Ну скорее всего выходное сопротивление не меньше, а больше. И судя по графикам оно относительно линейно в некотором диапазоне Uce от нуля. Но это сопротивление не факт, что связано с понятием насыщения. У полевиков JFET есть похожее свойство.


Кто сказал?!
Почему не считать?

Моё определение легче в понимании "процесса", чем график в немецкой википедии. По крайней мере в немецком я не шарю и кроме графика там всё равно ничего не пойму.
Кроме того, есть не только насыщение по напряжению, но и насыщение по току, которое опять же характеризуется снижением беты при превышении предельного тока транзистора.

Даже дополню свое предыдущее высказывание, регионы работы транзистора вполне четко определены через напряжения 5*Nf*k*T/q и 5*Nr*k*T/q для Uбэ и Uбк соотв., где k постоянная Больцмана, T температура, q заряд электрона, Nf коэффициент эмиссии прямого тока (БЭ), Nr - обратного тока (БК).

соотв:
активный режим Uбэ > первого && Uбк <= второго.
инверсный режим Uбэ <= первого && Uбк > второго.
насыщение Uбэ > первого && Uбк > второго.
отсечка Uбэ <= первого && Uбк <= второго.

так вот - куда попали Uбэ и Uбк - таков и режим. А что там делает в это время бета и прочие параметры - никого уже не волнует. На самом деле бета (ни прямая, BF, ни обратная, BR) не меняется ни в каком режиме, а вот смена знака тока на диоде БК и его существенное повышение (по модели Гуммеля-Пуна) - серьезно меняет дело.

Можно спорить очень долго: где начало того конца которым кончается начало.
По-простому, считали всегда, что если напряжение на БЭ выше, чем на КЭ, то это уже насыщение.
Можно, конечно, еще уменьшить напряжение КЭ, но там уже очень большая нелинейность за счет быстрого уменьшения усиления по току.

"RC" - сопротивление тела коллектора, в спайс модели определяет наклон выходных характеристик в области насыщения
чиста по закону Ома. Сколько надо столько и поставят. Надо военным корректная спайс модель после спецфактора - увеличат RC во столько раз , сколько намеряют после испытаний. Бэтту уменьшат, токи смещения увеличат и т.д. Модель все стерпит.
Когда в ТУ записано значение 10Вольт насыщения на 2T839 после спецфактора (по памяти), при бэтта=2 , как-то о прямом смещении б-к перехода даже и недумается, чесслово. И переломная точка соответственно "съезжает".
Так что как раз не с научной а инженерской точки зрения, прямое смещение коллекторного перехода в насыщении - не факт. Хотя соглашусь вот в чем: Для большинства широкораспространенных биполярных транзисторов , ситуация с прямым смещением коллекторного перехода в насыщении имеет место быть.

А какой становится постоянная Больцмана по этим ТУ после "спецфактора". И какой заряд у электрона во время него?

Придумайте что-нить себе смешное, про косинус я написал , оказывается мало...

Вот именно. И я об этом же. В части вашего "RC". RC отнюдь не описывает наклон хар-ки в насыщении. RC описывает неидеальность, вызванную сопротивлением. Т.е. "паразита". А наклон и Эберс-Молл описывает без всяких там R вообще. Не говоря о Гуммеле-Пуне, который его расширение.

По аналогии с диф.сопротивлением, лучше для определения насыщения использовать диф. бету, то бишь dIэ/dIб. Вот по ней будет конкретно видно вход в насыщение. Причём у дарлингтонов будет достаточно сложная (вероятно двухуровневая) функция насыщения, потому как обычно в них ставят резистор, шунтирующий базу нижнего транзистора. А у всех несоставных транзисторов будет очень чёткое падение диф. беты при входе в насыщение.

Вот не страшно вам всем имена такие, на ночь глядя, всуе ворошить....
Вы еще к строгой теории табуретки Бойля с Мариоттом в газовыделении, Джозефсона в части узкощелевых потоков и критику Конфуция в филейной части употребите.
Стартовая тема. ей-богу, не стоит таких углубленных споров.

Откуда эти божественные знания?

Из расширенной модели Гуммеля-Пуна, которая применяется в родном берклевском SPICE. (А модели лучше, более точно показывающей процессы в транзисторе, я не знаю. Не считая всяких там 3D-сольверов по обсчету полей в объемных структурах) А без этих знаний - насышение просто когда Uбэ > Uкэ. И даже если его (насыщения) еще не видно на кривой, то оно уже началось. Просто не глубокое, а первые его влияния.

А вы чего к бэте привязались? И еще какую-то дифференциальную ввели? Возьмите Эберса-Молла, там все как на ладони понятно, что и откуда берется. И никаких дифференциальных бэт нету И вообще обе беты, прямая и обратная, они константы...

Прочитал главу про модель Эберса-Молла из книги Хоровица-Хилла. Не нашёл какого-либо определения о "регионах" работы транзистора. Там много каких формул есть, связанных с транзистором, но нет регионов. Кроме этого, я там нашёл кое-что связанное с диф.бетой. Это диф. сопротивление эмиттера (для малого сигнала). И именно она является аналогом моей диф.беты Вот именно диф.сопротивление резко падает в режиме насыщения транзистора, причём абсолютно любого транзистора.

Так что укажите конкретую литературу с чётким описанием "регионов" работы транзистора.


Первые влияния у некоторых транзисторов могут появиться намного раньше.

У ХХ там обрезок от Эберса-Молла, где пренебрежено членом, отвечающим за насыщение . Т.е. If есть, а Ir - увы, покоцан. Вы полную модель смотрите.


Конкренее некуда - я же сказал - берклевская модель биполярного транзитора.


Вот гуммель-пун http://virtual.cvut.cz/dynlabmodules/ihtml...ond/node48.html
И внимательно посмотрите If, Ir (токи через БЭ и КЭ) и как они влияют на IT - ток КЭ. А эберс-молл это обрезок от гуммеля-пуна в части выкидывания зарядовой части.

А для "тау", заодно, и где расположен RC. И ничего странного в том, что побывавший "там" транзистор имеет неодуплимую чисто резистивную составляющую перехода. Оттуда и кажущееся напряжение насыщения в 10 вольт. Хотя на самом деле оно сложено из 9.5 на RC+RE и 0.5 на Uкэ, и требование Uбэ>Uкэ выполнено.

Поискал ещё в той книжке. Там в приложении Ж есть описание (имхо на определение не тянет) насыщения. Там считается, что в режиме насыщения, когда потенциал коллектора ниже базового, часть тока базы просто отнимает прямосмещённый диод коллектор-база, то есть через этот диод ток базы "утекает" мимо базы, в виртуальный переход коллектор-эмиттер.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 28 2009, 01:20

Вот это абсолютно правильное определение, правда немного криво сказанное. Он не только "утекает", но и вносит свой вклад в проводимость самого "виртуального перехода". Через обратную бэту (BR, Beta Reverse). Когда привычная нам бета - это прямая бэта, BF, Beta Forward. Обратите внимание, что в формулах, моделирующих транзистор, Vbe стоит на равне с Vbc. Да и физически коллектор от эмиттера мало чем отличается, кроме площади перехода.