Может кто сможет подсказать:
Необходимо получить контролер DDR SDRAM. В устройстве использованы 4 корпуса 32Мх16 Samsung K4X51163PC-L(F)E/GC3. Естественно такой микросхемы MIG не знает, пытаюсь выставить параметры корпуса в ручную.
А вот теперь проблема - в генераторе задан диапазон значений и эти значения не подходят для моей памяти (пример: Address and Control Input setup time имеет диапазон до 1100 ps, а для указанной схемы памяти он 1300 ps), и соответственно, данное значение нельзя ввести
Может кто подскажет как выкручиваться?
PS Такая же ситуация свойственна для Micron MT46H16M16LF-75.

Для начала выбрать тип памяти LPDDR - MT46H16M16LF-75 появится.

Что бы не плодить ветки задам свой вопрос здесь.
До сих пор мы работали с Альтерой, в том числе реализовали на ней несколько устройств с интерфейсом DDR2. Сейчас мы рассматриваем Xilinx Spartan-6 в качестве значительно более дешевой альтернативы микросхеме Stratix III. Вопрос: есть ли у кого опыт реализации интерфейса DDR2 400 MHz на микросхемах Spartan-6 и нет ли там "подводных камней" с которыми можно столкнутся на этапе разработки и которые не описаны в документации Xilinx?
Требуемая ширина шины 64 бит - максимально возможный для этого семейства. Еще проблема еще в том, что времени на освоение ISE и MIG у нас мало. Выигрыш по деньгам конечно не малый - 958$ (EP3SL50F780C2) - 250$(XC6SLX150-3FG900C) = 700$. Но с альтерой мы уже работали, а с Xilinx - нет.

Самый очевидный подводный камень заключается в том, что контроллер в Spartan-6 поддерживает только шестнадцатиразрядную память, и для шестидесяти четырех разрядов вы будете иметь 4 отдельных контроллера с необходиомстью разводить адреса и управление отдельно, то есть примерно 60 лишних ног и соответственно невозможность использовать модули, так как там одно управление на все 64 разряда.

Дмитрий, а где выбрать? У меня нет такой опции, использую Virtex-4.

Тогда думаю, что вы попали - контроллер для Virtex-4 такую память не поддерживает.

Да вот и у меня такое ощущение.
Может кто знает как отыскать С А S T, Inc. D D R/D D R2 S D R A M Controller ? Он вроде бы поддерживает mobile DDR для Virtex-4.

Есть cast sdr sdram контроллер. Если поможет...

Cast sdr sdram контроллер я здесь видел, спасибо, но боюсь он мне не как не поможет. Вот незадача однако...

Так надо ж было этот вопрос решать наверное до того, как плату делать. Посмотрите на OpenCores - там несколько DDR контроллеров есть. Вообще не понимаю смысла к Virtex-4 ставить Mobile DDR - экономия на спичках IMHO.

Ну выходит так как нужно далеко не всегда, особенно, когда ТЗ на разработку выдается теми кто совсем ничего не понимает в нем, большая часть условий задачи не оговорена. В общем что сделано то сделано, но задачи с меня снимать все равно ни кто не хочет. Это была лирика.
Теперь вопрос к тем кто писал что-то похожее на DDR контролер


tCK = 12 ns tAC = 2-8 ns




Вопрос заключается в том, как обеспечить надежный захват данный?
Может у кого есть здравые мысли как это сделать, но не излишне сложно?

Мысли есть: сгенерируйте с помощью MIG контроллер и посмотрите. Без излишних сложностей там IMHO не получится - обычно требуется калибровка IODELAY, и у памяти случаются недокументированные косяки, как показывает анализ комментариев в коде фирменных контроллеров. Так же еще посмотрите, какой стандарт ввода-вывода вы будете использовать: мне кажется, что у LPDDR свой стандарт какой-то, у новых ПЛИС он выделен в отдельный стандарт ввода-вывода, а вот в Virtex-4 - нет. Поэтому для начала просто попробуйте регистр режима прочитать, убедитесь что у вас память и ПЛИС электрически совместимы.

Мдя, не просто там разобраться... ладо это-то я делаю.

LVCMOS там.

У меня возник вопрос - на ниже приведенном рис 17 и на выше приведенном рис 30 есть задержки.


Вопрос в том, откуда они возникают?
И с чем связан такой разброс фронтов DQ? так в стандарте я не нашел ничего похожего.
Просвятите, если кто знает?

Ну так это видимо показывают, что в реальности проводники разной длины по шине DQ + внутри плисины все не одинаковой длины...
17см дороги = 1нс

Хм. У Virtex-4 LVCMOS18 Vol=0.4 max, Voh=1.35 min. У MT46H16M16 Vil=0.36 max, Vih=1.44 min. То есть теоретически может сложиться ситуация, когда выход Virtex-4 будет колебаться в пределах зоны гистерезиса памяти, и это не будет противоречить даташитам. Очевидно не зря в Spartan-6 введен стандарт ввода-вывода MOBILE_DDR c Vol=0.18 max, Voh=1.62 min.