Имееться девайс в котором 4 транзистора включены параллельно как показано на схеме.
Один транзистор пробить. Сопротивление между К, Э, Б равны нулю.
Можно ли в таком случае вместо MJ16018 применить аналог?
Какие параметры подбора?

Напряжение Uбэ при одинаковом токе эмиттера. Или наоборот- ток эмиттера при одинаковом напряжении Uбэ

Странная схема. Может быть даже плохая, в результате чего и сгорел транзистор. Малоомные резисторы обычно ставят в эмиттеры каждого транзистора. А здесь зачем в коллекторе...

Или поставить резистор в цепь базы каждого транзистора.

Это не будет способствовать равномерному распределению тока между транзисторами. У транзисторов (даже однотипных) есть разброс Uбэ и h21э. Резистор в базе никак не балансирует транзисторы.

Уточнение:
Можно оставить 3 транзистора MJ16018, а четвертый поставить аналог?
Или нужно менять все?

Во-первых MJ16018 NPN транзисторы, а у Вас на рисунке PNP. Соответственно попутан эмитер с коллектором и малоомные резисторы оказываются там, где и должны быть - в эмитерах. Во-вторых замена на другой тип транзистора крайне нежелательна, или надо проверять, что действительно происходит равномерное распределение тока между транзисторами во всем рабочем диапазоне температур и токов, превышающих предельный для одиночного транзистора

Схема действительно никуда не годна. По хорошему - менять схему.

ps. если это NPN и коллекторы объединены , то терпимо, выравнивающие резисторы в эмиттерах имеются. Если ток в каждом транзисторе более 2 А по режимам - то подойдет и другой тип высоковольтного NPN с похожими параметрами по току напряжению и времени выключения ( если выключение в схеме предполагается быстрое) .

Сообщение отредактировал тау - Nov 21 2010, 10:22

Лучше поменять все

Если поменять местами Э и К - то будет вполне нормальная схема

Участок схемы срисовывал с документации.
Ознакомившись с даташитом и вспоминая по памяти подсоединение транзисторов в девайсе необходимо на схеме поменять К и Э и проводимость.
Завтра уточню этот вопрос.