реклама на сайте
подробности

 
 
52 страниц V   1 2 3 > »   
Reply to this topicStart new topic
> Как влияет немагнитный зазор на индуктивность рассеяния?
mamadu
сообщение Oct 27 2010, 08:04
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 30
Регистрация: 11-08-10
Пользователь №: 58 858



Специалисты по трансформаторам, подскажите, плиз, - как влияет немагнитный зазор в сердечнике на индуктивность рассеяния?
И как её (инд.расс.) корректно померить?
Что-то у меня чудеса какие-то получаются.

Вот намотан трансформатор. Сердечник - EF. Что-то вроде 45mm.
Намотано сколько-то там первички (больше сотни не помню уже) и вторичка - 1 или 2 витка фольги.
Ставлю беззазорный сердечник. Меряю индуктивность первичной обмотки - LC-метром (Mastech-MS5300 - типа "тестер"). Индуктивность - 12 000 µH
Замыкаю вторичку - индуктивность = 2 000 µH

Теперь вводим зазор - где-то 0,15 mm прокладка между двумя половинками сердечника. Т.е. разорван центральная и крайние части магнитопровода. Индуктивность = 1 850 µH. Замыкаю вторичку - 1 550 µH. O_o
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wave48
сообщение Oct 27 2010, 08:25
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 64
Регистрация: 14-07-08
Пользователь №: 38 916



Увеличивает. Измерение некорректно, числа витков обмоток должны быть равны или нужен пересчет. www.soel.ru/cms/f/?/327473.pdf
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Microwatt
сообщение Oct 27 2010, 08:59
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Почетный участник
Сообщений: 6 851
Регистрация: 25-08-08
Из: Запорожье
Пользователь №: 39 802



Никак не влияет.
Индуктивность рассеивания характеризует потокосцепление обмоток. Она зависит от взаимного положения обмоток, толщины межобмоточной изоляции , стиля намотки и т.п. В конечном счете, индуктивность рассеивания может быть выражена в % от индуктивности первички (или любой обмотки).
Вы же, варьируя зазор, определяете индуктивность. Это совсем другой параметр. Индуктивность рассеивания будет меняться пропорционально изменению индуктивности первички.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wave48
сообщение Oct 27 2010, 09:21
Сообщение #4


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 64
Регистрация: 14-07-08
Пользователь №: 38 916



Цитата
Индуктивность рассеивания будет меняться пропорционально изменению индуктивности первички.

Да? Даже в общем случае весьма сомнительно. Если зазор под обмотками, то увеличит рассеяние вполне заметно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
stells
сообщение Oct 27 2010, 09:25
Сообщение #5


внештатный сотрудник
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 458
Регистрация: 10-05-08
Из: МО, Медвежьи озера
Пользователь №: 37 401



Цитата(Microwatt @ Oct 27 2010, 12:59) *
Никак не влияет.
Индуктивность рассеивания характеризует потокосцепление обмоток. Она зависит от взаимного положения обмоток, толщины межобмоточной изоляции , стиля намотки и т.п.

а к "т.п." как-раз и относится зазор. например в работе Чука на этом основан принцип снижения пульсаций в магнитосвязанных дросселях
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wave48
сообщение Oct 27 2010, 09:53
Сообщение #6


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 64
Регистрация: 14-07-08
Пользователь №: 38 916



Например,
Есть ферритовое кольцо с однослойной обмоткой, расположенной так, что она закрывает его полностью, никаких зазоров между витками. В этом случае индуктивность рассеяния нулевая, определяется только расположением выводов обмотки. Теоретически невозможный вариант, потому что зазоры между витками есть всегда. Если обмотка закрывает только часть кольца, то рассеяние уже заметно и нужно делать специальные экраны, чтобы его компенсировать. Делаем второй слой, располагая витки в зазорах первого слоя, индуктивность рассеяния также низкая, но её изменение никак не пропорционально изменению индуктивности обмотки, зависит лишь от геометрии. Делаем в кольце зазор - поле начинает из него выпирать и это никак не может не увеличить индуктивность рассеяния в процентном, конечно, отношении, потому что индуктивность намагничивания будет другая.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Microwatt
сообщение Oct 27 2010, 10:08
Сообщение #7


