Вероятно, это не ток коллектора, а ток эмиттера.
Кроме того, не приведена форма исходного сигнала (V3).

Жёлтый вероятно тоже не ток D1, а скорее всего ток выхода микросхемы (R1)

Потому как через диод не может течь постоянка 2 мА при 6 вольтах на выходе микросхемы. 2 мА текут в обход диода, через R4 и D2 на землю.

ток коллектора, я не ошибся

Исходный сигнал от V3 имеет нижний уровень 1 вольт, верхний уровень 8 вольт, переменную крутизну фронтов: 2 мкс , 1 мкс, 0,8 мкс, 0,5 мкс

именно ток D1 , я не попутал

на выходе микросхемы (красная линия) примерно 7 V на максимуме

Опять мимо, и очень мимо. Открывается он отнюдь не из-за бутстрепной емкости, из-за нее он насыщается, а открывает его резистор R103 и емкость нагрузки, которая держит потенциал эмиттера выше потенциала базы, когда микросхема обрывает ток. И закрывается он когда база "улетает в плюс" не только в первый момент, а и до самого последнего момента, пока транзистор микросхемы открыт, так как нет ни одного элемента, могущего при этом сделать напряжение на эмиттере выше, чем на базе, даже на милливольт, чтобы попытаться открыть этот транзистор.

Ну да, вобщемто бутсрепная емкость в данном случае и является емкостной нагрузкой. А главное то, что напряжение на эмиттере транзистора повторяет напряжение на базе, т.е это чистой воды ОК



Да про насыщение никто и не спорит- для того эта цепь и введена.
А вот про "нет ни одного элемента, могущего...": а какже эта самая бутстрепная емкость, ежели мы убрали емкость нагрузки? Ну для простоты заменим ее батарейкой, как тут рисовали- ток батарейки разве не потечет через база-эмиттер транзистора?

PS. Кстати обратите внимание что напряжение на "нагрузке" (эмиттер транзистора) в последнем графике тау не поднимается выше 7В, т.е повторяет напряжение драйвера. Так что же это если не эмиттерный повторитель (ОК)

О! Именно! Об этом и была речь, когда рассматривали high side драйвер. Там происходит точно тоже самое - напряжение на эмиттере повторяет напряжение на базе, до тех пор, пока его не насытят бутстрепной емкость. Только там - оно "однозначно ОЭ". О чем я и толкую, что все ни разу не однозначно, а как раз равнозначно - как удобно, так и считайте, и всегда правы будете.


нет, не потечет, пока ток с выхода микрухи не упадет настолько, чтобы закрыть диод между базой и эмиттером, и открыть переход БЭ за счет более быстрого падения потенциала базы, нежели потенциала эмиттера. Даже если нагрузка совсем не емкостная. А потом Вы говорили, цитирую "VT101 закрывается благодаря наличию нагрузки в лице затворной емкости. Иначе бы он был все время открыт имхо" - так вот, закрывается он благодаря току микруха->диод->нагрузка, и совершенно не важно, какая это нагрузка. Если там резистор - то он закрывается от тока через резистор. Если там кондер, то закрывается он из-за тока через кондер. Даже если бы бутстрепного кондера не было бы вовсе.

А насчет "напряжение на эмиттере повторяет напряжение на базе" - это не совсем так - вот симуляция того момента, когда транзистор в работе (по моей модифицированной схеме, где есть токоограничивающий резистор, а не по оригиналу автора, где транзистор в запредельных режимах из-за превышения импульсного тока КЭ абс. максимума).

