продолжаю копать под затвором
нашёл !
"third quadrant effect"

Надо просто приборы использовать современные. А не 20 лет назад разработанные.

Ошибаетесь - эффекту подвержены все полевики, в той или иной степени...
Dynamic avalance breakdown
лавинный пробой при восстановлении диода

Это если к диоду прикладывается обратное напряжение, а если нет (как в резонансном преобразователе), то и пробоя нет.
Ну а для диплома можно и поисследовать такие процессы.

Удивляете меня - когда на стоке + это уже обратное напряжение на внутреннем диоде.

для полевика, оказывается, гораздо менее опасно жесткое закрытие паразитного диода, чем тот эффект, от которого они дохнут на малой нагрузке.
К моменту выключения транзистора вредных носителей осталось мало от того времени, когда тёк ток через внутренний диод, но ведут себя героически, потому что велико напряжение сток исток. Они разгонятся, размножатся, порадив лавину. И произойдёт это при напряжении, меньшем статического лавинного пробоя. А потом транзистор умирает от вторичного теплого пробоя.
Но выход есть !

Вы мне такой режим найдите в резонансном инверторе напряжения на частоте выше резонанса с режимом ZVS при включении транзистора.
Про коммутацию транзисторов я кое что знаю. Не зря защищал диссер с темой
Исследование и оптимизация коммутационных процессов в транзисторных преобразователях для электротехнологии.
Это правда был 1998 год.

режим штатный, постоянный ZVS !
и проблема рассасывания диода никуда не пропала - так как ток через внутренний диод шёл ток вначале цикла !!!
подача напряжения на затвор ничего не меняет - рассасывать заряд, накопленный диодом, обязательно придётся.
это главная причина того, что горят полевики и их драйверы впридачу в резонансных инверторах и электронных балластах.
рассасывание происходит при закрывании, а не при открывании оппозитного транзистора. Что бы сгорел mosfet не нужен даже открытым второй транзистор - достаточно его диода, которым фиксируется напряжение на стоке.
медленный рост напряжения на стоке - порядка половины напряжения питания за 500 нс - спасёт от преждевременного лавинного пробоя. Но так никто не делает - жалко нагревать снабберы, либо обеспечить это условие можно лишь на малой нагрузке.
Важна не скорость dV/dt (скорость приводит к другим проблемам), а время от момента протекания тока через body diode до появления высокого напряжения на стоке. Зазевавшиеся носители, неуспевшие рекомбинировать и благополучно удалиться при малом напряжении на стоке, ведут себя как камикадзе. Они оказались не в том месте и не в то время - им надо пройти слишком долгий путь, а значит, велика вероятность развития лавины при такой напряженности поля. Поэтому жесткое закрытие диода проходит легче: носители подбираются поближе к выходу (CoolMOS, пишут, 3000 А/мкс выдерживают) и лавин не происходит. Лавина - ударная ионизация, разогрев, шнурование тока и тютю. И это происходит на детских режимах...
перечитайте http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...st&p=834403

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 21 2010, 13:15

Статью почитал. Ничего общего с резонансным инвертором напряжения не узрел. Стадиии 6 в резонансном инверторе напряжения не бывает вообще.

Склонен предположить, что дохнут только транзисторы, закрывание которых отдано на совесть снаббера/ёмкости между стоком-истоком и тока нагрузки.
Только те, у которых при росте напряжения на стоке жестко "0"/"минус" на затворе.
Гибнут только те, у которых ток канала при закрывании отсутствует.

Жалкой участи избегнут те, чьё закрывание контролируется резистором в затворе и ёмкостью Миллера.
И, возможно, беда обойдёт стороной тех, у кого на затворе при закрывании напряжение чуть ниже порога открывания транзистора.

Приоткрытие транзистора поставляет основные носители - электроны, которые ускоряют рекомбинацию оставшихся от прохождения тока через диод дырок, предотвращая развитие лавинных процессов.
Когда напряжение чуть ниже порогового на затворе, при росте напряжения на стоке приоткроются те ячейки полевика, где скопился бОльшой заряд неосновных носителей.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 22 2010, 17:34

Вопрос надёжности работы силового ключа, связанный с рассасыванием накопленного в обратном диоде заряда при высоких скоростях подъема напряжения на стоке может проще и правильнее сегодня решать интеллектуальными методами в управлении затвором? Т.е. в нужные моменты полностью открывать ключ для работы в третьем квадранте, исключая таким образом накопление паразитного заряда. Поднимая к тому же КПД преобразователя. При сегодняшней доступности программируемой логики и её цене вопрос в реализации управления вообще не стоит. И как работать даже с самыми "большими" затворами с высокими скоростями перезаряда тоже известно....

интеллект - слишком пафосное слово для простой мысли - ток через паразитный диод никогда не должен течь без положительного напряжения на затворе...

Я о том-же. Ток никогда не будет течь через паразитный диод при положительном напряжении на затворе и выше его порога.
К слову, интеллект уже давно перестал быть пафосом в силовой электронике, даже на малых мощностях...

это неправда...

Пафос пафосом, а объясните мне тёмному крестьянину механику процесса. В промежутками между включениями на затворе присутствует пару вольт питания? Для включения это хорошо, меньше нужна скорость наростания, а вот не будет ли оно тормозить выключение? Ведь не зря же самы высокие динамические показатели получаются при питании управляющего драйвера именно двуполярным питанием +15-5 вольт. Или же положительное смещение появляется после полного выключения мосфета? Типа второй дэд-тайм.

Сообщение отредактировал georgy31 - Jun 2 2011, 09:23

Речь о полевых транзисторах? Про "синхронное" выпрямление слышали?

georgy31, речь немного о другом.