности, ИМХО, Вы уже начали переходить, хотя, согласен, на них переходить не следует, иначе никакого коструктивного диспута не получится.

Да, это проблема наших транзисторов. Только почему-то производители никак не проснутся. Наверное, старый принцип совковский, что к ним придут, в ноги начнут кланяться и просить продать продукцию. На многих предприятиях в службах снабжения, по крайней мере, засели люди именно с таким совковским восприятием, а руководство даже не догадывается (это тоже уже проблема, но руководства). Приходилось на таких нарываться.

Вообще, для получения адекватных результатов, параметры транзистора надо измерять в условиях, максимально приближенных к его рабочим в готовом устройстве, но далеко не всегда это возможно, поэтому и проблема стоит очень остро. В некоторых векторниках предусмотрена возможность измерения большесигнальных S-параметров двухчастотным методом, но в этом методе уже заложена неустранимая методическая погрешность в определении (S11, S21) и (S12, S22) на разных, хотя и близких частотах. Да и вообще малопонятна физика большесигнальных параметров при возбуждении усилителя со стороны выхода, как "ответит" на это транзистор и как это применять!?

Полность согласен с автором данного утверждения, но возникает вопрос, как в таком случае буржуи приводят s-параметры измереные в малосигнальном режиме http://www.eudyna.com/e/products_e/s_param..._parameter.html. По ним они проектируют усилители мощности. Получается что s-параметры измеренные при малом зондирующем сигнале (это и понятно векторник больше и не даст) мало будут отличаться от s-параметров измеренные при большом зондирующем сигнале (если это возможно) ? Иначе бы их УМы не работали.

Прошу прощения, я погорячился с личностями.

Привожу Вам статью где дано определение малосигнальности.
На стр.11 по файлу* (или 1-4) первая строка на листе(Перевожу как умею):
S-параметры полностью определяют поведение устройства при малом сигнале.

И мой коментарий - малый сигнал, характеризует устройство находящееся на линейном участке своей характеристики. Будь то, диод в открытом состоянии или транзистор в режиме А. Если же устройство начинает вносить нелинейные искажения, например сигнал становится большим, нужно описывать устройство другими, нелинейными характеристиками (например SPICE моделями).
Мощные транзисторы работают на участках с искажениями, обычно в точке с компрессией P1db (обусловлено получением максимального КПД). Вот от туда и растут ноги.
Достоинства и недостатки обоих видов моделей думаю Вы знаете....

По поводу S-параметров отечественных транзисторов:
Мое предположение. Технологии изготовления не позволяют получить повторение характеристик транзисторов (большой разброс параметров). Поэтому нет смысла приводить, то что изменяется очень сильно.
Вы измеряли характеристики отечественных транзисторов? повторяются ли характеристики от транзистора к транзистору в пределах партии или от партии к партии?


* - Прошу прощения прикрепить файл не получается, размер 5Мбайт.
Название: "S-parameters...Circuit Analisis and Design (AN 95) Agilent
Номер документа: 5952-0918
Издание: Сентябрь 1968

Ну вы прикололись . 1968 год- это более менее только S-параметры изобрели и стали внедрять. Понятие о большом сигнале для СВЧ транзисторов того времени- это вообще абстракция. Просто привыкните к тому, что на большом сигнале S-параметры это не одномерная табличка от частоты, а весьма многомерный массив, иногда даже с гистерезисом. Даст ли не даст производитель диск с этим массивом- это часто впрос подписания NDA. Необходимость этого массива для проектирования усилка тоже вопрос открытый. Зависит от широкополосности, необходимости работать с глубокой АРА на разных уровнях мощности итд. А SPICE модели только на НЧ используются.

Статья хоть и не свежая, но суть затрагивает. Не всегда новое это хорошо. Вы меня не убедили в том, что статья прокисла.

А вот про, то многомерный массив S-параметров я не слышал. Можно попросить у Вас нескролько статей на эту тему для затравки.
В каких программных продуктах это реализовано?
Кто из производителей мощных транзисторов делает такие массивы?
Почему они не для всех? (это же тормозит продвижение товара)

Может это еще одна идея от какогото производителя, которая пока не нашла широкого применения.

Дык вроде идея от Maury Microwaves. Читать например мануал от Automated Tuner System http://web.doe.carleton.ca/~nagui/labequip...ull/MT993-2.pdf Обратите внимание на Sweept power режимы и визуализации этих данных.

В описаниях не некоторые элементы приводятся характеристики устройства при разных напряжения питания. Вы это имеете в виду? Возможно есть и более подробные измерения. Но нужны ли они? Если их будет больше, то у меня монтажница лучше паять будет, или AWR расчитывать точнее будет?

А как по Вашему моделируют нелинейные характеристики устройств? Используют какие модели?



То, что я увидел:
Если это работает, то очень хорошо. Молодцы буржуины. Я рад за них.
Это комплекс для измерения параметров устройств. Автоматизированный. И ни чего более. Пусть я хоть и перестыковываю кабели при измерении но делать могу много из того, что они рекламируют (хотя пока еще не получилось нормально измерить S-параметры, чтоб показания были приближены к типовым).
Про тюнеры - это не панацея от всего. Мутные они какие то. Я пока не понял почему.
Про измерение шумов у них тоже немного странно (ГШ-НО-НО-Bias-tuner-СУ-DUT). Могут ли они измерить 0,4дБ с таким нагромаждением на входе (на картинке измеренное значение 6дБ). Я еще поизучаю как они калибруются. А то все просто, чего наши институты так схемы не стыкуют.