синий - выход ИМС
зеленый - база
малиновый - эмиттер
красный - нагрузка

первая неровность синего и зеленого - закрытие диода БЭ и переход транзистора от отсечки к активному режиму.
пересечение зеленым линии нуля - вход в насыщение.
неровность/непараллельность внизу - влияние введенного мной доп. диода, усиливающего насыщение, он уходит в микротоки, и его емкость разряжается

Очень четко видно, что транзистор насыщается раньше (прямое смещение на БК), чем разряжается емкость нагрузки, и вообще, dU/dT на базе значительно выше dU/dT на нагрузке, что как раз характерно для ОЭ. Но это благодаря явно нарисованному на схеме резистору. Без него тот же эффект был бы на внутренних паразитных резисторах транзистора - он насыщался бы раньше, но за счет подскока потенциала перехода БК, возникающего из-за падения напряжения на сопротивлении тела коллектора внутри транзистора, ну и с возможным преждевременным выходом транзистора из строя из-за превышения Abs.Max. (сразу, конечно, не умрет, но деградировать будет, если емкости нагрузки на это хватит)

---
для тау и остальных заинтересованных - getsmart-а в очередной раз забанило, просил передать, что он продолжит на шараге.

Да, с "все время открытым" я погорячился, каюсь . Дело в том что если считать что транзистор работает как повторитель, а в отсутствии диода D1 на его базе было бы напряжение определяемое делителем R1-R4 (последняя схема кот привел тау), а это будет 10,6В (напряжение на С1 =-9В, на выходе драйвера допустим 11В). И напряжение на эмиттере (если нету D1) будет грубо 0В.
Таким образом, при указанных на схеме номиналах напряжение БЭ всегда положительно, значит Q2 закрыт.

Причем относительно земли , куда включен коллектор. Спасибо за понимание и поддержку Alexashka, а то я тут забодался



Да вот как раз и не точно то же самое.
Если в high side драйвере убрать каскад на полевике (извлечь верхний Mosfet) , то размаха 300V с выхода драйвера никогда не увидите.
В случае рассматриваемой схемы с ОК от GetSmart-а , устранение входного транзистора Q1 не повлияет на амплитуду с выхода микросхемы . Это же элементарно! а разница поэтому между двумя схемами огромна. Так как разные схемы включения .
Хотя, возможно, фразой "Только там - оно "однозначно ОЭ" Вы с этим и согласились. Наконец-то.

Тут главное не забывать, что работа повторителем это лишь один из частных случаев ОК-включения. Т.е. транзистор работает как повторитель, если он в ОК и в активном режиме. А тут же он большую часть времени сидит в отсечке, другую большую - в насыщении, и лишь какие-то наносекунды в активном. Так что нельзя говорить, что он работает как повторитель, так как повторителем он там работает какие-то мгновения. Но что он включен как ОК - можно говорить совершенно полноправно, равно что и как в ОЭ.


нет, я с этим не соглашался. Это я с сарказмом сказал. Если в драйвере high side заменить верхний мосфет резистором - то будет аналог схемы getsmart-а, правда слегка модифицированный "вверх ногами". Первую часть времени открытый нижний мосфет будет заряжать бутстрепный кондер и держать затвор в нуле, вторую часть времени - заряд с бутстрепного кондера перетекать в затвор через резистор, поднимая его потенциал, и с ним потенциал истока.
Т.е. верхний ключ внутри драйвера лишь ускоритель процесса, а не определяющий элемент.

В общем - схема включения, повторюсь, зависит лишь от того, что принято за общий, и ни от чего более. И от того, куда и как течет какой ток, и убрать или не убрать какую-то деталь, точка, условно принятая за общий для входного и выходного сигнала никуда не передвинется, оставшись там, куда ее поместил тот, кто анализирует схему.

Мгновения, мгновения, мгновения...(с)
зато в эти мгновения он отрабатывает бОльшую часть входного сигнала по амплутуде (90% и более) , повторяя его на нагрузке. Ну дык импульсная схема, чего с неё взять...


ничего такого похожего не будет , одумайтесь, размах асмплитуды на выходе драйвера упадет в 20 раз. Чего не происходит в схеме getsmart-а

Короче, про high side:

- если мы возьмем осциллограф, и ткнемся одним лучем на затвор, другим на исток, общим на минус источника питания - увидим поведение, совершенно точно описываемое схемой ОК. Сначала на затворе и истоке по нулям, потом напряжение на затворе растет, его повторяет исток за вычетом положенных вольт (Vth+чуток). Потом затвор улетает выше стока, что переводит транзистор в активную зону (не забывать - у полевика активная зона и зона насыщения - можно сказать антиподы биполяру, насыщенный полевик источник тока, а активный - сопротивление, и физическая суть этих определений совсем разная).