Гуру
******

Группа: Почетный участник
Сообщений: 6 851
Регистрация: 25-08-08
Из: Запорожье
Пользователь №: 39 802



Сколько раз этот вопрос уже обсуждался....
Хорошо, кто-нибудь может дать определение термина "индуктивность рассеивания"?
Иначе, мы говорим каждый о своем.
Запутываем сюда поле рассеивания, индуктивность намагничивания, вообще индуктивность, зазор в магнитопроводе...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wave48
сообщение Oct 27 2010, 10:38
Сообщение #8


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 64
Регистрация: 14-07-08
Пользователь №: 38 916



http://en.wikipedia.org/wiki/Leakage_inductance
Да, для вторички индуктивность рассеивания по любому реально большая.
Здесь нужно увеличивать коэффициент заполнения и экранировать первичку.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
yakub_EZ
сообщение Oct 27 2010, 10:42
Сообщение #9


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252



Цитата(mamadu @ Oct 27 2010, 12:04) *
Специалисты по трансформаторам, подскажите, плиз, - как влияет немагнитный зазор в сердечнике на индуктивность рассеяния?
И как её (инд.расс.) корректно померить?
Что-то у меня чудеса какие-то получаются.

Вот намотан трансформатор. Сердечник - EF. Что-то вроде 45mm.
Намотано сколько-то там первички (больше сотни не помню уже) и вторичка - 1 или 2 витка фольги.
Ставлю беззазорный сердечник. Меряю индуктивность первичной обмотки - LC-метром (Mastech-MS5300 - типа "тестер"). Индуктивность - 12 000 µH
Замыкаю вторичку - индуктивность = 2 000 µH

Теперь вводим зазор - где-то 0,15 mm прокладка между двумя половинками сердечника. Т.е. разорван центральная и крайние части магнитопровода. Индуктивность = 1 850 µH. Замыкаю вторичку - 1 550 µH. O_o

Вы неправильно меряете. В случае замыкания вы меряете не индуктивность первичой обмотки, а ещё и то что характеризует ваш трансформатор нагрузочной ветьвю по Г-образной схеме замещения в которую входит потери в обмотках, их коэффициент связи и их активные сопротивления.
Ещё я не верю прибору, он попутно пишет добротность или активную составляющую тока?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tyro
сообщение Oct 27 2010, 10:42
Сообщение #10


Любитель Кошек
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 593
Регистрация: 8-06-06
Пользователь №: 17 873



Цитата(Microwatt @ Oct 27 2010, 14:08) *
Сколько раз этот вопрос уже обсуждался....
Хорошо, кто-нибудь может дать определение термина "индуктивность рассеивания"?
Иначе, мы говорим каждый о своем.
Запутываем сюда поле рассеивания, индуктивность намагничивания, вообще индуктивность, зазор в магнитопроводе...

Ну прочтите в школьном учебнике, что такое индуктивность катушки и замените поток на поток рассеивания.


--------------------
По современному этикету, в левой руке держат вилку, в правой - мышку.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
yakub_EZ
сообщение Oct 27 2010, 11:08
Сообщение #11


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 329
Регистрация: 6-12-08
Из: Москва
Пользователь №: 42 252



В качестве примера приведу картинку с симулятора:
есть пары индкутивностей имеющие связь по потоку с коэффициентом 0,9
Отношения индуктивностей 1000, на осциллограмме показаны токи протекающие через первичные обмотки получившихся трансформаторов.
В случае большей индуктивности перепад величины тока между высоким и низким сопротивлением нагрузки более разителен.
Собственные сопротивления обмоток при моделировании 0,1
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Microwatt
сообщение Oct 27 2010, 11:51
Сообщение #12


Гуру
******

Группа: Почетный участник
Сообщений: 6 851
Регистрация: 25-08-08
Из: Запорожье
Пользователь №: 39 802



Цитата(tyro @ Oct 27 2010, 13:42) *
Ну прочтите в школьном учебнике, что такое индуктивность катушки и замените поток на поток рассеивания.

