неоптимальность мощного ключа будет выражена в медленной скорости спада тока коллектора , когда напряжение на коллекторе начнет расти. Если у Вас с динамическими потерями в этой схеме все нормально, то пускай будет так как нарисовано . Но есть "плохие " высоковольтные транзисторы, у которых время спада тока коллектора 0,6...1,5 мкс, напряжение на коллекторе поднялось например до нескольких сотен вольт , а ток еще составляет амперы (допустим в насыщении было 10А) . Если Вам надо в этой схеме снижать динамические потери, то управление вторым транзистором потребуется переделать.
То что Вы говорите о разряде: "быстрый разряд базы до нуля" то это не совсем точное описание процесса. Предположим, потенциал Вы сравняли с эмиттером, но заряд еще не исчез в объеме кристалла (про микрофарады SM расчет показывал).
Про полную нейтрализацию эффекта Миллера тоже говорить нельзя в этой схеме. Заряд Миллера в этой схеме по-любому пройдет через первый транзистор , после выхода из насыщения второго транзистора. Миллер нейтрализуется в схеме с общей базой, когда заряд миллеровской емкости уйдет в цепь земли минуя цепь управления, подключенную в эмиттер.

Это ещё почему? Или по сравнению с чем? По сути, в схеме сделано всё, чтобы скорость спада тока (нарастания U на коллекторе) была максимальной. Что не так, или что и как ещё можно улучшить?


То, что он не исчез внутри - это неизбежность. ИМХО формально "снаружи" я сделал всё для того, чтобы заряд исчез максимально быстро. Опять же невидя альтернативы (которой я не знаю) утверждать на 100% рано.


При полном выводе базы из режима проводимости не может быть эффекта Миллера. Причём в ОБ для высокопольтных транзисторов (у которых большие внутренние R) эффект Миллера будет аналогичным как в моей схеме, т.к. ёмкость коллектора будет влиять на переход БЭ напрямую, а уж потом через относительно высокое сопротивление базы уходить в питание/землю. То, что в моей схеме эффект Миллера второго каскада (ОЭ) будет влиять на ток в первом каскаде я и не спорю, но на скорость переключения ОЭ это не повлияет. Для высоковольтных транзисторов было бы уместно смещать базу вообще в отрицательную область. Припоминаю, видел схему ЗУСЦТ телевизоров и там чиста электролитом загоняли в базу минусовое напряжение.

По сравнению с тем , когда запирают высоковольтный транзистор через индуктивность , подключенную к источнику -4...-5 V . Величина этой индуктивности определяет скорость dI/dt изменения тока базы с + на - и рост запирающего тока в "-".
Существует такое значение индуктивности , при котором "Turn-off fall time" будет минимально возможным ( но при этом время рассасывания не будет минимальным !) . После окончательного запирания требуется погасить эдс самоиндукции этой индуктивности , чтобы она не вызвала пробой б-э перехода обратным напряжением и также не вызвала ложного включения транзистора вторым полупериодом. Если сделать Tfall очень маленьким, то потери возрастут в статике во время рассасывания (начнется небольшое повышение Uкэ перед выключением). Искать компромисс ... Иногда в даташитах уже рекомендкется некоторый набор типа (ICmax = 4.0 A; IB(end) = 0.9 A; LB = 6 uH; -VBB = 4 V; (-dIB/dt = 0.6 A/ms)
(А оно Вам нужно ?, может Mosfet проще будет?, если дело до киловольта) .


Это было давно и очень плохо сказывалось на надежности тех блоков питания, где стоял такой электролит в базе 100х63 . Он от непосильной работы часто высыхал . Сегодня в самых дешевых китайских БП электролит в базу не ставят. Силовой биполяр что-то типа 1710 а базу разряжают на выключение транзистором 2SC3807 по схеме ОЭ. Это тоже плохо, частые отказы а горит дотла.

Попробовл пересчитать этот заряд в ёмкость. Если взять 0.6 вольт на базе, то эквивалентная ёмкость аж 12 мкф! Это же на несколько порядков круче чем у полевиков. Наример у IRF740 и IRLR2905 (который на 40А) всего 30-40 нКл заряд затвора.


