|
|
  |
Классификация типов включения транзистора, Re: Эмиттерный повторитель/Теоретический вопрос |
|
|
|
Dec 28 2009, 19:56
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Dec 28 2009, 22:33)  Иное дело VT 101 Getsmart-a, Убираете VT101 и оставляете резистор R103. Размах напряжения на выходе микросхемы и dU/dT существенно не меняются. Если убрать VT101, и оставить R103 того же номинала, что и был, то dU/dT на разряде меняется на пару порядков как минимум (зависит от беты транзистора). Одно дело - разряд емкости 3-килоомным R103, а другое дело разряд ее же открытым транзистором. Хотя для кого-то это может быть и не существенно  ---- UPD на пару порядков, это я конечно, заломил, но раз так в 70 для транзистора BC807-25 и добавленного ему в цепь коллектора (относительно исходной схемы, с целью нормализации режима транзистора и отвязки от беты) резистора в 10 ом - как с куста.
|
|
|
|
|
Dec 28 2009, 20:38
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Dec 28 2009, 23:18)  Вздумается выходу микросхемы остановиться на уровне +3V от земли - и VT101 послушно там-же остановится, не глядя на "желания" C103 понижать потенциал базы еще ниже. Микросхема интеллектом не обладает и ничего вздуматься ей не может. Ей может максимум что вздуматься, это запереть ее выходной транзистор, подав на его базу ноль вольт относительно того общего, что на схеме. При этом желание бутстрепного конденсатора полностью исполняется, он может утянуть ее выход в минус на 0.6..0.7 вольт. А если автор добавил бы еще диодик, то и на 1.2 вольта в минус. Чего более чем достаточно для конкретного насыщения VT101. Цитата(тау @ Dec 28 2009, 23:27)  Я вас принимаю за человека, не подозревающего что каскад с ОК может служить и служит в данной ситуации усилителем разрядного тока затвора. Только это были Ваши слова, а не мои, что убирание каскада на VT101, а оставление только R103 не приведет к значимому изменению dU/dt. А значит именно Вы не подозреваете о том, что он усиливает ток разряда. Иначе бы не говорили такую чушь.
|
|
|
|
|
Dec 28 2009, 20:46
|

Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 86
Регистрация: 8-04-07
Из: г.Луга Ленинградская обл.
Пользователь №: 26 862

|
Цитата Выдала микруха синус - синус будет и на затворе... Ну если синус, тогда я ПАС!
|
|
|
|
|
Dec 28 2009, 20:49
|

.
     
Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757

|
Цитата(SM @ Dec 28 2009, 23:38)  Только это были Ваши слова, а не мои, что убирание каскада на VT101, а оставление только R103 не приведет к значимому изменению dU/dt. А значит именно Вы не подозреваете о том, что он усиливает ток разряда. Иначе бы не говорили такую чушь. мне проблему, которую Вы живописуете тут, высосанную из пальца, обсуждать неинтересно. Если ВЫ меня не поняли, будьте любезны не хамить, а переспросите. Цитата(131959G @ Dec 28 2009, 23:46)  Ну если синус, тогда я ПАС!  ну а зачем зацикливаться на прямоугольниках, вот уж с чем трудно согласиться - так это с тем, что от вида сигнала может зависеть схема включеня транзистора
|
|
|
|
|
Dec 28 2009, 20:53
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287

|
Цитата(тау @ Dec 28 2009, 22:18)  После закрытия диода, на сколько ток уменьшится с выхода микросхемы, на столько он увеличился в базе VT101 . Функция снижения тока с выхода микросхемы - свойство источника сигнала (микросхемы) . Остальное арифметика. Вздумается выходу микросхемы остановиться на уровне +3V от земли - и VT101 послушно там-же остановится, не глядя на "желания" C103 понижать потенциал базы еще ниже. Я думаю, не совсем так. После закрытия диода ко входу каскада уже приложено два сигнала: один - спадающее напряжение с выхода микросхемы (или, если хотите, ток), второй - напряжение конденсатора. Если выходной транзистор в микросхеме закроется быстро, первую составляющую можно даже не учитывать - скорость нарастания коллекторного тока VT101 будет определяться базовым током через резистор R103, ну и бетой, конечно. В противном случае, то есть, если выходной транзистор микросхемы остаётся в активном режиме и источает яд ток  , всё дело в разнице выходных сопротивлений этих двух источников и "тягаться" RC-цепочке с эмиттерным повторителем, конечно, тяжело. Ситуация бы изменилась не с увеличением ёмкости С103, а будь по дороге с выв.2 микросхемы резистор к базе VT101.
|
|
|
|
|
Dec 28 2009, 20:58
|
Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881

|
Цитата(тау @ Dec 28 2009, 23:49)  Если ВЫ меня не поняли, будьте любезны не хамить, а переспросите. Тогда уж и Вы точно говорите где именно dU/dt. А то написали - что размах на выходе микросхемы, а где dU/dt - типа гадайте сами. Естественно на ум приходит в первую очередь dU/dt в нагрузке, за которую борьба в схеме. Если подразумевалось du/dt на выходе ИМС - то извиняюсь, погорячился с выражениями. А вот зато если схему рассматривать как ОК (я между прочим против этого ничего не имел) - то это будет как раз тот яркий пример редкого ОК-а, где транзистор уходит в насыщение и там жестко сидит всю отрицательную полуволну. Зато ОЭ-рассмотрение позволяет увидеть этот же насыщенный транзистор просто открытым бутстрепным кондером, подключенным между Б и Э, что гораздо привычнее "простому люду".
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|