Тогда объясните почему некоторые (высоковольтные?) транзисторы не подчиняются этой модели и у них на рабочих (на любых?) токах в режиме насыщения потенциал коллектора никогда не опускается ниже базы, при том что бета значительно падает.

Вы модель-то саму смотрели? В ее описании, я ссылку давал, там картинка такая, в начале... На схему похожая. На ней RC и RE есть - резистивная составляющая перехода, его неидеальность, "паразиты". Вот на них эти лишние вольты и падают. А условие что Vb'e' > Vc'e' (штрихи тоже взяты из модели, со схемы, и из формул) полностью при этом выполняется, и транзистор в насыщении. Так что подчиняются они этой модели, еще как подчиняются. А сопротивление (обычное омическое) существенное у переходов и появляются из-за высоковольтности - надо же сделать их непробиваемыми... А это без жертв не дается.
Кстати на малых токах, где влияние RC/RE не существенно, и у этих транзисторов Vce упадет ниже Vbe, никуда не денется, физику не обманешь. Можете тестером проверить... Если моделям не доверяете


-----
вдогонку... Советую задуматься, где и зачем диод Шоттки стоит в ТТЛШ-логике. И почему время выхода из насыщения значительно выше, чем из активного на грани насыщенного. Тогда вопрос про насыщение еще прояснится.

P.S. В общем модель она на то и модель, что наиболее близко к истине описывает происходящие процессы. В отличие от всяких надуманных дифференциальных бетов, сделаных лишь для упрощения рассчетов, но уводящих в сторону от реальных процессов.

Шунтирует переход БК. Ну и что? Формально он не мешает насыщению, он мешает глубокому насыщению. Я только мельком слышал о физике этого процесса, знаю что это связано с рассасыванием заряда базы. Но на практике столкнулся (немного изучал) это свойство "изобретая" относительно быстродействующий 24В push-pull на КТ961/КТ9180. В той схеме база биполярного транзистора была похожа на затвор полевика, именно в те короткие моменты резкого переключения. То есть ёмкость приходилось выкачивать приличную. Причём откуда там берётся эта ёмкость я так и не понял. Но она наверное на порядок больше обычной ёмкости коллектора и эмиттера когда он в линейном режиме. Когда я слишком быстро выкачивыал заряд базы (с помощью эмит.повт.) некоторые ключевые транзисторы умирали только из-за этого, причём нагрузка в коллекторе была намного ниже предельной.


А мне казалось для упрощения понимания свойств схемы. Ну будет перед носом лежать формула Эберса-Молла или ещё какая-либо. Да хоть ВАХ транзистора. По ней совсем неочевидны свойства падения беты. А бета является основой в расчётах схемы. Кроме того, модели есть у малой доли транзисторов, то бишь для большинства остальных совершенно непонятно как они себя поведут в схеме. И под конец - физически потенциал коллектора высоковольтного транзистора в режиме насыщения может быть больше потенциала базы, по каким причинам - допустим ясно, но всё равно больше, и определение, завязанное на потенциалах на выводах транзистора - недостаточно чёткое.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 28 2009, 02:20

В бАзу не потечет ток больше, чем ток коллектора/h21

А как вам вот такая простенькая схема, где ток базы ничем не ограничен
и зависит только от тока коллектора(эмиттера).

Прочитал всю тему уже два раза.
Пока понял только вот это:

Первый раз со мной такое.
Нарисовал ЭМИТТЕР ВВЕРХ и сразу (больноблин).
Больше не буду.

Ошибаетесь. Переход КЭ, открываясь, шунтирует переход БЭ, пытаясь закрыть транзистор и ограничивая ток базы. Диодное включение называется, транзистор пожизненно в активном режиме. Итого в базу течет всегда лишь Ik/h21э, и I = Ik + Ik/h21э, ток базы ограничен... Тепловым пробоем транзистора.


Это не сколько емкость, это восстановление открытого перехода БК, как восстановление любого диода. (Даже если напряжение снаружи на коллекторе больше, чем на базе, внутри все равно переход БК открыт в прямом направлении, именно переход, а не само "тело" коллектора, которое не переход, а тупое R n-типа (или p)) А если вспомнить площади переходов БЭ и БК... Тогда станет понятно, почему это восстановление гораздо тяжелее, чем восстановление одного открытого БЭ.


