Почему?
В линейном режиме ОК - верно. В линейном режиме эмиттерный повторитель - имеет самый лучший КПД именно из-за этого.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 19:25

Потому что ток ток коллектора меньше тока эмиттера именно на ток базы. КПД здесь ни при чём.

Я ж не зря предлагал это посмотреть в РЕАЛЬНОМ МАКЕТЕ.
Про ток коллектора/h21 мы в бурсе тоже много слышали и твердо выучили наизусть.

131959G , зависит от того, что понимать под "насыщением" .
Если даташитовский параметр, то возмите к примеру BU2508 , у него напряжение насыщения 5V при токе коллектора 4.5A и токе базы 1.1A.
Поставьте такой транзистор в схему с 5 вольтовым питанием и нагрузкой вэмиттере 0,5 Ома. И показывайте своему другу - мол вот , транзистор в насыщении, работает как будто в схеме с общим коллектором (ЭП) , и напряжение на базе даже не превышает напряжение питания .

Да тут мне читать и читать.
Спасибо.
Вот нарисовал схему мудренную.
Не пинайте сильно пожалуста (я недавно симуляторы осваиваю).
Надеюсь, что на рисунке видны показания приборов.
Вот транзистор В НАСЫЩЕНИИ на схеме (см. рис.) ?


Интересная мысль.
Похоже сначала надо определиться ЧТО ЕСТЬ "НАСЫЩЕНИЕ" ( в смысле его отличительных признаков)???
В принципе меня это тоже волнует.

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 27 2009, 19:50

Допустимым упрощением является приравнивание тока коллектора к току эмиттера. Причём даже в Хоровице-Хилле. И цепляться за эту мелочь можно только когда конструктивных аргументов просто нет


ИМХО резкое падение h21э при достижении некоторой разницы потенциалов между коллектором и эмиттером. У очень редких транзисторов оно определяется еденицами вольт. Но у большинства остальных транзисторов оно измеряется долями вольт, а при малых токах и сотыми долями вольта.


Насыщение (полноценное) будет когда ток базы будет меньше тока эмиттера и при этом потенциал базы будет выше потенциала коллектора (исключительные случаи с особыми транзисторами не рассматриваю).
И рисуйте схемы правильно, чтобы плюс питания был вверху схемы, а эмиттер смотрел вниз.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 27 2009, 20:07

GetSmart
ИМХО - понятно.
Вы считаете, что Вы дали определение режиму насыщения???
На рисунке транзистор в насыщении?????


Понятно.
Вот я не могу добиться такого в схеме ЭМИТТЕРНОГО ПОВТОРИТЕЛЯ в Протеусе (возможно я что то не так в нем делаю).

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 27 2009, 20:06

На рисунке ток базы гораздо больше тока эмиттера, излишек которого утекает через коллектор (прямосмещённый). Если это и насыщение, то я бы назвал "перенасыщение". В принципе, похожий режим может быть и в ОЭ, когда излишек тока базы утекает в эмиттер. Чисто формально - это насыщение.


Резистор 10 омный замените на 1000 ом и всего-то делов.

Самое интересное на рисунке (для меня), что ток в базу и ток в коллектор направлены НЕ на встречу друг другу.

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 27 2009, 20:11

Ничего странного в этом нет. Транзистор в такой ситуации уже не работает в режиме усиления. Формально, режим насыщения не обязывает к усилению тока. Можете транзистор земенить двумя независимыми диодами и получите в точности равное распределение токов. Коллектор в транзисторе нах-ся в прямосмещённом состоянии.

наиболее внятно про насыщение написано в немецкой википедиии


Режимом насыщения они назвали ту рабочую точку , которая находится на восходящей ветви выходной (ausgang) характеристики . Выходное сопротивление к-э при этом значительно меньше чем на пологих участках характеристики.
А вот напряжение смещения коллекторно- базового перехода, не имеет фундаментального значения в этом вопросе. Хотя во многих учебниках так не считают .

По определению - режим насыщения транзистора - это такой режим, когда оба перехода транзистора смещены в прямом направлении внешним напряжением, приложенным к базе. Такое в ОК возможно только при Uб > Uпит. И точка. Все остальное - это следствие физических процессов, протекающих из-за прямого смещения перехода КБ.

А чем это отличается от моего определения - резкое уменьшение h21э (бета) при уменьшении разницы потенциалов КЭ ?

"В военное время косинус может достигать 2-х"(с)
возмите к примеру даташит на приличный транзистор 2SC3807 (Саньо) , оно характеризуется малым напряжением насыщения (см. рисунок)
обведенный оранжевым участок находится в области прямосмещенного Б-К перехода. Однако коэффициент передачи по току базы как был в районе 1000 так и остался при напряжении к-э 0,4...0,6V (и это напряжение меньше чем на переходе Б-Э, то есть потенциал базы выше потенциала коллектора). Грубо говоря - "переходы смещены" а насыщения нет.


А Вы возмите какой нибудь транзистор с горбатой характеристикой H21e от Uce . Например какой-нить дарлингон. Считать ли резким снижением бэты когда она упала в 10 раз при снижении Uce ? а ведь насыщение еще не началось. Поэтому понятие "резкое уменьшение" - недостаточно полное, имхо.

Сообщение отредактировал тау - Nov 27 2009, 21:37

Я конечно понимаю, что надо разжевать все с точностью то математических формул модели транзистора, чтобы тут не докапывались. Кому это очень интересно, пусть обратится к какой нибудь модели транзистора, достаточно точно описывающей его поведение, самостоятельно. Например к тем, которые используются в SPICE. Понятно, что есть переходный режим между активным и насыщением. Как и между отсечкой и активным. Где "ни то ни се". Точно также, как и для ухода в глубокое насыщение необходимо превышение прямого смещения перехода КБ какой-то величины, зависящей от технологии, геометрии и материала транзистора. Но это уже нюансы. А суть насыщения - режим работы транзистора при прямом смещении перехода КБ, и физические процессы, происходящие вследствие этого. Сама "переломная точка" характеристики при этом будет, разумеется, на каком-то определенном, но обязательно прямом, смещении.