|
|
  |
Как вкачать наносекундный импульс в большую индуктивность? |
|
|
|
Feb 15 2010, 13:22
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 15 2010, 13:00)  Лавинные транзисторы я думал распарралелить Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал
Сообщение отредактировал lunin - Feb 15 2010, 13:27
|
|
|
|
|
Feb 15 2010, 14:01
|
Профессионал
    
Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252

|
Тиристор MCTV65P100F1 65A, -1000V • VTM £ -1.4V at I = 65A and +150oC • 2000A Surge Current Capability • 2000A/us di/dt Capability Скорость уже близка к первоночально заявленной - 1000 ампер/500 нс Одним из приборов можно скоммутирровать катушку на емкость с напряжением киловольта, другим разрядить катушку. Управлять импульсами через трансформатор http://www.chipfind.ru/datasheet/pdf/inter...cta65p100f1.pdf
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 04:36
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 16:22)  Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал  Да очень интересно, в платанах и электрониках ценники не нашел Цитата(yakub_EZ @ Feb 15 2010, 18:01)  Тиристор MCTV65P100F1 65A, -1000V • VTM £ -1.4V at I = 65A and +150oC • 2000A Surge Current Capability • 2000A/us di/dt Capability Скорость уже близка к первоночально заявленной - 1000 ампер/500 нс Одним из приборов можно скоммутирровать катушку на емкость с напряжением киловольта, другим разрядить катушку. Управлять импульсами через трансформатор http://www.chipfind.ru/datasheet/pdf/inter...cta65p100f1.pdfМаловата скорость) Да всякие делэй таймы велики Цитата(jam @ Feb 15 2010, 21:40)  Если Вам нужно получить фронт импульса - так это тиратрон. А если магнитное поле - то разбить контур на много маленьких - скорость света (3нс\м) - у Вас периметр 3метра. Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый конттур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. Цитата(lunin @ Feb 15 2010, 17:22)  Уж лучше обратите внимание на транзисторы фирмы IXYS, например DE475-102N21A http://www.ixysrf.com/app/high_voltage.htmlили Microsemi из высоковольтной серии http://www.microsemi.com/catalog/com_partbrowse.aspУ этих хоть больше шансов выжить  Если захотите, сообщу, почем покупал  Вот еще нашел http://www.microsemi.com/catalog/parmlist....p;P1_TYPE=RFMOSв конце списка уже с драйверами в одном корпусе
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 08:06
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  ...в платанах и электрониках ценники не нашел Платан разжирел и зазнался по отношению к розничным покупателям, как и чип и дип... Сейчас мне например, удобнее в chipfind.ru определяться с ценой-там хоть масштабы становятся ясными. Я платил за ARF1505 около 7500 руб/шт, а за DE475-102N21A ~2500руб/шт.(по старой цене) Цена ~пропорциональна линейности ВАХ  Еще можно поискать в ЮЕ-интернейшнл, Контест, Farnell, Элитан, Компэл, Терраэлектроника и т.п. Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый контур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. ...Вот еще нашел ... в конце списка уже с драйверами в одном корпусе Я пока не понял, нужен прямоугольник тока в нагрузке или напряжения, приложенного к ней? С прямоугольником напряжения еще относительно просто и серия DRF120* как специально для этого делалась. У IXYS тоже похожие есть вроде. А если имп. тока, то серия DRF120* будет эээ.. не очень подходящая, поскольку работает в ключевом режиме D (Полностью открыт или закрыт). Как вариант, по-моему, это использовать что-то более линейное, например на базе ARF1505, DE475-102N21A. Только обязательно с цепью управления, охваченной ООС по току в нагрузке. И вот тогда напряжение, приложенное к нагрузке, буде иметь вид продифференцированного прямоугольного импульса тока с поправкой на времена фронтов и спадов.
Сообщение отредактировал lunin - Feb 16 2010, 08:18
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 10:23
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(lunin @ Feb 16 2010, 11:06)  Платан разжирел и зазнался по отношению к розничным покупателям, как и чип и дип... Я пока не понял, нужен прямоугольник тока в нагрузке или напряжения, приложенного к ней? С прямоугольником напряжения еще относительно просто и серия DRF120* как специально для этого делалась. У IXYS тоже похожие есть вроде. А если имп. тока, то серия DRF120* будет эээ.. не очень подходящая, поскольку работает в ключевом режиме D (Полностью открыт или закрыт). Как вариант, по-моему, это использовать что-то более линейное, например на базе ARF1505, DE475-102N21A. Только обязательно с цепью управления, охваченной ООС по току в нагрузке. И вот тогда напряжение, приложенное к нагрузке, буде иметь вид продифференцированного прямоугольного импульса тока с поправкой на времена фронтов и спадов. очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 12:41
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 13:23)  очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока очень интересно. спасибо. а что нужно, источник тока или источник напряжения - еще нет определенного мнения. для моего случая и тот и другой варианты имеют свои преимущества. больше конечно склоняюсь к источнику тока интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору?
Сообщение отредактировал Tanya - Feb 16 2010, 13:09
|
|
|
|
|
Feb 16 2010, 17:10
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 07:36)  Вообще требуется прямоугольные наносекунды получить на электрохимической ячейке (анод-электролит-катод, являющейся активно-емкостной нагрузкой), но неизбежной данностью является этот самый конттур большой. Фронты важны, но и длительности импульсов тоже. Если я Вас правильно понял, контур с большой индуктивностью - это токоподвод к ячейке? Тогда может быть имеет смысл по нему передавать DC-питание, а сам генератор импульсов переместить поближе к ячейке - задача значительно упростится.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 07:37
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 62
Регистрация: 10-02-10
Из: Москва
Пользователь №: 55 402