Вот мне вообще непонятно, на кой при рассчете насыщения бета (вот в этом "падающем с насыщением" понимании) вообще? Если в насышение транзистор априори попадает лишь тогда (ОК от автора темы в расчет не берем), когда источник в коллекторе физически не может обеспечить достаточно тока для выхода на линейный режим? Просто для оценки необходимого тока, который вдуть в базу, чтобы глубоко насытить? Но это не сложнее рассчитывается из формул модели, но гораздо точнее.

SM
Спасибо.
Эти два вопроса (во всяком случае мне так кажется) ближе всего к моему пониманию режима насыщения транзистора.
Вот только эту идею возможно ли "привязать" к схеме с общей базой?
Это конечно к теме не относится, но все же - как Вы думаете (я про общую базу)?

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 28 2009, 11:09

Еще как можно - это используется в трансляторах уровней на каскадах с общей базой. При этом входной сигнал подается на эмиттер (допустим лог. уровни 1.8 вольта), на базу - порог срабатывания+0.6вольт, а коллектор - к + питания выхода через резистор. Итого - когда на входе (эмиттере) 0 вольт, то транзистор глубоко насыщен, на выходе тоже околоноль вольт. Когда на входе 1.8 - транзистор закрыт - на выходе хоть 100 вольт, сколько там на коллектор подано.


Это один из вариантов того, как транзистор оказывается в насыщении. Другой - вам уже приводили, с вашим же ОК, когда напряг на базе превышает VCC.

Там речь шла о том, что снаружи ток базы не ограничен. И транзистор из базы берёт при этом ровно столько, сколько ей нужно по-минимуму, то есть бету. В ОЭ база возьмёт столько, сколько "вкачают".


То бишь если я возьму диод, "открою" его током например 0.5А и попытаюсь закрыть с помощью эмиттерного повторителя, то в (короткий) момент закрывания у меня через повторитель потечёт ток значительно выше 0.5А, грубо говоря несколько ампер, только из-за того, что переход диода превратился в ёмкость и успел накопить заряд?

Спасибо ВСЕМ кто ответил в теме.
Ноги у темы выросли вот отсюда:
http://forum.cxem.net/index.php?showtopic=...mp;#entry573949
Думаю, что все получилось достаточно пристойно и польза от посещения этого ресурса будет для всех.
Приглашаю и ВАС Разработчики на Паяльник.
С уважением!!!
Гена.

0,6 вольт на базу???,
маловато будет.
Вы не учитываете уровень входного лог. 0, обычно берут середину ворот 0,8...2,4В.

А Вы читать не умеете. "порог срабатывания+0.6вольт" это не равно 0.6 вольт, если порог срабатывания не нулевой. И вообще, я приводил в пример 1.8-вольтовую логику, там порог аккурат 0.9 вольт. Значит на базу - 0.9+0.6=1.5. А Вы откуда-то про ТТЛ придумали. Типа "чукча писатель".


В общем, чем бы Вы там его (диод) закрывать не пытались, придется "рассосать" заряд Qrr, прежде чем он закроется. И он, естественно, будет рассасываться в виде броска тока. Применительно к базе транзистора - рассосать Qrr только с БЭ, или с БЭ+БК - две большие разницы. А шоттка - она восстанавливается как обычная емкость, в том одно из отличий от классических диодов.

Вопрос к знающим:
Если транзистор расчитан на предельный ток 3А например, то этот ток можно "гонять" только через виртуальный переход КЭ или через БК в прямом смещении тоже? Обычно у транзистора регламентируетсяпредельный ток базы, но если более точно разобраться - куда он относится - к току БЭ или к любому току базы?

К любому.
А по логике - допустимый ток через БК должен быть больше, чем через БЭ и через КЭ (которые, опять же по той же логике одинаковы и определяются переходом БЭ), так как переход БК имеет большую площадь, чем БЭ. Но сейчас технологий столько, что там черт ногу сломит... Мало ли что у кого понапридумано... Ну и плюс - что чем разварено и какая площадь контакта - это дополнительное ограничение на ток базы, актуальное для мощных девайсов.

Это я к тому, что получается ток разряда базы тоже необходимо ограничивать, чтобы транзистор не помер. Я прав? Хотя формально процесс разряда не влияет на (не увеличивает) прямой ток БЭ.