Привет!
Где-то в документации находил какой именно должен быть ESR кондера танталового перед сим300. Сейчас не могу найти.
Дайте пожалуйста новодку или озвучте.
Спасибо!

Sim300 Hardware Description
....
For the VBAT input, a local bypass capacitor is recommended. A capacitor (about 100μF, low ESR) is recommended. Multi-layer ceramic chip (MLCC) capacitors can provide the best combination of low ESR and small size but may not be cost effective. A lower cost choice may be a 100 μF tantalum capacitor (low ESR) with a small (1 μF to 2 μF) ceramic in parallel, which is illustrated as figure1. And the capacitors should put as closer as possible to the SIM300D VBAT pins.

Краткий перевод:
нужен 100 мкФ с низким ЭПС (эквивалентным последовательным сопротивлением).
Идеально - многослойный керамический - но это слишком дорого.
Оптимальный вариант - Тантал 100 мкФ (lowESR) и параллельно небольшой керамический 1...2 мкФ.
Размещать максимально близко к модулю СИМ300

The following figure is the VBAT voltage ripple wave at the maximum power transmit phase, the test condition is VBAT=4.0V, VBAT maximum output current =2A, CA=100 μF tantalum capacitor (ESR=0.7Ω) and CB=4.7μF.

Сообщение отредактировал Master of Nature - Jul 20 2009, 06:04

Спасибо огромное!