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 15:41)  интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору? Я для своей схемы использовал только "регулирование по затвору", т.е. ООС по току. Ну а располагать источник импульсов конечно надо как можно ближе к нагрузке, это классика.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 11:22
|

Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 792
Регистрация: 9-08-05
Из: Транай
Пользователь №: 7 474

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 16 2010, 15:41)  интересно правильно ли я понимаю физику процесса: большое напряжение необходимо для формироавние фронта, дальше же это высокое напряжение не нужно, т.е. надо использовать накопители высоковольтные, но с малой емкостью, а для поддержания длительности - относительно низковольтное, но с большой емкостью? или будет достаточно регулирования по затвору? Посмотрите , как делаются эксимерные лазеры - импульс тока несколько нс, ток мегаамперы, напряжение киловольты. контур разбит на части порядка сантиметров и имеет несколько метров в длину (длина активной зоны). Применяются керамические конденсаторы, трансформаторы на линиях для пробоя промежутка и тиратрон. P.S Для улучшения гомогенности (равномерности мощности в апертуре) лазера иногда применяют предионизацию при помощи рентгеновской трубки. Это хороший способ для формирования контура тока.
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 18:51
|
Группа: Участник
Сообщений: 11
Регистрация: 15-02-10
Пользователь №: 55 492

|
Цитата(asdf @ Feb 16 2010, 20:10)  Если я Вас правильно понял, контур с большой индуктивностью - это токоподвод к ячейке? Тогда может быть имеет смысл по нему передавать DC-питание, а сам генератор импульсов переместить поближе к ячейке - задача значительно упростится. Контур образует не столько токоподвод, сколько конструкция ячейки, ее уменьшить, к сожалению, не получится
|
|
|
|
|
Feb 17 2010, 21:10
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 775
Регистрация: 11-05-05
Пользователь №: 4 913

|
Цитата(BomBimBom @ Feb 17 2010, 21:51)  Контур образует не столько токоподвод, сколько конструкция ячейки, ее уменьшить, к сожалению, не получится А компенсировать, создав бифиляр возвратным проводом? Нарисовали бы хотя бы схематически конструкцию ячейки, а то без чертежа как то сложно понять, что можно сделать.
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|