- если мы возьмем осциллограф, и ткнемся одним лучем на затвор, другим на сток, общим на исток - увидим поведение, совершенно точно описываемое схемой ОЭ. Сначала на затворе ноль, на стоке много, потом напряжение на затворе растет, на стоке падает. Потом затвор улетает выше стока, что переводит транзистор в активную зону.

Как видим - ТЕ ЖЕ ЯЙЦА, НО В ПРОФИЛЬ. И еще скажите, что на осциллографе будет что-то другое.



Это только кажется, что он в это время работает повторителем, на самом деле он насыщен из за подскока потенциала коллектора в том месте внутри транзистора, где переход... Из-за допущенной автором небольшой оплошности - отсутствии резистора в цепи нагрузки, ограничивающего ток коллектора. Я специально привел результат симуляции, вынеся резистор наружу, и на нем видно, когда транзистор уже насыщен, а разряд вовсю еще идет.


Да ни на сколько не упадет. ни на милливольт.

Хорошо давайте введем транзистор в линейный режим- вместо полного размаха на входе сделаем от 5 до 8 Вольт к примеру. Мы получим на нагрузке усиление по напряжению? Если это каскад ОЭ, то должны, так ведь?

Да график немножко странный который Вы привели. А можно увидеть модифицированную схему?

Осциллограф , в отличие от источника сигнала, допускает перенесение своего "общего" КУДА ЗАХОТИТЕ ! Манипулируя аналогичным Вашему методом, с "общим " осциллографа , но только для "общего" верхнего драйвера , перенесите его с истока на землю . Понаблюдайте импульсы на истоке .
И Вы всё поймете.

А источник сигнала допускает перерасчет себя самого для перенесения его общего тоже "КУДА ЗАХОТИТЕ". Когда это поймете Вы, тоже все встанет на свои места.

Вот замена верхнего ключа драйвера резистором. Ни на грамм размах не меняется, вопреки вашим уверениям, и схема практически та же, что и с ключем в верхней половине драйвера - сигнал на базе выходного транзистора растет, за ним растет на его эмиттере, транзистор работает повторителем. Потом сигнал на базе превышает потенциал коллектора - и насыщение. Вот конкретная схема и конкретные осциллограммы. (я не спорю, что можно рассмотреть выходной транзистор и как ОЭ, ничего от этого не изменится)



Повторюсь - не вид источника сигнала определяет схему включения, а схема включения первична - я сначала выбираю общую точку, говорю к примеру, что это будет ОК, а потом уже вычисляю параметры такого источника сигнала, который будет соответствовать выбранной схеме включения. Или сначала говорю - это ОЭ. И потом исходя из этого постулата вычисляю параметры источника сигнала уже как для ОЭ. И осциллограф, ткнутый общим в мою общую точку, полностью подтверждает, что параметры источника сигнала, рассчитанного относительно этой общей точки, очень даже сходится с практическим наблюдением.



Она была несколько постов выше. http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=699619

и имейте в виду, что резистор, аналогичный введенному мной резистору, имеется и внутри транзистора, он паразитный. Только о нем разработчики к сожалению часто забывают. И даже их два - как бы в разрыве вывода эмиттера и реального эмиттера, и в разрыва вывода коллектора и реального коллектора - параметры модели RC и RE. Которые будут в оригинальной схеме работать заместо моего нарисованного. Чуть не так, так как точка подключения конденсатора поменяется, но это не суть важно, так как основной паразит сосредоточен на коллекторе.


-----------------------------------------------------
UPD:

Модифицировал схему так, чтобы притащить входной сигнал генератора импульсов к общему "общему".
И подписал назначение цепей - где у меня выход сигнала, где цепь ОС, а где мной определенный ОБЩИЙ.

2 SM: Имхо резистор в эмиттере Вы слишком задрали. Реально там будет чтото порядка долей ома (rэ=0.025/iэ).
Вот и мой вариант схемы: для увеличения скорости включения добавил емкость в драйвер.
На втором графике -растянутый спад как видно сигнал на базе и на нагрузке совпадают почти один в один