Посоветуйте полевик с током утечки СИ порядка хотя бы меньше наноампера. Что ни тыкаю вразнобой документацию, все попадаются с защитным диодом. Это из-за него такие бешеные токи утечки в сотни и тысячи наноампер? Желательно без индуцированного канала, n-типа.

А можно ли запереть полевик n-типа еще больше, от токов утечки, подав на затвор отрицательное напряжение?

Вы видимо ищете среди MOSFET? А вам нужно искать JFET.

А в чем ограничение, что именно транзистор - габариты?
Ведь можно применить микросхемы - ключи MAX326/7, ADG1611/1613.
Температурный диапазон? Сопротивление в открытом состоянии? Быстродействие? Диапазон напряжений? при малых однополярных - какие-нибудь ADG781/783

Сообщение отредактировал ledum - Jul 21 2009, 15:55

Да нет, наверное. Может, вот так:
[attachment=34758:001.pdf] (переименовать в формат djvu. Кстати, почему файлы этого формата запрещены к вложению напрямую?)

Симметричный ключ на двух MOSFET это не то. В смысле, что он не решает проблему топикстартера (утечки в закрытом состоянии). Топикстартер, см. таблицу JFET, например, от ON Semiconductor. Хотя.... если просмотреть даташиты беглым взглядом, то у большинства из них 1нА@25°C гарантируется.

Почему же, это типичное решение для сброса интегратора. Если оно приемлимо схемотехнически, то снимает жёсткие требования к полевикам. И проблему утечек как раз решает.

Например MMBF4117

В принципе и MOSFET-ы выпускаются (выпускались). Просто искать нужно по определению типа small signal MOSFET и т.п. А топикстартер похоже нарывается только на power MOSFET - они первые в поисковиках выскакивают...
У филипса например был BSD22 (можно отдельно "запотенциалить" подложку).
А наиболее правильный путь - это идти на сайт конкретного производителя и шарить там.

Сообщение отредактировал GAin - Jul 21 2009, 17:13

Схема простейшая, накопительный конденсатор заряжается от обратно включенного фотодиода, соотв. токи от долей наноампера до нескольких мА (не хочу лишних дорогих ОУ). Напряжение на конденсаторе до ~0.5-1В, потом подключается (также через полевик) ОУ с усилением G=2..4, и дальше на АЦП. Время зарядки конденсатора варьируется микроконтроллером.
Питание однополярное, 3..5В, отрицательное напряжение и положительное 10В для полевика - накачкой.

Температурный диапазон -40..+50. Сопротивление в открытом диапазоне до 1ком, но это неважно. Будем сбрасывать сколько надо). Быстродействие не критично.

Смотрю также в сторону оптронов типа 4N26, 1нА обратного тока, насыщение тысячные доли вольта,... ого MAX326 - утечка меньше 1пА круто! дорогой правда..

Желательно обойтись все таки не такими дорогими компонентами

Re: alexkok
ага, почитал

Я так понимаю, подложка играет роль второго затвора. Может на нее стоит тоже подать минус, чтобы "сузить канал"


Re: GAin

искал в терраэлекткронике общего назначения, но у всех этот обратный диод (International Rectifier сразу исключал)

Сообщение отредактировал greezol - Jul 21 2009, 18:34

ADG819 + AD8603 до +50С должны прокатить, стоят копейки (американские ). Питания Вашего должно хватить без всякой накачки, ОУ быстрей всего может быть подключен постоянно .

насколько мне помнится, ток обратно смещенного фотодиода при малых освещенностях дает гораздо большую погрешность и меньший динамический диапазон по освещенности , чем схема работы фотодиода при нулевом смещении в качестве генератора тока на усилитель с нулевым входным сопротивлением ( преобразователь ток -напряжение или к примеру ток-заряд на ОУ ) . А Вы собирались что-то там мерять?

Сообщение отредактировал тау - Jul 21 2009, 19:25

от то что надо пожалуй, спасибо






Дело в том что у меня (измерение освещенности, экспонометр короче) скорость измерения практически абсолютно не важна, и хотелось использовать то преимущество, что сигнал можно накапливать, а не снимать моментально - т.е заместо дорогого "лазер-триммед" ОУ тупо поставить "гигантский" 0.1..1 микрофарадный конденсатор и с него не торопясь снимать значение чуть ли не напрямую АЦП контроллера. И тут-то встал вопрос об утечке самих ключей.

Для целей высокой точности (для схемы генератора тока) мне посоветовали интегрирующий усилитель IVC102 - шикарная вещь. Но я хотел сделать схему с максимально дешевыми и доставаемыми компонентами, пусть немного в ущерб точности.

А сколько в пикоамперах или наноамперах темновой ток утечки Вашего фотодиода при 30-40 градусах цельсия?

у дорогого BPW21 - 2 нА/ 25°, значит около 32/ 40°

ФД-256 - 5 нА/25°, но намного меньше чувствительность

В режиме без смещения наверное пойдет только преобразователь, поскольку не представляю как заряжать одиночный конденсатор - нужно прямое смещение не более 0.01В, значит надо как то контролировать напряжение на конденсаторе -> опять втыкать ОУ. Если только как-то переносить заряд...

Сообщение отредактировал greezol - Jul 21 2009, 20:27

Самый дешевый вариант наверное будет если нагрузить фотодиод на низкоомный резистор и сразу оцифровывать, к примеру ADS1230