Да нет, тут так не пойдет, отсылать друг друга к букварям.
Странно, только что пролистал пяток букварей и точного определения не нашел, хотя сам термин широко употребляется. Нет даже определения в википедии и иных гуглоподобных ресурсах...Нужно дать определение обсуждаемой величине здесь. Похоже, на форуме неоднократно обсуждалось нечто, под чем каждый понимал свое.
Я понимаю под индуктивностью рассеивания численную характеристику потокосцепления обмотки с остальными обмотками, косвенно выраженную в единицах индуктивности.
Если катушка в 1000мкГн сцеплена на 98% по магнитному потоку, то ее индуктивность рассеивания будет 20мкГн (2%). Если мы изменим материал сердечника и индуктивность той же катушки возрастет, скажем до 2000мкГн, то ее индуктивность рассеивания вырастет до 40мкГн. Уберите сердечник, пусть это будет воздушный трансформатор, пусть при этом индуктивность упадет до 20мкгн. тогда индуктивность рассеивания составит 0.4мкГн.
Таким образом, есть некий конструктивный параметр (он всегда меньше единицы) неполного потокосцепления многообмоточного трансформатора, дросселя для данного каркаса и данных способов намотки.. Умноженный на индуктивность он дает индуктивность рассеивания.
А путанные рассуждения о намотке слоями, между витками, зазоре, проницаемости... Это не определение самой величины, хотя влиять на нее отдельные названные причины могут.
Есть возражения?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
тау
сообщение Oct 27 2010, 11:59
Сообщение #13


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757



Цитата(Microwatt @ Oct 27 2010, 15:51) *
Есть возражения?

попробую,

Индуктивность рассеяния - это два объекта в двухобмоточном трансформаторе , имеющие свойства индуктивностей, не объединенных общим магнитным потоком (несвязанные индуктивности).
Общий магнитный поток сердечника не влияет на эти объекты и их свойства.
Для практических целей можно считать , что эти две индуктивности соединены последовательно с учетом коэффициента трансформации тех частей обмоток , которые пронизаны общим магнитным потоком,
поэтому их можно рассматривать и как одну общую индуктивность (Ls) в П-образной схеме замещения.
В первом приближении на Ls не влияет индуктивность намагничивания (или µ сердечника) . некоторое влияние при измерении (как у стартера) чаще связано с несовершенством измерений и влиянии паразитных параметров например Rs.
Начиная с некоторый величины (надежно измеряемой) дальнейшее увеличение µ или уменьшение зазора не приводит к практическому изменению измеряемой Ls (мой личный опыт).

Go to the top of the page
 
+Quote Post
orion9
сообщение Oct 27 2010, 12:01
Сообщение #14


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 7-04-09
Из: N-sk
Пользователь №: 47 315



Цитата(mamadu @ Oct 27 2010, 11:04) *
Ставлю беззазорный сердечник. Меряю индуктивность первичной обмотки - LC-метром (Mastech-MS5300 - типа "тестер"). Индуктивность - 12 000 µH
Замыкаю вторичку - индуктивность = 2 000 µH

Теперь вводим зазор - где-то 0,15 mm прокладка между двумя половинками сердечника. Т.е. разорван центральная и крайние части магнитопровода. Индуктивность = 1 850 µH. Замыкаю вторичку - 1 550 µH. O_o

То что вы хотите измерить, нужно измерять на рабочей частоте. Видимо, удобней всего собрать генератор, типа емкостной трехточки, подогнать конденсаторами резонанс до рабочей частоты и посчитать индуктивность по получившемуся контуру.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
тау
сообщение Oct 27 2010, 12:06
Сообщение #15


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757



Цитата(orion9 @ Oct 27 2010, 16:01) *
То что вы хотите измерить, нужно измерять на рабочей частоте. Видимо, удобней всего собрать генератор, типа емкостной трехточки, подогнать конденсаторами резонанс до рабочей частоты и посчитать индуктивность по получившемуся контуру.

Этого мало , надо учитывать при измерении и влияние скин-эффекта , в том числе и на гармониках. Потому что токи не синусоидальные обычно в обычных ИБП. А увеличенное Rs сказывается на измеренной Ls.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

52 страниц V   1 2 3 > » 
Reply to this topicStart new topic
5 чел. читают эту тему (гостей: 5, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 15th July 2025 - 14:48
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01488 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016