Все таки это не то что мне хотелось увидеть. Это описание инструкция по работе с оборудованием. А у вас есть материалы в которых проводятся исследование адекватности полученых результатов. Методику с раскрытием погрешностей при измерении больших сигналов. Повторяемость результатов при разных входных воздействиях. Измерять можно все и всем, вспомните мультик про 38 попугаев.

Обьясню почему я косо смотрю на это и часто не доверяю рекламным проспектам и этому волшебному оборудованию: - есть такое понятие "волшебный бубен", это когда сидит дядька с папиросой и измеряет все параметры какие нужно, периодически постукивая в бубен. Мне не хочется пологатся на "волшебный бубен".

Рад, что удалось повеселить. Однако, если бы вы перед тем как "ржать" внимательно прочитали мой пост, то увидели бы, что я говорю только о том, что S-параметры - это малосигнальные характеристики и нелинейными не могут быть по определению. Это, по сути, вопрос терминологический.
Коэффициенты связи - это более широкое понятие, и именно поэтому Agilent пытается ввести и измерять кроме S-параметров и другие характеристики связи.



1. C тюнером можно непосредственно настроиться на максимум мощности (или КПД) для активного элемента в режиме большого сигнала, а затем воспроизвести параметры тюнера в топологии согласующих цепей. Универсального тюнера (типа Маури) у нас нет - есть самоделка.
Из-за нелинейности параметры рассеяния транзистора в режиме малого и большого сигнала могут заметно отличаться, поэтому схема, хорошо согласованная на малом сигнале (в т.ч. путем измерения S-параметров), может не давать характеристик большого сигнала.
2. Решается как везде - настройками тюнера стараются не допускать
3. Можем мерить S-параметры, шумы, ВАХ, CV. Строим нелинейные модели. А что вам нужно?

Что касается отставания.
Конечно, мы по многим параметрам отстаем, но не по всем. Самая легкая позиция - стоять и посыпать голову пеплом: "мы отстали навсегда", гораздо труднее и почетнее - у себя на своем, пусть маленьком участке, добиться мирового уровня или выше. Я сейчас наблюдаю, что максимум отставания наблюдается даже не в оборудовании, а в головах.

Между прочим система GPS - разработка еще более старая чем Глонасс.

Рынок бу измериловки и технологического оборудования широко развит и используется во всем мире, а не только в России.

"почему я невижу микросхемы по цене, параметрам и габаритам мирового уровня? где наши ERA-3, где наши Atmega, где наши Spartan и акулы? (почему в перечне МОП их нет?)"
Росийские чипы для часов и калькуляторов по цене победили большинство остальных и имеют то ли половину то ли 2/3 мирового рынка - хотя это и не бог весть какой успех.

Цитата(EUrry @ Jul 4 2009, 23:11)

Слушайте, откуда Вы взяли про малосигнальность S-параметров, дайте линк что ли!?

См. например M. Albulet "RF power amplifiers" стр.47:
" The most common RF small-signal amplifier design procedure is

based on small-signal two-port parameters (y- or s-parameters). This is a

systematic, mathematical procedure with an exact solution and can be

applied to any active linear device. Unfortunately, these parameters are

useless for the design of very nonlinear RF PAs ... "




В принципе вы говорите правильно. Единственое: усилитель в классе А может таки работать и в нелинейном режиме, например вблизи компрессии.

Разброс действительно имеет место. Но как мне кажется дело не в нем, а в отсутствии хорошей метрики, плюс не очень ясное понимание изготовителями востребованности этих характеристик.

Нельзя ли ссылку на файл Agilent


Это всего лишь описание методики измерения.
Ни одна фирма не приводит для своих транзисторов "многомерных таблиц S-параметров для разных уровней входного сигнала и пр." независимо от NDA. Ни один CAD не заточен под работу с такими многомерными таблицами.
Есть S-параметры (возможно в разных режимах по питанию), есть нелинейные модели. Все остальное - это фантастика или благие пожелания автора поста + стремление переусложнить ситуацию, чтобы объяснить свое неучастие в ней

В таком случае указанные Вами комплексные коэффициенты отражения и передачи также не будут являться нелинейными. Они выражаются через те же S-параметры. При S11 = S22 = 0 коэффициенты обратной и прямой передачи равны S12 и S21.
Тогда уж "истинно" нелинейной характеристикой является, например, амплитудная Uвых(Uвх), которая и иллюстрирует нелинейность в прямом смысле этого слова (на СВЧ, наверное, корректнее мощности использовать). Эту характеристику можно либо измерить, либо рассчитать на основе измерений тех же S-параметров при различных уровнях входного сигнала (или, если хотите, комплексных коэффициентов отражения и передачи, которые в конечном итоге могут быть выражены через S-параметры).


Ну и где здесь доказательство? Просто говорится о том, что большинство малосигнальных усилителей проектируется с использованием двухпортовых малосигнальных параметров, но при этом не утверждается, что S-параметры только малосигнальными и бывают. Более того, если бы они являлись таковыми по определению и более никакими иными, то приставку "малосигнальные" просто бы опускали. К чему таскать ненужные слова?


+1