Дело (схема) на уровне 24В на выходе и 3.3V управляющее, и транзисторы все с низким внутренним сопротивлением. Вобщем понятно, для высоковольтных схем можно придумать более замороченную схему. Но в моих условиях она никак не ускорит выходной транзистор, будет только черезмерно сложная.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 28 2009, 23:36

Так, от простого эмиттерного повторителя пошло, пошло, поехало....
Когда ж уже схема и модель коллайдера с черной дырой будет? )

Такого понятия нету, как токовое насыщение. Насыщение - оно просто насыщение. Но я надеюсь понял что Вы спрашиваете, т.е. учитывает ли модель восстановление переходов БЭ и БК как диодов.
Зависит от кол-ва заданных параметров. А дальше спайс сам выбирает модель для использования (эберс-молл или гуммель-пун, первый не учитывает заряды областей, второй учитывает, кстати, второе название гуммеля-пуна - интегральная зарядовая модель). Для большинства моделей, поставляемых производителями, учет этого есть.



Ну я и выбрал нечто первое попавшееся, не выискивая наилучший экземпляр с этими параметрами....

Не, не это. Возьмите транзюк, допустим КТ3102 и померьте бету при 10 мА в эмиттере. Потом бету при 100, 200, 300 и т.д. Для больших токов ессно в импульсном режиме (десятки мс в импульсе), чтобы транзистор не нагревался. Так вот, при одинаковых напряжениях на КЭ и длительности импульса у транзистора резко будет падать бета при переходе некоторой границы. Для КТ315 это около заявленных 100 мА. Он же никогда не выдаст 1А даже если в базу вдуть 100мА. Ессно всё из-за ограниченной площади переходов. Но аналогия с признаками обычного насыщения была хорошая, до введения модели эберса-молла и гуммель-пуна


Меня больше интересует среднестатистические показатели, например у одинаковых по рабочему току/частоте/пр. параметрам полевиков и биполяров. Ну то есть у кого ток больше нужно перекачивать из базы/затвора в режиме насыщения.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 29 2009, 07:37

У классических параметрических моделей - не в курсе, не интересовался и не нарывался. По идее должно. Проверьте сами. У геометрических моделей, заданных периметрами и площадями переходов - моделируется, я случайно нарывался на это, не подумав нарисовав слишком маленькие биполяры при разработке ИМС.


Вообще не очень корректное сравнение. Если биполяр не обязательно вгонять в насыщение по самое нехочу, то полевик как не крути, надо открыть до требуемого Rdson.

GetSmart
Добавьте к картинке ИСТОЧНИК ЭНЕРГИИ (ПИТАНИЕ), НАГРУЗКУ, источник собственно входного сигнала и значения R и С.
Ну или как минимум замените все перечисленное (кроме R и C) какими нибудь "заменителями".
В принципе идея схемы понятна.

Ессно я проверял, поэтому и говорю.


А зачем? Симулировать будете?
Чтобы понять как схема работает совсем не нужно ничего лишнего. Всё лишнее я убрал. На входе TTL 3.3V, на выходе в коллекторе любая нагрузка. Питания там не нужно совсем Питание берётся от управляющего сигнала.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 29 2009, 08:05

Для поддержания темы.

Нет не буду.

Интересная мысль.

И какой ток Вы берете от логической "1" ТТЛ ?

Зависит от выходного транзистора. я работал с КТ9180/КТ9181, у которых на токах коллектора 1.5А бета более 200. Причём он не составной. Включался/выключался примерно за 150 нс. Потребление по входу - постоянный средний ток 10 мА, а вместе с динамическим ~15. Но учитывая скважность будет меньше. Да и вообще, схему легко модифицировать для работы от едениц мА введением ещё одного э.повторителя, но тогда уже питание потребуется хотя бы 3.3В.

И схема реальная была сложнее. Это так, огрызок я нарисовал, достаточно интересный по теме топика.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 29 2009, 09:14

Может быть.
Вот только, если растянуть время, то промежутка, на котором первый транзистор будет работать ЭМИТТЕРНЫМ повторителем я например пока не вижу.
Вот "огрызок" что на рисунке вижу.

Не знаю что на этом рисунке и где там вход.

На моём же рисунке первый каскад работает в моменты перезаряда конденсатора, который там в районе сотен пф. И эта малая ёмкость способна быстро разряжать десятки нанофарад (!) базовой ёмкости второго каскада именно благодаря псевдоусилению ёмкости эмиттерным повторителем.

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 29 2009, 10:13

Это Ваш рисунок, только я эмиттер транзистора нарисовал вниз.
Добавил конденсатор который Вы разряжаете (он справа на рисунке) и резистор (это "паразит" (как тут говорят) во внутри транзистора (конденсатор справа тоже "паразит")) и добавил еще один резистор иммитирующий выход ТТЛ.
На рисунке время сразу после появления логического "0" ны выходе ТТЛ.

P.S.
Для общего развития:
А что Вы называете псевдоусилением емкости?

Сообщение отредактировал 131959G - Nov 29 2009, 11:08